TTL和CMOS有啥区别?

TTL与CMOS电路的区别？~

TTL集成电路使用TTL管，也就是PN结。功耗较大，驱动能力强，一般工作电压+5V
CMOS集成电路使用MOS管，功耗小，工作电压范围很大，一般速度也低，但是技术在改进，这已经不是问题。
就TTL与CMOS电平来讲，前者属于双极型数字集成电路，其输入端与输出端均为三极管，因此它的阀值电压是3.4V为输出高电平。
而CMOS电平就不同了，他的阀值电压比TTL电平大很多。而串口的传输电压都是以COMS电压传输的。
1，TTL电平：
输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平
是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是
0.4V。
2，CMOS电平：
1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。而且具有很宽的噪声容限。

3，电平转换电路：
因为TTL和COMS的高低电平的值不一样（ttl 5vcmos 3.3v），所以互相连接时需
要电平的转换：就是用两个电阻对电平分压，没有什么高深的东西。哈哈

4，OC门，即集电极开路门电路，OD门，即漏极开路门电路，必须外界上拉电阻和电源才能
将开关电平作为高低电平用。否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱
动门电路。

5，TTL和COMS电路比较：
1）TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。
2）TTL电路的速度快，传输延迟时间短(5-10ns)，但是功耗大。
COMS电路的速度慢，传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。
COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常
现象。
3）COMS电路的锁定效应：
COMS电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大
。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时，COMS的内部电流能达到40mA以上，很容易
烧毁芯片。
防御措施：
1）在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过不超过规定电压。
2）芯片的电源输入端加去耦电路，防止VDD端出现瞬间的高压。
3）在VDD和外电源之间加线流电阻，即使有大的电流也不让它进去。
4）当系统由几个电源分别供电时，开关要按下列顺序：开启时，先开启COMS电路得电
源，再开启输入信号和负载的电源；关闭时，先关闭输入信号和负载的电源，再关闭COMS

区别：
1、高低电平不同。
TTL高电平3.6~5V，低电平0V~2.4V，CMOS电平Vcc可达到12V 。
3、电路输出电平不同。
CMOS电路输出高电平约为0.9Vcc，而输出低电平约为 0.1Vcc。
4、电路不使用的输入端不同。
CMOS电路不使用的输入端不能悬空，会造成逻辑混乱。
TTL电路不使用的输入端悬空为高电平。
6、电平使用不同。
TTL电平是5V，CMOS电平一般是12V。
7、电路电源电压不同。
TTL电路电源电压是5V，CMOS电路电源电压一般是12V。
TTL简介：
TTL是 Time To Live的缩写，该字段指定IP包被路由器丢弃之前允许通过的最大网段数量。TTL是IPv4包头的一个8 bit字段。
TTL的作用是限制IP数据包在计算机网络中的存在的时间。TTL的最大值是255，TTL的一个推荐值是64。
CMOS简介：
CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor），互补金属氧化物半导体，电压控制的一种放大器件，是组成CMOS数字集成电路的基本单元。
它是指制造大规模集成电路芯片用的一种技术或用这种技术制造出来的芯片，是电脑主板上的一块可读写的RAM芯片。因为可读写的特性，所以在电脑主板上用来保存BIOS设置完电脑硬件参数后的数据，这个芯片仅仅是用来存放数据的。

一、CMOS，全称Complementary Metal Oxide Semiconductor，即互补金属氧化物半导体，是一种大规模应用于集成电路芯片制造的原料。采用CMOS技术可以将成对的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）集成在一块硅片上。该技术通常用于生产RAM和交换应用系统，在计算机领域里通常指保存计算机基本启动信息（如日期、时间、启动设置等）的ROM芯片。
CMOS由PMOS管和NMOS管共同构成，它的特点是低功耗。由于CMOS中一对MOS组成的门电路在瞬间要么PMOS导通、要么NMOS导通、要么都截至，比线性的三极管（BJT）效率要高得多，因此功耗很低。

相对于其他逻辑系列，CMOS逻辑电路具有以下优点:
1、允许的电源电压范围宽，方便电源电路的设计
2、逻辑摆幅大，使电路抗干扰能力强
3、静态功耗低
4、隔离栅结构使CMOS器件的输入电阻极大，从而使CMOS期间驱动同类逻辑门的能力比其他系列强得多

二、全称Transistor-Transistor Logic，即BJT-BJT逻辑门电路，是数字电子技术中常用的一种逻辑门电路，应用较早，技术已比较成熟。TTL主要有BJT（Bipolar Junction Transistor 即双极结型晶体管，晶体三极管）和电阻构成，具有速度快的特点。最早的TTL门电路是74系列，后来出现了74H系列，74L系列，74LS,74AS,74ALS等系列。但是由于TTL功耗大等缺点，正逐渐被CMOS电路取代。

