晶体管的特性是什么？
晶体管的频率特性参数主要包含特征频率fT和最高振荡频率fM等指标。
1. 特征频率fT：
当晶体管的工作频率超过截止频率fβ或fα时，其电流放大系数β值会随着频率的增加而减小。特征频率是指β值下降到1时的晶体管工作频率。
通常，特征频率fT小于或等于3MHz的晶体管被分类为低频管，fT大于或等于30MHz的晶体管被视为高频管，而fT介于3MHz至30MHz之间的晶体管则被称为中频管。
2. 最高振荡频率fM：
最高振荡频率是指晶体管的功率增益降至1时对应的频率。
一般情况下，高频晶体管的最高振荡频率低于共基极截止频率fα，而特征频率fT则高于共基极截止频率fα，但低于共集电极截止频率fβ。
晶体管的转移特性是什么意思啊?
晶体管的转移特性曲线是描述三极管的各端电流与两个PN结外加电压之间的关系的一种形式，其特点是能直观，全面地反映晶体管的电气性能的外部特性。输出特性曲线表示集电极一发射极电压对集电极电流的影响，其斜率代表晶体管输出电阻rce。输出特性曲线该曲线表示基极电流Ib一定时，三极管输出电压Uec与输出电流Ic之...
什么是晶体管
晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关（如Relay、switch）不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。2016...
晶体管DB3是什么
晶体管DB3是双向触发二极管。DB3工作原理：二极管、晶体二极管为一个P型和N型半导体半导体PN结的形成及其形成两边的界面空间电荷层，并建自建电场。当外加电压不存在，是由于PN结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电流所造成的，同时漂移，并在平衡状态。当外面的世界有着积极的偏压，外电场与电场的相互...
晶体管的非线性特性
1.就是晶体管在线性放大区以外的特性,饱和、截止 2.理想的电阻属于线性,实际电阻受温度等影响不是线性
晶体管的hEF指什么
晶体管的温度特性：对二极管而言，正向电流一定时，正向压降随温度的升高而降低，室温时，温度升高1C,正向压降降低2-2.5mv 反向漏电流则随温度按指数规律变化，温度升高1C,锗管增加10%，硅管增加为7%。对三极管而言，受温度影响最大的参数包括：VBE,ICBO,HFE.其中，VBE以-(2-2.5)mv\/C的速率线性...
比较场效应管与双极型晶体管的特点
双极型晶体管管是利用pn结注入载流子来工作的；是两种载流子（多数载流子和少数载流子）参与工作的器件；是由两个背靠背连接的pn结构成的；输入电阻很小；输入端需要有电流才能工作，是电流驱动的器件等。比较场效应管与双极型晶体管的特性：一.场效应管的S,G,D电极其功能与双极型晶体管的e,b,c相对 二...
三极管有什么特性
基极电流是信号输入电流，集电极电流和发射极电流是信号输出电流，信号输出电流远大于信号输入电流，说明三极管能够对输入电流进行放大。在各种放大器电路中，就是用三极管的这一特性来放大信号的。三极管在正常工作时，它的基极电流、集电极电流和发射极电流同时存在，同时消失。
场效应管的特性是什么?
1、场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极电流）；2、场效应管的控制输入端电流极小，因此它的输入电阻（107～1012Ω）很大。3、利用多数载流子导电，因此它的温度稳定性较好；4、组成的放大电路的电压放大系数要小于三极管组成放大电路的电压放大系数；5、场效应管的抗辐射能力强...
三极管的特性是什么?
三极管的特性：1、发射区向基区发射电子 电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。2...
铁电材料都有哪些特性?
1、自发极化铁晶体管是电介质中一类特别重要的介晶体管。电介质的特性是：他们以感应而非以传导的方式传播电的作用与影响。按照这个意义来说，不能简单的认为电介质就是绝缘体。在电介质中起主要作用的是束缚着的电荷，在电的作用下，他们以正、负电荷重心不重合的电极化方式传递和记录电的影响。而铁...
穆纪艾太： 晶体管的电流放大系数与工作频率有关.若晶体管超过了其工作频率范围,则会出现放大能力减弱甚至失去放大作用. 晶体管的频率特性参数主要包括特征频率fT和最高振...
山西省15792471203： 晶体管有什么特性? - ？
穆纪艾太： 晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一,在电路中用“V”或“VT”(旧文字符号为“Q”、“GB”等)表示. 晶体管是内部含有两个PN结,外部通常为三个引出电极的半导体器件.它对电信号有放大和开关等作用,应用十分广泛. ...
山西省15792471203： 晶体管的结构及性能特点有哪些 - ？
穆纪艾太： 1.晶体管的结构 晶体管内部由两PN结构成,其三个电极分别为集电极(用字母C或c表示),基极(用字母B或b表示)和发射极(用字母E或e表示).如图5-4所示,晶体管的两个PN结分别称为集电结(C、B极之间)和发射结(B、E极之间)...
山西省15792471203： 单结晶体管有什么特性 - ？
穆纪艾太： 单结晶体管记得叫做双基极晶体管,两个基极间具有一定阻值,当发射结电压高到预设分压比就会向第一基极放电作为输出脉冲.这个晶体管通常作为可控硅的触发脉冲的产生电路.具体使用方法需要查阅比较早期的晶体管手册.用它所连接的振荡器可以作为各种尖脉冲发生器.
山西省15792471203： 电力晶体管有何特点 - ？
穆纪艾太： 1;电力晶体管按英文Giant Transistor直译为巨型晶体管,是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管(Bipolar Junction Transistor—BJT),所以有时也称为Power BJT;其特性有:耐压高,电流大,开关特性好,但驱动电路复杂,驱动功率大
山西省15792471203： 晶体管的非线性特性 - ？
穆纪艾太： 1.就是晶体管在线性放大区以外的特性,饱和、截止 2.理想的电阻属于线性,实际电阻受温度等影响不是线性
山西省15792471203： 电子电路中什么是晶体管,它在结构上有何特点? - ？
穆纪艾太： 普通晶体管是由三块半导体材料按一定的形式组合而成的.和二极管不同,晶体管是由三个不同的导电区域构成的,即发射区、基区和集电区.对应三个区域引出的三个电极,分别称为发射极E、基极B和集电极C.晶体管有两个PN结,分别称为发射结和集电结.发射结在发射区和基区间,集电结在集电区和基区间. 晶体管在结构上有两个特点,第一是发射区的掺杂浓度要远大于基区的掺杂浓度;第二是基区做得很薄,它的厚度要比基区中少数载流子的扩散长度短得多,一般只有几微米.
