三星半导体：GAA FET与EUV是半导体领域下一代重要突破
作者&投稿：欧陈 （若有异议请与网页底部的电邮联系）
任何关注半导体行业的人都知道芯片性能提升的速度开始放缓。与此同时，工艺公司已经讨论了他们减少制造芯片尺寸时面临的一些挑战。虽然通常与摩尔定律的继续发展有关，但更多是伴随着半导体工艺节点尺寸的减小，影响性能的因素会持续增加。
就在几个月前，三星半导体的代工业务宣布了晶体管设计方面的一项重大新进展，称为Gate-All-Around（GAA），它有望在未来几年保持晶体管级半导体的发展。从根本上说，GAA提供了对基本晶体管设计的重新思考和重新架构，其中晶体管内部的硅通道完全被栅极材料包围，而不是像三极一样被栅极材料覆盖，就像FinFET设计一样，这种设计可以增加晶体管密度，同时增加沟道的缩放潜力。
整个 科技 行业都在期待着半导体工艺的改进，这些进步将继续降低半导体尺寸和功率，并提高半导体性能。GAA与极紫外光（EUV）光刻技术一起被认为是半导体制造领域下一个主要技术进步，这为芯片行业提供了从7nm到5nm到3nm工艺节点的清晰路径。
从技术上讲，由于GAA FET技术降低了电压，这也为半导体代工业务提供了一种超越FinFET设计的方法。随着晶体管不断缩小，电压调节已被证明是最难克服的挑战之一，但GAA采用的新设计方法减少了这个问题。 GAA晶体管的一个关键优势是能够降低电压缩放造成的功耗，同时还能提高性能。这些改进的具体时间表可能不会像行业过去那么快，但至少关于它们是否会到来的不确定性现在可能会逐渐改观。对于芯片和器件制造商而言，这些技术进步为半导体制造业的未来提供了更清晰的视角，并且应该让他们有信心推进积极的长期产品计划。
GAA的时机也是 科技 行业的偶然因素。直到最近，半导体行业的大多数进步都集中在单个芯片或单片SOC（片上系统）设计上，这些设计都基于单个工艺节点尺寸构建的硅芯片。当然，GAA将为这些类型的半导体提供重要的好处。此外，随着新的“小芯片”SOC设计的势头增加，这些设计结合了几个可以在不同工艺节点上构建的较小芯片组件，很容易被误解为晶体管级增强不会带来太多的价值。实际上，有些人可能会争辩说，随着单片SOC被分解成更小的部分，对较小的制造工艺节点的需求就会减少。然而，事实是更复杂，更细微。为了使基于芯片组的设计真正成功，业界需要改进某些芯片组件的工艺技术，并改进封装和互连，以将这些元件和所有其他芯片组件连接在一起。
重要的是要记住，最先进的小芯片组件正变得越来越复杂。这些新设计要求3mm GAA制造所能提供的晶体管密度。例如，特定的AI加速器，以及日益复杂的CPU，GPU，FPGA架构需要他们能够集中处理的所有处理能力。因此，虽然我们会继续看到某些半导体元件停止在工艺节点的路线图中，并以更大的工艺尺寸稳定下来，但对关键部件的持续工艺缩减的需求仍然有增无减。
科技 行业对半导体性能改进的依赖已经变得如此重要，以至于工艺技术的潜在放缓引起了相当多的关注，甚至对可能对整个 科技 世界产生的影响产生负面影响。虽然GAA所带来的进步甚至没有使该行业完全解决了挑战，但它们足以提供行业所需的发展空间以保持其继续前进。
据businesskorea报道，代工咨询公司IBS 5月15日宣布，三星电子在 GAA技术方面领先台积电(TSMC)一年，领先英特尔(Intel)两到三年。GAA技术是下一代非存储半导体制造技术，被视为代工行业的突破者。
三星已被评估在FinFET工艺方面领先于全球最大的代工企业台积电。FinFET工艺目前是主流的非存储半导体制造工艺。
这意味着三星在当前和下一代代工技术上都领先于竞争对手。
三星于当地时间5月14日在美国Santa Clara举行的2019年三星代工论坛上宣布，将于明年完成GAA工艺开发，并于2021年开始批量生产。
并荔瑞思： 特约撰稿 莫大康 推动半导体业进步有两个轮子,一个是工艺尺寸缩小,另一个是硅片直径增大,而且总是尺寸缩小为先.由半导体工艺路线图看,2013年应该进入14纳米节点,观察近期的报道,似乎已无异议,而且仍是英特尔挑起大梁.尽管...
陕县19347073756： 三星880相当于骁龙多少?？
并荔瑞思： 骁龙765G处理器从工艺来源来看,三星880基于三星自己的8nm工艺设计,处于中高端水平,落后于最新的7nm+EUV和以下7nm一代.在CPU方面,三星880采用了世界...
陕县19347073756： 晶片线宽现在最窄是多少 - ？
并荔瑞思： 线宽最小已降到0.13um,当然还有可能更小(可能未公开或者正式商用).
陕县19347073756： 小米10x和小米k30对比哪个好 - ？
并荔瑞思： 你好:2019年下半年,bai各大手机厂商开始布局5G中端,小米就推出了自己的首款5G手机红米k30,到2020年初,小米发布了冲击高端的第二款5G手机小米10系列.那红米k30和小米10有什么区别呢? 红米k30和小米10对比? 详细参数对比...
陕县19347073756： 中微半导体能做EUV吗 - ？
并荔瑞思： 半导体行业属一个整体,AMEC 中微半导体设备 EUV 当然做,也必需能够做.
陕县19347073756： oppofindx3pro处理器是哪生产的? - ？
并荔瑞思： 这手机是骁龙888,骁龙888是三星5纳米工艺,三星5纳米工厂目前只在韩国.
陕县19347073756： 韩语翻译(工厂设备方面) - ？
并荔瑞思： 비행기 문이 하나 슬링 단위 화면, DC 전원 공급 장치 캐비닛, 전기 미터 화면, 전력 품질 감지 장치와 통신 반응성 전력 보상 장치 (66KV 변전소) 마이크로 - 기반의 진공 밸브에 손상, 펌프 다리 크레인 6 단위 보호 및 모니터링 및 제어 장치에 C - 팔을 기계 유압 공압 감아 윈치 프로필 Consumable 카드 반지를 손에 감아 체인, 철분 블레이드 밀어 보드 보트 사다리 gouging 기계유 모자이크 철분 걸려 쏘 선박용 케이블과 계류 버스트 케이블 측정 장비
陕县19347073756： x射线曝光与传统的光学曝光有什么本质区别 - ？
并荔瑞思： 你说的应该是光刻机里曝光吧,光刻机里的投影透镜系统由数十片光学透镜组成,光学像差已经基本消除,达到衍射受限系统的要求,拿最高端ASML光刻机来说,它的镜头一直都是卡尔蔡司提供的,高端的机器一般用到20多片的镜头来达到要...
陕县19347073756： 为什么要采用浸入式光刻?为什么不立即采用更短波长的光刻光源,如euv - ？
并荔瑞思： 为什么集成电路厂房内光刻区域的照明灯光与其他工艺区域不同? 答:光刻是利用一种叫光阻剂的材料通过曝光显影来完成的,这种光阻剂只有在黄色是管线下才不会被曝光,当需要曝光的时候会在一台专门的设备里曝光!对超净室中的洁净程度是如何定义和分级的? 答:等级分为万级,千级,百级,十级,比如说万级就是1立方空间里要小于等于10000颗尘埃具体怎么选用那要看工艺要求
