硅太阳能电池生产流程

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硅太阳能电池的制造过程通常涉及在高质量硅片上制作,这种硅片由提拉或浇铸的硅锭切割而来,厚度一般在350至450微米之间。然而,这种方法在材料利用上并不高效,因此,多晶硅薄膜电池的制备通常采用化学气相沉积技术,如低压化学气相沉积(LPCVD)和等离子增强化学气相沉积(PECVD)。


在这些工艺中,反应气体主要包括SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4和SiH4,它们在保护气氛下反应生成硅原子,沉积在预热的基底上,基底材料如硅、二氧化硅或硅氮化物。然而,非硅基底上的硅生长面临挑战,难以形成大晶粒且容易产生空隙。为解决这个问题,先通过LPCVD在基底上沉积一层非晶硅薄层,然后退火处理以形成较大晶粒,随后在此晶粒上沉积厚的多晶硅薄膜。在这个过程中,再结晶技术至关重要,如固相结晶法和中区熔再结晶法的使用,显著提升了薄膜电池的性能。


多晶硅薄膜电池不仅运用了再结晶技术,还借鉴了单晶硅太阳能电池的大部分制备技术,这使得电池的转化效率大大提高。总的来说,硅太阳能电池的制造过程是一系列精细的化学和物理步骤的结合,旨在最大限度地提高能源转化效率和材料利用率。


扩展资料

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