一、CMOS，全称Complementary Metal Oxide Semiconductor，即互补金属氧化物半导体，是一种大规模应用于集成电路芯片制造的原料。采用CMOS技术可以将成对的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）集成在一块硅片上。该技术通常用于生产RAM和交换应用系统，在计算机领域里通常指保存计算机基本启动信息（如日期、时间、启动设置等）的ROM芯片。
CMOS由PMOS管和NMOS管共同构成，它的特点是低功耗。由于CMOS中一对MOS组成的门电路在瞬间要么PMOS导通、要么NMOS导通、要么都截至，比线性的三极管（BJT）效率要高得多，因此功耗很低。

相对于其他逻辑系列，CMOS逻辑电路具有以下优点：
1、允许的电源电压范围宽，方便电源电路的设计
2、逻辑摆幅大，使电路抗干扰能力强
3、静态功耗低
4、隔离栅结构使CMOS器件的输入电阻极大，从而使CMOS期间驱动同类逻辑门的能力比其他系列强得多

二、全称Transistor-Transistor Logic,即BJT-BJT逻辑门电路，是数字电子技术中常用的一种逻辑门电路，应用较早，技术已比较成熟。TTL主要有BJT（Bipolar Junction Transistor 即双极结型晶体管，晶体三极管）和电阻构成，具有速度快的特点。最早的TTL门电路是74系列，后来出现了74H系列，74L系列，74LS,74AS,74ALS等系列。但是由于TTL功耗大等缺点，正逐渐被CMOS电路取代。

希望可以帮到你

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武鸣县15699246485： TTL和CMOS有啥区别? - ？
恽省扶正： 区别: 1、高低电平不同. TTL高电平3.6~5V,低电平0V~2.4V,CMOS电平Vcc可达到12V . 3、电路输出电平不同. CMOS电路输出高电平约为0.9Vcc,而输出低电平约为 0.1Vcc. 4、电路不使用的输入端不同. CMOS电路不使用的输入端...

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恽省扶正： ttl是由晶体管构成的逻辑电路,这里所谓的ttl信号是一个电平标准.由于器件的电压不同,ttl电路和cmos电路定义的高低电平电压以及电流不一样. 所谓的需要加ttl信号就是可以以ttl标准的高或低电平信号来触发它.

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恽省扶正： 1.CMOS是场效应管构成(单极性电路),TTL为双极晶体管构成(双极性电路) 2.COMS的逻辑电平范围比较大(5~15V),TTL只能在5V下工作 3.CMOS的高低电平之间相差比较大、抗干扰性强,TTL则相差小,抗干扰能力差4.CMOS功耗很...

武鸣县15699246485： CMOS和TTL的区别 - ？
恽省扶正： CMOS器件的优点是功耗低、工作电压范围较宽、输入阻抗很高、扇出系数很大;TTL器件的优点则是驱动能力稍强,对输入信号电平的幅值要求也比CMOS器件宽松些.

武鸣县15699246485： cmos与ttl的区别?好像在multisim中有的元件一样. - ？
恽省扶正： 从电性能上来说,TTL电路工作电压范围较窄,输入阻抗低于CMOS电路,功耗略大,优点是速度较高,驱动能力也较强,综合起来扇出系数稍低; CMOS逻辑电路工作电压范围较宽,速度略低(主要是40系列器件),驱动能力也较强,而且输入阻抗极高,综合起来扇出系数非常大. 在逻辑电平方面,TTL电路对输入电平质量的要求不象CMOS电路那么严格,但是现在很多CMOS电路也可以作成和TTL电路一样的输入规范,如74HCT、74AHCT、74ACT、74VCT、74ABT等系列逻辑器件,综合了TTL和CMOS电路的优点,是设计电路的最佳选择.

武鸣县15699246485： ttl电路和cmos电路的区别 - ？
恽省扶正： TTL与CMOS电路的区别TTL:双极型器件,一般电源电压 5V,速度快(数ns),功耗大(mA级),负载力大,不用端多数不用处理. CMOS:单级器件,一般电源电压 15V,速度慢(几百ns),功耗低,省电(uA级),负载力小,不用端...

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恽省扶正： TTL是由晶体管构成的逻辑电路,这里所谓的TTL信号是一个电平标准.由于器件的电压不同,TTL电路和CMOS电路定义的高低电平电压以及电流不一样. 所谓的需要加TTL信号就是可以以TTL标准的高或低电平信号来触发它.

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