采用真空提高绝缘强度的理论依据是

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采用真空提高绝缘强度的理论依据是巴申定律

巴申定律是巴申于1889年,从大量的实验中总结出的击穿电压Ub与气体压力p、间隙d之间关系的定律。当时,人们并不知道气体的电正性,它在后来被验证,巴申定律也适用于电负性气体。

大多数检验巴申定律的实验是在控制低气压和小间隙的条件下进行的,其中电场的均匀程度,即Schwaiger因子η,可以很容易地在均匀电场中保持不变。

从均匀到极不均匀的过渡过程中有一个稍不均匀场的电场分布情况,大气压下Schwaiger系数在0.25≤η<1的范围内,均匀电场中的电介质特性与稍不均匀场很相似。

为了解释此曲线的形状,可以考虑固定间距(d=常数)的间隙,并且让气压从曲线右边下降到最小值。当气压降低时,气体的密度降低,因此降低了向阳极进行中电子与分子碰撞概率。

由于每次碰撞损失能量,弱电场强度或低压损耗足以提供给电子足够的动能,使其发生电离碰撞,并最终导致击穿。

当达到最小击穿电压且气压继续减小时,气体的密度变得很低,碰撞发生很少。在这种情况下,即使电子的动能大于电离所需能量,电子碰撞也不一定能电离分子。通过电子碰撞引起的电离成功的概率大大减少。

换言之,电子电离的有限机会取决于它的能量。只有通过增加电场强度使电离概率增大,击穿才能发生。这解释了为何击穿电压在左边有最小值。

在低压下,出现高真空条件。因此,此区域的现象是适用于高压真空管和开关的。在这些条件下,电极材料的击穿电压效应起着重要的作用。巴申定律不适应于曲线最左侧部分。




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