TFT-LCD是什么？能详细介绍下吗？

手机屏幕的LCD材质和TFT材质有什么不同？哪种好一些？~

这个问题可能有点混淆。
目前市面主流的手机，笔记本，电脑，电视都是TFT-LCD。
当然LCD是液晶显示器件，里面包含有源和无源器件两种（也就是有无电荷保持功能）
TFT是薄膜晶体管的意思，它是有源器件，可以控制充放电和保持电荷。
具体的原理非常简单。很多介绍。
所以最终答案就是TFT-LCD现在来看就是一码事。
当然还有忽悠LED电视LCD电视的。这个纯粹是乱说。。。
实际上LCD电视现在是CCFL（灯管）和LED两种。

　　TFT LCD其实就是一种中底端的液晶显示屏~他早期在笔记本计算机上使用现在大量用在手机~MP3~MP4~等电子产品上~!
　　TFT LCD技术是微电子技术和LCD技术巧妙结合的高新技术。利用微电子精细加工技术和Si材料处理技术，开发大面积玻璃基板上生长Si材料和TFT平面阵列的工艺技术，与日益成熟的LCD制作技术相结合，不断提高产品的显示品质，增强自动化大规模生产能力，大幅度地提高产量，提高合格率，降低成本，性能/价格比向CRT接近。

　　---- 在显示品质方面，以分辨率为例，由CGA（320×200）、VGA（640×480）、SVGA（800×600）、XGA（1024×768）、SXGA（1280×1024）到UXGA（1600×1200），大约7年时间。图1表示TFT LCD分辨率发展速度，基本符合摩尔定律。说明TFT LCD发展速度和计算机芯片发展速度一致，这正是TFT LCD与计算机适配性和发展速度的同步性。

　　---- 表1 各种引线技术


　　最小间隙（μm） 分辨率（线/英寸） 成本（美元/块）
　　COB 280 100 380
　　TAB 170 150 190
　　COG 60 400 110
　　集成技术 25 1000 30

　　---- 为进一步提高TFT LCD分辨率，要减小TFT尺寸，并保证开口率，同时涉及到引线技术的有限性。表1列出当前采用各种引线技术的引线密度。为了解决高分辨率显示，只好采用p-Si材料，把周边驱动的电路集成到屏上。高温多晶硅技术已实现周边驱动电路集成到LCD屏上，应用于投影显示。但多晶硅生产温度高于1000℃，衬底用石英基板，石英板成本高。因此，人们研究开发在玻璃衬底上生长低温p-Si技术，有低压PECVD技术可在玻璃衬底上生长p-Si，还有把a-Si材料重结晶成p-Si，如有金属诱导生长法和激光退火法。当前，低温p-Si TFT LCD的大规模生产，主要采用XeCl准分子激光退火（ELA）技术。用PECVD法在400×500mm2玻璃基板上生长50nm厚度a-Si薄膜，用激光退火重结晶得到如图2所示的p-Si晶粒[1]，图中照片表示不同晶粒大小的扫描电镜形貌。晶粒小于0.3μm时，迁移率与晶粒大小很密切，大于0.3μm开始，空穴迁移率几乎不变，这表明在ELA过程中形成的浅能级陷阱束缚空穴。电子迁移率晶粒尺寸变大，缓慢增加，迁移率为100～200cm2/vs。为了得到均匀的TFT开关特性，p-Si晶粒尺寸控制在1μm左右。

　　---- 图3表示C-MOS结构周边驱动集成电路的n沟道和p沟道p-Si TFT断面图。在玻璃衬底上涂SiN/SiO2层，防止玻璃中碱金属浸入到Si有源层，低电阻合金作为栅极和栅线。防止ELA过程中融蚀a-Si层，在a-Si中H浓度控制在1原子%左右。在n沟道TFT中采用轻掺杂漏极（LDD）结构改善了可靠性和降低暗电流。图4给出n沟道和p沟道TFT I-V特性。沟道宽度（W）和长度（L）分别为9μm和4.5μm，电子和空穴迁移率分别为μn=236cm2/vs和μp=120cm2/vs,阈

·TFT-LCD的概述
TFT(ThinFilm Transistor)LCD即薄膜场效应晶体管LCD，是有源矩阵类型液晶显示器(AM-LCD)中的一种。
· TFT=Thin-FilmTransistor=薄膜晶体管
· LCD=Liquid-CrystalDisplay=液晶显示器
· TFT-LCD（Thin FilmTransistor-liquid Crystal Display），薄膜电晶体液晶显示屏，诞生于1960年，经过不断的改良，于1991年正式应用于商业化笔记型电脑，随着工艺技术的逐步成熟，目前TFT-LCD在各个应用领域正逐步取代CRT产品，成为显示技术之主流。

· 液晶显示屏的优点就是耗电小、工作电压低、解析度高、无辐射、显示屏本身比较轻薄、便于携带、使用寿命长等，由于具有这些优点，所以在很多领域得到广泛应用，如：电视机、显示器、笔记本电脑、手机、卫星导航、PDA等。

液晶平板显示器，特别TFT-LCD，是目前唯一在亮度、对比度、功耗、寿命、体积和重量等综合性能上全面赶上和超过CRT的显示器件，它的性能优良、大规模生产特性好，自动化程度高，原材料成本低廉，发展空间广阔，将迅速成为新世纪的主流产品，是21世纪全球经济增长的一个亮点。

主要特点
和TN技术不同的是，TFT的显示采用“背透式”照射方式——假想的光源路径不是像TN液晶那样从上至下，而是从下向上。这样的作法是在液晶的背部设置特殊光管，光源照射时通过下偏光板向上透出。由于上下夹层的电极改成FET电极和共通电极，在FET电极导通时，液晶分子的表现也会发生改变，可以通过遮光和透光来达到显示的目的，响应时间大大提高到80ms左右。因其具有比TN-LCD更高的对比度和更丰富的色彩，荧屏更新频率也更快，故TFT俗称“真彩”。

TFT-LCD的主要特点是为每个像素配置一个半导体开关器件。由于每个像素都可以通过点脉冲直接控制。因而每个节点都相对独立，并可以进行连续控制。这样的设计方法不仅提高了显示屏的反应速度，同时也可以精确控制显示灰度，这就是TFT色彩较DSTN更为逼真的原因。

应用
目前，绝大部分笔记本电脑厂商的产品都采用TFT-LCD。早期的TFT-LCD主要用于笔记本电脑的制造。尽管在当时TFT相对于DSTN具有极大的优势，但是由于技术上的原因，TFT-LCD在响应时间、亮度及可视角度上与传统的CRT显示器还有很大的差距。加上极低的成品率导致其高昂的价格，使得桌面型的TFT-LCD成为遥不可及的尤物。

不过，随着技术的不断发展，良品率不断提高，加上一些新技术的出现，使得TFT-LCD在响应时间、对比度、亮度、可视角度方面有了很大的进步，拉近了与传统CRT显示器的差距。如今，大多数主流LCD显示器的响应时间都提高到50ms以下，这些都为LCD走向主流铺平了道路。

·TFT-LCD的主要优点
随着TFT技术的成熟，彩色液晶平板显示器迅速发展，不到10年的时间，TFT-LCD迅速成长为主流显示器，这与它具有的优点是分不开的。主要特点是：

（1）使用特性好：低压应用，低驱动电压，固体化使用安全性和可靠性提高；平板化，又轻薄，节省了大量原材料和使用空间；低功耗，它的功耗约为CRT显示器的十分之一，反射式TFT-LCD甚至只有CRT的百分之一左右，节省了大量的能源；TFT-LCD产品还有规格型号、尺寸系列化，品种多样，使用方便灵活、维修、更新、升级容易，使用寿命长等许多特点。显示范围覆盖了从1英寸至40英寸范围内的所有显示器的应用范围以及投影大平面，是全尺寸显示终端；显示质量从最简单的单色字符图形到高分辨率，高彩色保真度，高亮度，高对比度，高响应速度的各种规格型号的视频显示器；显示方式有直视型，投影型，透视式，也有反射式。

（2）环保特性好：无辐射、无闪烁，对使用者的健康无损害。特别是TFT-LCD电子书刊的出现，将把人类带入无纸办公、无纸印刷时代，引发人类学习、传播和记栽文明方式的革命。
文章来于TFT液晶屏：http://www.hzjingxian.com

（3）适用范围宽，从-20℃到+50℃的温度范围内都可以正常使用，经过温度加固处理的TFT-LCD低温工作温度可达到零下80℃。既可作为移动终端显示，台式终端显示，又可以作大屏幕投影电视，是性能优良的全尺寸视频显示终端。

（4）制造技术的自动化程度高，大规模工业化生产特性好。TFT-LCD产业技术成熟，大规模生产的成品率达到90%以上。

（5）TFT-LCD易于集成化和更新换代，是大规模半导体集成电路技术和光源技术的完美结合，继续发展潜力很大。目前有非晶、多晶和单晶硅TFT-LCD，将来会有其它材料的TFT，既有玻璃基板的又有塑料基板。

TFT-LCD技术研究现状
分辨率：TFT-LCD的分辨率在近几年中经由CGA( 320 * 2 00),VGA( 640 * 4 80),SVGA (1280 * 1024)。
XGA (1024 * 768). SXGA (1280 * 1024)发展到目前的UXGA (1600 * 1200)、QXGA (2560 * 2048)的水平。

