可控硅过电流的原因及保护方法?
可控硅过电流保护主要有:快速熔断器保护、过电流继电器保护和过流截止保护等
晶闸管元件的主要弱点是承受过电流和过电压的能力很差,即使短时间的过流和过电压,也可能导致晶闸管的损坏,所以必须对它采用适当的保护措施。1. 过电流保护晶闸管出现过电流的主要原因是过载、短路和误触发。过电流保护有以下几种:快速容断器 快速容断器中的溶丝是银质的,只要选用适当,在同样的过电流倍数下,它可以在晶闸管损坏前先溶断,从而保护了晶闸管。过电流继电器 当电流超过过电流继电器的整定值时,过电流继电器就会动作,切断保护电路。但由于继电器动作到切断电路需要一定时间,所以只能用作晶闸管的过载保护。过载截止保护 利用过电流的信号将晶闸管的触发信号后移,或使晶闸管得导通角减小,或干脆停止触发保护晶闸管。 2. 过电压保护过电压可能导致晶闸管的击穿,其主要原因是由于电路中电感元件的通断、熔断器熔断或晶闸管在导通与截止间的转换。对过压保护可采用两种措施阻容保护 阻容保护是电阻和电容串联后,接在晶闸管电路中的一种过电压保护方式,其实质是利用电容器两端电压不能突变和电容器的电场储能以及电阻使耗能元件的特性,把过电压的能量变成电场能量储存在电场中,并利用电阻把这部分能量消耗掉。
闸管装置中可能采用的几种过电流保护措施:
1、交流进线串接漏抗大的整流变压器
利用电抗限制短路电流,但此种方法在交流电流较大时存在交流压降。
2、电检测和过流继电器
电流检测是用取样电流与设定值进行比较,当取样电流超过设定值时,比较器输出信号使移相角增大或拉逆变以减少电流。有时须停机。
3、直流快速开关
对于变流装置功率大且短路可能性较多的场合,可采用动作时间只有2ms的直流快速开关,它能够先于快速熔断器断开而保护了晶闸管,但价格昂贵使用不多。
4、快速熔断器
与普通熔断器比较,快速熔断器是专门用来保护电力半导体功率器件过电流的元件,它具有快速熔断的特性,在流过6倍额定电流时其熔断时间小于工频的一个周期(20ms)。
快速熔断器可接在交流侧、直流侧或与晶闸管桥臂串联,后者直接效果最好。一般说来快速熔断器额定电流值(有效值IRD)应小于被保护晶闸管的额定方均根通态电流(即有效值)ITRMS即1.57ITAV,同时要大于流过晶闸管的实际通态方均根电流(即有效值)IRMS。
电流的原因可以分为两类:一类是由于整流电路内部原因, 如整流晶闸管损坏, 触发电路或控制系统有故障等 其中整流桥晶闸管损坏类较为严重, 一般是由于晶闸管因过电压而击穿,造成无正、反向阻断能力,它相当于整流桥臂发生永久性短路,使在另外两桥臂晶闸管导通时,无法正常换流,因而产生线间短路引起过电流.另一类则是整流桥负载外电路发生短路而引起的过电流,这类情况时有发生,因为整流桥的负载实质是逆变桥, 逆变电路换流失败,就相当于整流桥负载短路。另外,如整流变压器中心点接地,当逆变负载回路接触大地时,也会发生整流桥相对地短路。 对于第一类过流,即整流桥内部原因引起的过流,以及逆变器负载回路接地时,可以采用接入快速熔短器的保护措施。
对于第二类过流,即整流桥负载外电路发生短路而引起的过电流,则应当采用电子电路进行保护。
...141A,可控硅击穿是什么原因,有人说是电网电压谐波太多,或者不稳 ...
欧陆590C-150A直流调速器的电机功率为55KW,电流为141A。如果发生可控硅击穿的情况,可能是由以下原因引起:1. 过电压:当直流调速器输出的电压超过了硅控整流器可承受的额定电压,可控硅可能受到过大电压冲击而发生击穿。2. 过电流:当直流调速器输出的电流超过了硅控整流器可承受的额定电流,可控硅...
可控硅负载关断问题
极可能是可控硅的漏电流的问题。LED灯的工作电流极小,你串联33K的电阻,工作电流不到1mA,8A的可控硅的漏电流大于1mA的话,你的灯就会正常发光。电压表的内阻也是很高的,一点点感应电都能读出数据,漏电流当然也能测量出来。如果楼主使用1A以下的可控硅,漏电流会小得多,则可能将不会使LED灯发光...
可控硅触发电流不够大的危害
是可控硅工作时候di\/dt过大造成的。di\/dt过大会造成触发极潜在损伤(严重的会彻底损伤),损伤程度不同,对触发电流和耐压的影响...百度知道
镀硬铬用的可控硅整流器的电流波动大的原因
1、观察传感器周围的外部电流大小及电流频率是否法发生波动。1、查看传感器和外部导线之间的距离、外部导线的形状以及位置和传感器内霍尔电极的位置。2、检验安装传感器所使用材料是否有磁性。3、检测所使用的电流传感器有无屏蔽。
可控硅的过电流的保护有哪些?
可控硅过电流保护主要有:快速熔断器保护、过电流继电器保护和过流截止保护等
可控硅击穿后电流电压表的变化
朋友,可控硅击穿后肯定会电流增大,电压下降的。也就是说电流表读数增加,电压表读数减少的。
怎样解决可控硅调压电路中可控硅发热问题
答:1、发热是过电流引起的,选择额定电流大的可控硅 2、改善散热条件(加大散热片面积、加散热风扇等)
可控硅过热怎么办?
