双极晶体管的电流输运图
其工作原理（对于PNP型器件，则需要将两组电源极性反接）， 其中基极加0.6V左右的正向偏压，集电极加高得多的反向偏压（数十至数百伏）。发射结通过的电流，是由发射区注入到基区的电子形成的，这些电子的小部分在基区与空穴复合成为基极电流Ib，其余大部分均能扩散到集电结而被其电场收集到集电区，形成集电极电流Ic。器件具有放大作用（倍数β=Ic/Ib）；在截止区，器件几乎不导电；在饱和区，器件的饱和压降仅在1～2V上下(因饱和区妭CE太小，集电结电子收集效率很低，器件失去放大作用)。
一、单极型晶体管
在目前使用的pnp或npn面结型晶体管的工作中，包括金属-氧化物-半导体晶体管在内的场效应晶体管，只需要一种载流子，这种晶体管就叫做单极晶体管。单极晶体管即场效应晶体管，因为场效应晶体管在工作时，半导体中只有多数载流子起主要作用，所以又称为单极晶体管。
二、双极型晶体管
晶体管全称双极型三极管(Bipolar junction transistor，BJT)又称晶体三极管，简称三极管，是一种固体半导体器件，可用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等。
晶体管作为一种可变开关．基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可用作电流的开关。和一般机械开关(如Relay、switch)不同的是：晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度非常快，在实验室中的切换速度可达100吉赫兹以上。
扩展资料
双极型晶体管与MOSFET的比较：
1、驱动功率不同
场效应管是压控器件，其栅源极输入阻抗极高，只需要在栅源极间建立电场，即可控制漏源极电流。栅极驱动电压仅在输入端栅源极电容之间建立充电电流，而不直接驱动IDS。
因此，其输入阻抗与电子管相近，这就使得MOSFET器件驱动电路大大简化，用CMOS器件、TTL 器件等均可以组成栅极驱动电路，使整机功耗减小。
2、二次击穿现象不同
二次击穿是指由于双极型晶体管具有正温度系数特性，集电极电流产生的温升使集电极电流上升，如此恶性循环，造成晶体管热击穿。功率MOS管电流IDS为负温度系数，随着温度的升高，电流受到限制，因此不会发生二次击穿现象，安全工作区较双极型器件也更宽。
3、并联使用不同
为了增大MOSFET的工作电流，可以把多个MOS管并联使用。功率MOS器件的导通电阻RDS(ON)具有正温度系数，随着温度的升高，导通电阻也越大。这种特性使得MOS管容易并联，并且在并联使用时漏极电流具有自动均流作用，不必外加均流电阻。
4、开关速度不同
场效应管是一种由多数载流子参与导电的单极型器件，通过控制栅源电压控制产品的开关，无少子存储问题，因而关断过程非常迅速；当驱动脉冲截止时，只要利用简单的放电电路将栅源电容的充电电荷释放即可立即关断。
相比双极型晶体管，功率MOS管具有输入阻抗高、驱动电流小的优点，还具有耐压高、输出功率高、跨导线性好、无二次击穿等优良特性，能够有效提高系统效率、减小设备体积，因此在开关电源、逆变器、功率放大器等电路中使用广泛。
参考资料来源：百度百科-单极晶体管
参考资料来源：百度百科-双极型晶体管
晶体管的放大基本上是这样：
1、条件：发射结正偏，集电结反偏。
三极管的特殊结构：基区最薄，浓度最低，发射区浓度最高，集电区面积最大。
2、工作过程：（以你的PNP型为例）
（1）发射结正偏（发射极电压>基极电压，电场方向从发射极指向基极，空穴带正电，在此受电场力作用，会向基极移动），发射结中的空穴在电场力作用下，向基区移动，很快越过发射结到达基区；这部分也就形成了发射极电流
（2）基区很薄，且浓度很低，这样大量的空穴无法与电子复合（没有那么多电子，复合的这部分，形成了基极电流），再加上基区薄，绝大部分空穴一直可以运动到集电结边缘。
（3）集电结反偏（基极电压>集电极，电场方向从基极指向集电极），这样空穴在电场力作用下，会继续越过集电结，到达集电极，并在那里与电子复合（复合的这部分形成了集电极电流）。
所以你可以看出来，这里的电流规律就是，发射极电流=基极电流+集电极电流。
3、几个影响因素：
（1）发射极的浓度，决定了发射载流子能力，只有载流子发射得越多，放大倍数才可能越高；