对比度：美国P.P.Muhoray等人推出了波导基LCD技术，并利用这种技术实现了174:1的高对比度，而现在的TFT-LCD对比度最高可达到500:1。

视角： 由于液晶材料是各向异性的，其分子排列的取向及在电场作用下的重新排列取得均匀影响LCD器件视角的拓宽，这就造成了LCD器件视角上的缺点，现已提出多种宽视角技术，如同平面切换模式、相对称微单元模式、畴垂直模式等，视角可达到170度。

响应速度:当帧频为60% 时，帧周期约为16ms,采用TN型LCD的普通TFT-LCD器件的响应时间可低于20ms。最近推出了一种利用弹性连续聚合物稳定化的平面开关方法，可使响应时间缩短到10ms，采用光学补偿带可将响应时间缩短到2～3ms，目前已用本技术研制出响应时间为8ms的彩色LCD电视机。

寿命：由于制造技术的发展，TFT-LCD的寿命可达到3万小时以上。
大屏幕和反射式己出现:已研制成功38in的TFT-LCTV，结束了大屏幕LC的拼接时代，反射式TFT-LCD彩色显示器也开始商品化。
由于TFT制作技术的发展、液晶材料性能的改善、宽视角技术的采用、响应速度的提高和成品率的提高，TFT-LCD显示性能已并不亚于CRT。

·TFT型液晶显示器结构
通常的a-Si TFT主要由玻璃基板、栅电极、栅绝缘层、半导体活性层a-Si,欧姆接触层n+a-Si、源漏电极及保护膜等组成，其中栅绝缘层和保护膜一般采用SiN。

a-Si TFT 的结构可分为四种典型结构：源、漏、栅三电极位于半导体活性层a-Si同一侧的平面结构，其中源、漏、栅三电极位于a-Si层上侧的称正栅平面结构，源、漏、栅三电极位于a-Si层下侧的称倒栅平面结构；源、漏、电极与栅电极位于a-Si层两侧的交错结构，其中栅电极在a-Si层上侧，源、漏电极在a-Si层下侧的称正栅交错结构或顶栅结构，栅极在a-Si下侧，源、漏电极在a-Si层上侧的称倒栅交错结构或底栅结构。

从制造工艺上看，交错结构的SiN，a-Si和n+a-Si三层(或其中二层)可以连续淀积，适合流水作业，又可减少交叉污染。现在，交错结构已成为主流，它不仅对a-Si，SiN。n+a-Si可连续作业，而且倒栅还可以作遮光层(不需另设遮光层)，这对a-Si TFT是重要的，因为a-Si对光敏感，一旦有光流入引起漏电流增加，将会导致像质恶化。

TFT型液晶显示器原理
从TFT-LCD的切面结构图（上图）可以看到LCD是由二层玻璃基板夹住液晶组成的，形成一个平行板电容器，通过嵌入在下玻璃基板上的TFT对这个电容器和内置的存储电容充电，维持每幅图像所需要的电压直到下一幅画面更新。液晶的彩色都是透明的必须给LCD衬以白色的背光板上才能将五颜六色表达出来，而要使白色的背光板有反射就需要在四周加上白色灯光。因此在TFT-LCD的底部都组合了灯具，如CCFL或LED。

TFT-LCD需要背光，由于LCD面板本身并不发光，因此需要背光，液晶显示器就必须加上一个背光板, 来提供一个高亮度，而且亮度分布均匀的光源。LCD实际上是打开来自其后面光源的光来表现其色彩的。目前的常用背光源是CCFL或LED。

TFT-LCD驱动原理
一个TFT元件就相当于一个电控开关，扫描线（栅极）控制开关的打开和闭合，数据线（源极）提供液晶显示不同亮度所需要的灰阶电压。当在扫描线（栅极）上施以高电压时，TFT元件打开，灰阶电压就能从数据线（源极）进入像素电极（漏极），并经由透明像素电极施加于液晶层上，改变液晶的站立角度从而显示预定灰阶。

整个TFT-LCD面板的显示区域就是由数百万个独立TFT元件控制的像素矩阵构成。如下图，当扫描线打开第三行像素时，数据线会将第三行像素所需要的灰阶电压写入，然后关闭第三行，使其处于电压保持状态，同时打开第四行扫描线，写入第四行像素所需的灰阶电压，完成写入后关闭第四行，并开启第五行像素，依序逐行写入面板各行像素所需灰阶电压。

TFT-LCD 制程相关简要

tft-lcd是薄膜晶体管液晶显示器英文thin film transistor-liquid crystal display字头的缩写。 tft-lcd技术是微电子技术与液晶显示器技术巧妙结合的一种技术。人们利用在si上进行微电子精细加工的技术，移植到在大面积玻璃上进行tft阵列的加工，再将该阵列基板与另一片带彩色滤色膜的基板，利用与业已成熟的lcd技术，形成一个液晶盒相结合，再经过后工序如偏光片贴覆等过程，最后形成液晶显示器。

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