齐纳击穿 为什么PN结薄会产生强电场

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物理理工学科~

不矛盾,电流与磁极的关系不是电流从N极或S极流入,而是遵从安培定则。
安培定则也叫右手螺旋定则,是表示电流和电流激发磁场的磁感线方向间关系的定则。通电直导线中的安培定则(安培定则一):用右手握住通电直导线,让大拇指指向电流的方向,那么四指的指向就是磁感线的环绕方向;通电螺线管中的安培定则(安培定则二):用右手握住通电螺线管,让四指指向电流的方向,那么大拇指所指的那一端是通电螺线管的N极。
一图中,电流从正极流向负极时,是铁芯上方垂直纸面向里,铁芯下方垂直纸面向外。根据安培定则左端为N级。
二图中,虽然没有图但是,上端为N极,可以根据安培定则推出,电流方向是铁芯右方垂直纸面向里,铁芯左方垂直纸面向外。


如图所示

当PN结反向偏压时,电场是被加宽与电场的外部电场的作用下的耗尽区中的方向一致,以使势垒加强; PN结正向偏置,内部电场E削弱屏障宽度减小,这将帮助更多的孩子迅速蔓延正向电流I上升与外加电压的增加,PN结显示为一个小电阻。


潮阳区13731491530: 齐纳击穿 为什么PN结薄会产生强电场在高掺杂的情况下,因耗尽层宽度很小,“不大的反向电压就可在耗尽层形成很强的电场”,而直接破坏共价键,使... -
店盲爱欣:[答案] 当PN结反向偏压时,电场是被加宽与电场的外部电场的作用下的耗尽区中的方向一致,以使势垒加强; PN结正向偏置,内部电场E削弱屏障宽度减小,这将帮助更多的孩子迅速蔓延正向电流I上升与外加电压的增加,PN结显示为一个小电阻.

潮阳区13731491530: 为什么pn结击穿电压随掺杂浓度升高而降低?
店盲爱欣: 齐纳击穿通常发生在掺杂浓度很高的PN结内.由于掺杂浓度很高,PN结很窄,这样即使施加较小的反向电压(5V以下),结层中的电场却很强(可达左右).在强电场作用下,会强行促使PN结内原子的价电子从共价键中拉出来,形成"电子一空穴对",从而产生大量的载流子.它们在反向电压的作用下,形成很大的反向电流,出现了击穿.显然,齐纳击穿的物理本质是场致电离. 采取适当的掺杂工艺,将硅PN结的雪崩击穿电压可控制在8~1000V.而齐纳击穿电压低于5V.在5~8V之间两种击穿可能同时发生

潮阳区13731491530: 雪崩和齐纳击穿有什么用 -
店盲爱欣: 雪崩击穿和齐纳击穿的作用: 1、雪崩击穿的具体作用:材料掺杂浓度较低的PN结中,当PN结反向电压增加时,空间电荷区中的电场随着增强.这样通过空间电荷区的电子和空穴,就会在电场作用下,使获得的能量增大. 在晶体中运行的电子...

潮阳区13731491530: 稳压二极管 温度系数 PN结击穿电压 模电 -
店盲爱欣: 齐纳击穿发生在高掺杂浓度的PN结中,当PN结的掺杂浓度很高时,阻挡层很薄,载流子在阻挡层内与中性原子相碰撞的机会极小,因而不容易发生碰撞电离.但是,在这种阻挡层内,只要加上不大的反向电压,就能建立很强的电场,足以把阻...

潮阳区13731491530: 二极管击穿的解释雪崩击穿和齐纳击穿的解释是什么!?
店盲爱欣: 雪崩击穿: 材料掺杂浓度较低的PN结中,当PN结反向电压增加时,空间电荷区中的电场随着增强.这样通过空间电荷区的电子和空穴就会在电场作用下获得能量增大,...

潮阳区13731491530: PN结在热激发下如何变化(主要是宽度变化) -
店盲爱欣: 对于N型半导体,自由电子是多数载流子(多子)——杂质原子提供,空穴是少数载流子(少子)——热激发形成;而P型半导体,空穴是多子——掺杂形成,自由电子是少子——热激发形成.多子的数量与掺杂浓度有关,高掺杂则多子数量多...

潮阳区13731491530: 什么是雪崩二极管 -
店盲爱欣: 雪崩击穿是指pn结内做漂移运动的少子受强电场的加速作用获得很大的动能,当它与结内原子碰撞时,把其中的电子撞出来,产生新的电子空穴对,新产生的电子空穴对在电场的作用下,又去撞击其他的原子,这样下去,就像雪崩一样.这种情况一般发生在掺杂浓度较低,外加电压较大的情况下 齐纳击穿是由于PN结中掺杂浓度高,形成的PN结很窄,即使是电压很低(5v一下)的情况下,结内电场也非常强,它可以把结内电子从共价键中拉出来引起反向电流的剧增 我这答案不采纳,可就伤我心了啊!!!各位

潮阳区13731491530: 什么叫做PN结的击穿与击穿电压?什么叫做PN结的击穿与击穿电压,
店盲爱欣: 这是关系到pn结基本原理的问题,在一般的电路书籍中不会讲到. (1)“在高掺杂的... 就很容易发生隧道效应(是一种量子效应),即产生齐纳击穿.因此,还没有产生雪...

潮阳区13731491530: 二极管,三级管,场效应管中那些击穿后会造成永久性的损坏? -
店盲爱欣: pn结的击穿从机理上可分为雪崩击穿、隧道击穿和热电击穿三类. 前两者一般不是破坏性的,如果立即降低反向电压,pn结的性能可以恢复;如果不立即降低电压,pn结就遭到破坏.pn结上施加反向电压时,如没有良好散热条件,将使结的...

潮阳区13731491530: 齐纳二极管中为什么雪崩击穿的反向击穿电压值具有正温度系数 -
店盲爱欣: 我来试一试😂(为什么雪崩击穿的反向击穿电压值具有正温度系数) 分一下几个过程: 1、温度升高,晶格的热振动加剧,使载流子运动的平均自由程缩短;(也可以从迁移率下降来理解) 2、平均自由程缩短就相当于加速跑道缩短了,而如果加速度(外加电压)不变的话,就达不到碰撞电离的速度(雪崩击穿); 3、那如果要达到碰撞电离的速度,我们就需要提高外界电压(即提高加速度),也就是雪崩击穿电压变大了; 4、综上,温度升高导致雪崩击穿电压升高,即具有正温度系数.

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