相当于一把电烙铁,当然很热,加个散热片就能解决问题,无需更换可控硅。负载应该放在220V的相线上,然后再到可控硅的阳极,经过阴极到零线。这样才能保证无附加电源时的可控硅可靠工作。另外,你需要测量可控硅的阳极与阴极间电压,一般控制在2.4~3V之间,若电压过大,说明触发电流不足,需要加大。
用可控硅控制变压器,阻容保护电路出现短路电流是什么原因
阻容保护电路出现短路电流的原因:保护电路中的电容耐压太低,被击穿短路。在可控硅的控制电路中,常常在可控硅的两端并联RC串接的保护电路,利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。可控硅,是可控硅整流元件的简称,是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件,亦称为晶闸管。具有体积小...
怎样改变可控硅的输出电流
使输出电压降低,因为负载是一定的,负载阻值、阻抗等是一定的,但是随着负载的给入电压的降低,根据电压、阻抗、电流定律。改变可控硅的输出电流的方法:要改变可控硅的输出电流,只能改变其控制电压,即第三端的栅极电压。可控硅的意义在于通断,所以改变他自己的工作电流意义不大。
常皇维瑙: 可控硅容易击穿问题?具体是什么问题,想问什么呢? 可控硅容易击穿有两个原因,一个是工作时的电流过大了,查看一下,负载是不是有短路之处. 二是可控硅的耐压有点低,而实际的工作电压处于可控硅的临界电压,所以,很容易击穿了.可以选耐压更高的可控硅吗.工作电流也尽量选大些的.
郾城区19882936818: 可控硅关了控制电源,还有电流过是为什么 - ?
常皇维瑙: 可控硅第一阳极A1与第二阳极A2间,无论所加电压极性是正向还是反向,只要控制极G和第一阳极A1间加有正负极性不同的触发电压,就可触发导通呈低阻状态.此时A1、A2间压降也约1V.双向可控硅一旦导通,即使失去触发电压,也能继续保持导通状态.只有当第一阳极A1、第二阳极A2电流减小,小于维持电流或A1、A2间当电压极性改变且没有触发电压时,双向可控硅才截断,此时只有重新加触发电压方可导通.
郾城区19882936818: 为什么可控硅整流电路中要采取过电压保护? - ?
常皇维瑙: 在可控硅整流电路的交流输入端、直流输出端及元件上,都接有RC吸收网络或硒堆等过电压保护,因为可控硅的耐受过电压的能力较差,而在交流侧及直流侧会经常产生一些过电压,如电网操作过电压、雷击过电压、直流侧电感负载电流突变时感应过电压、熔断器熔断引起过电压和可控硅换向时过电压等,都有可能导致元件损坏或性能下降,所以要采取过电压保护措施.
郾城区19882936818: 1晶闸管的过电压保护一般采取什么保护措施? - ?
常皇维瑙: 在回路中接入吸收能量的元件,使能量得以消散;或采用电子线路进行保护;以及在回路中接入快速熔断器等.
郾城区19882936818: 可控硅短路如何保护,求方案,?
常皇维瑙: 短路就是电压无限下降,电流无线增大.根据这个可以串个阻性负载,在短路时能量消耗在负载上.或者加限流电阻,把电流控制在安全范围内,供您参考
郾城区19882936818: 双向可控硅在工作时电流突然变大,烧坏加热丝,请求解决办法? - ?
常皇维瑙: 你好:——★1、加热丝负载电路中,双向可控硅输出的电流受输出电压控制,符合欧姆定律的.——★2、加热丝工作时电流突然变大,烧坏,这是双向可控硅输出的电源突然升高所致:触发电路发生了失控.——★3、检查、维修控制电路(特别是触发电路),即可排除故障.
郾城区19882936818: 可控硅的保护电路 - ?
常皇维瑙: 分为控制电路的电子保护和主电路保护.主电路保护常见得有:电流保护和电压保护以及电压上升率保护;控制电路的电子保护一般在检测到异常时进行过流过压过载等保护;主电路的过流保护一般采用串联快速熔断器,过压保护采用并联...
郾城区19882936818: 为什么可控硅能耐高压强电流,而二极管不行,什么原因呢? - ?
常皇维瑙: 工业用可控硅常用于直流电机控制模块的整流,大电流、耐高压,利于直流调速;但是二极管也有大功率的,常用于大型的直流电焊机和充电机的整流模块
郾城区19882936818: 无功补偿装置(晶闸管)有哪些安全注意事项 - ?
常皇维瑙: 使用注意事项选用晶闸管的额定电压时,应参考实际工作条件下的峰值电压的大小,并留出一定的余量.1、选用可控硅的额定电流时,除了考虑通过元件的平均电流外,还应注意正常工作时导通角的大小、散热通风条件等因素.在工作中还...
郾城区19882936818: 有什么方法可以吸收可控硅过电压? - ?
常皇维瑙:加在晶闸管上的正向电压上升率dv/dt也应有所限制,如果dv/dt过大,由于晶闸管结电容的存在而产生较大的位移电流,该电流可以实际上起到触发电流的作用,使晶闸管正向阻断能力下降,严重时引起晶闸管误导通. 为抑制dv/dt的作用,可以在晶闸管两端并联R-C阻容吸收回路.如下图: