mos的irfp250、irfp250n、irfp260、irfp260n有什么区别(npn、pnp的关系!)?

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这些都是MOSFET管,不是三极管(三极管有NPN,PNP之分,MOSFET没有这种说法)。

1、工作电流不同

IRFP250与250N在参数上有少量区别,250的持续电流ID为33A,250N在30A(都是25摄氏度时的最大值)。

2、功率不同

耗散功率IRFP250为180W,250N为214W。

3、导通电阻不同

导通电阻IRFP250最大为0.085欧,250N为0.075欧。

4、工作产生的温度不同
IRFP260和260N最核心的差别是,后面的N代表的是温度特性,不带N的正常工作范围是-55- 150摄氏度,带N的可以达到-55 - 175摄氏度。

扩展资料

当MOS电容的GATE相对于BACKGATE正偏置时发生的情况。穿过GATE DIELECTRIC的电场加强了,有更多的电子从衬底被拉了上来。同时,空穴被排斥出表面。随着GATE电压的升高,会出现表面的电子比空穴多的情况。

由于过剩的电子,硅表层看上去就像N型硅。掺杂极性的反转被称为inversion,反转的硅层叫做channel。随着GATE电压的持续不断升高,越来越多的电子在表面积累,channel变成了强反转。Channel形成时的电压被称为阈值电压Vt。当GATE和BACKGATE之间的电压差小于阈值电压时,不会形成channel。当电压差超过阈值电压时,channel就出现了。

MOS电容:(A)未偏置(VBG=0V),(B)反转(VBG=3V),(C)积累(VBG=-3V)。

正是当MOS电容的GATE相对于backgate是负电压时的情况。电场反转,往表面吸引空穴排斥电子。硅表层看上去更重的掺杂了,这个器件被认为是处于accumulation状态了。

MOS电容的特性能被用来形成MOS管。Gate,电介质和backgate保持原样。在GATE的两边是两个额外的选择性掺杂的区域。其中一个称为source,另一个称为drain。假设source 和backgate都接地,drain接正电压。只要GATE对BACKGATE的电压仍旧小于阈值电压,就不会形成channel。Drain和backgate之间的PN结反向偏置,所以只有很小的电流从drain流向backgate。

如果GATE电压超过了阈值电压,在GATE电介质下就出现了channel。这个channel就像一薄层短接drain和source的N型硅。由电子组成的电流从source通过channel流到drain。总的来说,只有在gate 对source电压V 超过阈值电压Vt时,才会有drain电流。

在对称的MOS管中,对source和drain的标注有一点任意性。定义上,载流子流出source,流入drain。因此Source和drain的身份就靠器件的偏置来决定了。有时晶体管上的偏置电压是不定的,两个引线端就会互相对换角色。这种情况下,电路设计师必须指定一个是drain另一个是source。

参考资料来源:百度百科-mos管






平果县18017006252: 这个是可控硅管吗?为什么用手摸一下正级就开始工作不停的!摸一下负级就停了!可以用在什么地方比如汽车 -
却庆阿瑞: IRFP250,这是MOS管,并不是可控硅(可控硅指的是晶闸管).MOS管有个特性,就是栅极输入阻抗极高,直流阻抗可以达到10的9次方欧姆以上,几乎就是绝缘的,摸一下它,人身上所带的静电电荷或者电磁场中感应出的电信号都可以使它触发,触发后由于内阻太大电荷不容易自己放出去,因此表现出可以持续导通的状态.你说的正负极是啥?MOS管可没有正负极,它的三个电极是漏极(D)、栅极(G)、源极(S).

平果县18017006252: irf250 与irfp250的区别是什么?谢谢 -
却庆阿瑞: 不能. irf630: 晶体管极性:n漏极电流, id 最大值:9a电压, vds 最大:200v开态电阻, rds(on):0.4ohm电压 @ rds测量:10v电压, vgs 最高:3v功耗:100wirfp250 33a 200v 180w.

平果县18017006252: 开关MOS管 -
却庆阿瑞: 这里有可供你选择 IRF540N-FET 100V 28A 150W 0.077 | IRF630N-FET 200V 9A 75W 0.4E IRF640N-FET 200V 18A 125W 0.18R | IRF644N-FET 250V 14A 125W <E28 IRF730N-FET 400V 5.5A 100W 1.0R | IRF740N-FET 400V...

平果县18017006252: 求P型MOS管型号 -
却庆阿瑞: 场效应管分类 型号 简介 封装 DISCRETE MOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETE MOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISCRETE MOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETE MOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 DISCRETE ...

平果县18017006252: 三极管IRFP250有等级的吗?什么型号的250最好用
却庆阿瑞: IRFP250是场效应管,有等级之分.不同等级主要参数一样的.只要是正品都好用,市场上卖的多数是拆机件翻新的,还好用.

平果县18017006252: 场效应管IRFP250型是增强型还是耗尽型的 -
却庆阿瑞: IRFP250是增强型的 P是TO-247封装 就是一面金属一面塑料三个脚的 没有P的是TO-3封装 就是金属封装管

平果县18017006252: 如何测量irfp250n三极管 -
却庆阿瑞: IRFP250压根不是三极管,而是N沟道增强型场效应管. MOS管的检测有专门的方法,你可以看: http://wenku.baidu.com/link?url=jqB0OYdbFDtnsj3mNlu1FV2fNdhxUxwyU8wGlSf4YX2v9FynlNJBtK57RnXzL0MZh33dTiDKzjF7bDtcmvi6-GNlI0T-ckyOOFwBZDaA_wy 不过实际中,我一般不会检测,直接选用可靠的供货商提供的货品来保证,只使用包装管里的.对于零散在外面的,可以通过搭一个共漏电路(电压跟随器)来试验.

平果县18017006252: 什么型号的mos管硬开关频率能达到100kHz以上,额定电流最好有几十安 -
却庆阿瑞: 100kHz并不是太高的,你只要考虑电流就行了,像IRFP250能达到30A的! 手打不易,如有帮助请采纳,谢谢!!

平果县18017006252: 场效应管irfp250可以用fag25n120代替吗或者用别的
却庆阿瑞: 应该不能吧.

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却庆阿瑞: UPS电源故障现象:一台迈普1KVA在线式UPS电源,开机后旁路输出正常,按ON键,能由旁路转入逆变器工作,但立即又跳转旁路,且故障灯亮,蜂鸣器长鸣报警,按OFF键,蜂鸣器停止报警,旁路输出正常. UPS电源故障分析与维修:根...

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