（2）基区的宽度绝对不能大，否则载流子很难到达集电结边缘。同时如果基区浓度过大的话，会造成载流子在基区被大量复合，也是会影响放大倍数的。
（3）集电极的面积一定要大，只有它接收和复合的载流子越多，放大能力才会高（其实就是三极管放大倍数贝塔的来由）。
4、再回答你的问题：
这里的集电区分成了两部分，一部分是P外延，这部分除了复合过来的空穴外，还有减速的作用，没有这部分，有的空穴就跑出去了。最后一部分P+（所有带+的，都是指掺杂的浓度比较大的地方），意味着高浓度的P区，这是复合空穴的主力。
最后剩下一个问题，我还没研究清楚，就是B的地方，为什么有个N+，这个问题我回去再想想。
以上主要是放大，截止的话就意味着三极管关断，不通。饱和的话，就相当于发射极电流极大，释放出了大量的载流子，而此时集电极根本无法复合，因此放大倍数很小，但电流很大，是一种比较强的导通状态，此时基极电流强度和集电极电流之间不存在线性比例关系。
PS：你的图片蛮好的，是哪个课件上的？要不发我吧，527714734@qq.com
基于有机晶体的自旋电子器件有哪些
这种器件可用于磁存储、传感器和自旋逻辑等应用。2、有机自旋场效应晶体管(OrganicSpinField-EffectTransistor,OSFET)：OSFET利用有机半导体材料中的自旋载流子来控制电流的流动，从而实现自旋导致的输运效应。它可以用于信息存储、传感器和逻辑电路等领域。3、有机自旋LED(OrganicSpinLight-EmittingDiode,OSLED)...
5nm发热为什么那么厉害
5nm发热那么厉害是因为制程工艺越先进，芯片上晶体管的直径就越小，能够集成晶体管的数量就越多，所以那么厉害。发热量就越大，当然性能也就越先进，而5纳米处理器已经是当前很先进的制程工艺了。所以集成的晶体管数量也就很多，这些晶体管工作起来的热量就很大。所以现在手机大都在内部布置散热片，把手机...
梁文杰的主要研究方向及成果
阐述了电子电子强关联环境中的特殊电导现象，为进一步研究小尺度极限下的物理规律和未来电子器件规律拓展了思路。梁文杰教授对多功能半导体纳米线，离子纳米通道的控制和应用方面也有广泛涉猎,梁教授及他的研究小组主要集中在新型纳米系统以及单个分子构成的晶体管中电子输运性质的研究。并在相关领域取得了多项...
超导体的作用
它是在20T稳态强磁场中研究金属-氧化物-半导体场效应晶体管输运过程时观测到的。近年来,有关强磁场下物理工作的文章对每个强磁场实验室来说平均每年都在上百篇,其中有很多重要的科学发现。目前的发展趋势普遍是将凝聚态物理学领域中前沿的研究对象如高温超导材料、纳米材料、低维系统等同强磁场极端条件相结合加以研究...
介观物理学的特征和现象
谐振隧穿三级管中的电子输运如同普通晶体管一样,谐振隧穿三级管也是一种具有电流和电压放大作用和功率增益的高速逻辑器件,谐振隧穿NPN双极型三级管是一种典型的谐振隧穿器件.其中基区为P型掺杂,发射区和集电区为N型掺杂,基极和发射极间的电压用于调节发射区中电子能量与量子阱中量于能级之差.以控制从发射区穿过...
三极管交流放大电路,VCC=3V 基极电压一般取多少???
现代使用最广的是以晶体管（双极型晶体管或场效应晶体管）放大电路为基础的集成放大器。大功率放大以及高频、微波的低噪声放大，常用分立晶体管放大器。高频和微波的大功率放大主要靠特殊类型的真空管，如功率三极管或四极管、磁控管、速调管、行波管以及正交场放大管等。放大电路的前置部分或集成电路元件...
钨的量子效率公式是什么?
这种器件在室温下的工作情况如下:发光峰值能量在1.7eV到2.0eV的范围,发光的阈值电压为2V,电流密度10mA\/cm2,最大发光强度1mW\/cm2,最高的外部功率效率0.1%,而且能够连续稳定工作几个星期。 包含了上述LED的微电子集成电路如图8所示,驱动晶体管以共发射极组态连接,由加在基极上的小信号控制LED的电流,从而调制发光...
自旋极化率的相关描述
电子在导体中运动产生电流，对半导体价电子的调制发展起来的晶体管器件，这些都是人们非常熟悉的，是利用了电子电荷属性。电子的自旋属性鲜为人知，这是因为自旋磁矩是有方向性的，通常情况下电子运动过程中自旋的方向是混乱的，显示不出自旋的属性。电子在流动过程中自旋能保持向上或向下的电流称为极化自旋...
影响G80N60输出的是什么,怎么影响的
在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内, Id 与Ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制,其最佳值一般取为15V左右。 IGBT 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。IGBT 处于导通态时,由于它的PNP 晶体管为宽基区晶体管,所以其B 值极低。尽管等效电路为达林顿结构,但流过MOSFET 的电流成为IGBT ...
微电子器件与IC设计基础图书目录
第一版前言 回顾了第一版的背景和目的，强调了其在微电子器件与IC设计领域的基础地位。符号表 提供了本书中使用的专业符号和术语的列表，帮助读者理解和掌握内容。半导体物理基础第1章深入探讨了半导体材料的构成与特性，包括电子行为和载流子输运。1.1.1-1.1.2半导体材料的原子结构与晶体结构1.2.1-...
储姬可明： 输出特性就是输出端的电压与电流的关系,不管是电子管,双极型晶体管,场效应管都是这个概念. 这些特性以曲线方式表示,画到图上就是所谓输出特性曲线.这些曲线与另一个参数(电子管的栅极电压,晶体管的基极电流)有关,所以往往是一组曲线.
马尔康县17041405350： 什么是单极型晶体管和双极型晶体管? - ？
储姬可明： 一、单极型晶体管 单极型晶体管也称场效应管,简称FET(Field Effect Transistor).它是一种电压控制型器件,由输入电压产生的电场效应来控制输出电流的大小.它工作时只有一种载流子(多数载流子)参与导电,故称为单极型晶体管. 特点...
马尔康县17041405350： 双极晶体管的工作原理 - ？
储姬可明： 双极型晶体管是一种电流控制器件,电子和空穴同时参与导电.同场效应晶体管相比,双极型晶体管开关速度慢,输入阻抗小,功耗大.双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高,已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自控装置、电子仪器、家用电器等领域,起放大、振荡、开关等作用. 晶体管:用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域,并形成两个PN结,就构成了晶体管.
马尔康县17041405350： 双极型晶体管与场效应晶体管有何区别? - ？
储姬可明： Bipolar-junction transistor(BJT) -----双极型晶体管1.电流控制电流的流控器件2.有两种载流子参与导电过程(这也是为什么叫双极型的原因),多子是电子,少子是空穴(以NPN型举例),少子容易受温度影响,热稳定性差3.输入输出回路皆...
马尔康县17041405350： 双极型晶体管 电流从C到E - ？
储姬可明： 三极管不是简单两个pn结和在一起,既不能看做两个二极管串联 因为三极管必须要满足两条件: 1. E区 (发射结)高参杂,B区(基区)低参杂; 2. B区 要作的很薄; 对npn管 电流形成过程(放大状态时)如下: 1)首先 E区 加正偏电压 (...
马尔康县17041405350： 请问双极型晶体管是什么意思呀!(那双极型) - ？
储姬可明： 双极型就是电子和孔穴都参加电流形成的意思.反义词呢就是单极型,这个是电子和孔穴之中只有一个参加电流形成的意思.晶体管是拥有三个电极和两个pn结的半导体器件,有两种双极型晶体管就是npn和pnp.
马尔康县17041405350： 双极型晶体管的电流都怎么回事? - ？
储姬可明： A电流控制器件 这个原因就是由于双极型晶体管是利用载流子数量不同来实现放大的,简单的说就是在双极型晶体管中由于参杂有大量的载流子,所以大量的载流子出现使得电流实现了放大,因此属于电流控制器件.电压控制元件是单极型的晶体管,即场效应管.
马尔康县17041405350： 请介绍一下绝缘栅双极型晶体管的特性及其用途? - ？
储姬可明： 绝缘栅双极晶体管缩写IGBTIGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化.由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的...
马尔康县17041405350： 为什么双极型晶体管的速度比MOS管高? - ？
储姬可明： 双极型晶体管即BJT. 因为器件的速度主要决定于对电容的充放电时间常数,这与电容本身的大小有关,也与电流的大小有关.一般,BJT的电流较大于MOSFET,所以BJT的速度高于MOSFET. 不过现在MOSFET的尺寸已经大大缩小了,相应的电容也得到很大减小,所以,即使充电电流不大,其对电容的充放电时间常数也可能很短,所以这时BJT的速度就不一定高于MOSFET了.
马尔康县17041405350： 绝缘栅双极晶体管的IGBT的结构与工作原理 - ？
储姬可明： 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构, N+ 区称为源区,附于其上的电极称为源极.N+ 区称为漏区.器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极.沟道在紧靠栅区边界形成.在漏、源之间的P 型区(包括P+ 和P 一区)(沟道...
