请问，N-MOS、P-MOS分别指N沟道MOS管和P沟道MOS管吗？它们的剖面图和工艺版图是怎样的。求帮助
N道的MOS管箭头是向内侧指向，P道的箭头是向外侧指向的。
导通条件都是靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。对N道G极电压为+极性。对P道的G极电压为-极性。
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MOS依照其“通道”的极性不同，可分为'N"沟与‘p“沟的MOSFET结构。
如图是典型平面N沟道增强型MOSFET的剖面图。它用一块P型硅半导体材料作衬底（图la），在其面上扩散了两个N型区（图lb），再在上面覆盖一层二氧化硅(SiO2）绝缘层（图1c），最后在N区上方用腐蚀的方法做成两个孔，用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极：G(栅极）、S（源极）及D（漏极），如图1d所示。
平面N沟道增强型MOSFET从图中可以看出栅极G与漏极D及源极S是绝缘的，D与S之间有两个PN结。
一般情况下，衬底与源极在内部连接在一起。
扩展资料：
mos管是金属(metal)-氧化物(oxide)-半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属-绝缘体(insulator)-半导体。
MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
场效应管(FET)，把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的跨导， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片(P沟道耗尽型MOS管)。而P沟道常见的为低压mos管。
P沟道mos管符号一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。
最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。
参考资料来源：百度百科-双极-CMOS集成电路
类似这样的问题我好像回答好多次了
MOS依照其“通道”的极性不同，可分为'N"沟与‘p“沟的MOSFET，
结构
如图是典型平面N沟道增强型MOSFET的剖面图。它用一块P型硅半导体材料作衬底（图la），在其面上扩散了两个N型区（图lb），再在上面覆盖一层二氧化硅(SiO2）绝缘层（图1c），最后在N区上方用腐蚀的方法做成两个孔，用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极：G(栅极）、S（源极）及D（漏极），如图1d所示。平面N沟道增强型MOSFET从图1中可以看出栅极G与漏极D及源极S是绝缘的，D与S之间有两个PN结。一般情况下，衬底与源极在内部连接在一起。
功能
要使增强型N沟道MOSFET工作，要在G、S之间加正电压VGS及在D、S之间加正电压VDS，则产生正向工作电流ID。改变VGS的电压可控制工作电流ID
若先不接VGS（即VGS=0），在D与S极之间加一正电压VDS，漏极D与衬底之间的PN结处于反向，因此漏源之间不能导电。如果在栅极G与源极S之间加一电压VGS。此时可以将栅极与衬底看作电容器的两个极板，而氧化物绝缘层作为电容器的介质。当加上VGS时，在绝缘层和栅极界面上感应出正电荷，而在绝缘层和P型衬底界面上感应出负电荷。这层感应的负电荷和P型衬底中的多数载流子（空穴）的极性相反，所以称为“反型层”，这反型层有可能将漏与源的两N型区连接起来形成导电沟道。当VGS电压太低时，感应出来的负电荷较少，它将被P型衬底中的空穴中和，因此在这种情况时，漏源之间仍然无电流ID。当VGS增加到一定值时，其感应的负电荷把两个分离的N区沟通形成N沟道，这个临界电压称为开启电压（或称阈值电压、门限电压），用符号VT表示（一般规定在ID=10uA时的VGS作为VT）。当VGS继续增大，负电荷增加，导电沟道扩大，电阻降低，ID也随之增加，并且呈较好线性关系。因此在一定范围内可以认为，改变VGS来控制漏源之间的电阻，达到控制ID的作用。由于这种结构在VGS=0时，ID=0，称这种MOSFET为增强型。另一类MOSFET，在VGS=0时也有一定的ID（称为IDSS），这种MOSFET称为耗尽型。VP为夹断电压（ID=0）。
耗尽型与增强型主要区别是在制造SiO2绝缘层中有大量的正离子，使在P型衬底的界面上感应出较多的负电荷，即在两个N型区中间的P型硅内形成一N型硅薄层而形成一导电沟道，所以在VGS=0时，有VDS作用时也有一定的ID(IDSS）；当VGS有电压时（可以是正电压或负电压），改变感应的负电荷数量，从而改变ID的大小。VP为ID=0时的-VGS，称为夹断电压。
传输模拟高电平用什么管?N管还是P管?为什么
N管）或者S级（P管）的电源有关，例如 N管D接，接上拉电阻到+12V，这时候如果NMOS管的开启电压<3V，则NMOS管导通，把电位拉低。如果是P管，S级接电源，只要G极电压低于S级电压，就形成导电沟道。从而使PMOS管形成一个可变的R，SG电压差越大，R越小，当R足够小时， 电平就为低电平 ...
mos场效电晶体p型和n型如何区分?
mos场效电晶体和结型场效电晶体有什么区别 mos场效电晶体在金属栅极与沟道之间有一层二氧化矽绝缘层，因此具有极高的输入电阻。 结型场效电晶体在栅极与沟道之间是反偏的pn结形成的门极电压控制。所以输入电阻不及mos场效电晶体。场效电晶体（MOS）三个脚怎么区分？N和P怎么区分？ 场效电晶体...
N沟道和P沟道MOS管工作在不同区域的条件分别是什么呢?
N道的MOS管箭头是向内侧指向，P道的箭头是向外侧指向的。导通条件都是靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。对N道G极电压为+极性。对P道的G极电压为-极性。
N沟道增强型MOS管与P沟道增强型MOS管主要区别是什么?
1.n沟道mos管与p沟道mos管工作原理相似，不同之处仅在于它们形成电流的载流子性质不同，因此导致加在各极上的电压极性相反。应用得最多的是n沟道增强型mos管 2.n沟道增强型mos管的工作原理:
mos管电路工作的原理是什么及详
当控制电压Vc较低时，MOS管的通道内的电流较小，导致电流I从输入端流向输出端的电阻R3，最终流入漏极。当Vc较高时，MOS管的通道内的电流较大，电流I从输入端流向输出端的电阻R3，最终流入漏极。MOS管通常有两种类型：n型MOS管和p型MOS管。n型MOS管的基极是n型半导体材料，其通道由电子组成；p型...
mos晶体管的MOS晶体管 - MOS晶体管
金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的晶体管简称MOS晶体管，有P型MOS管和N型MOS管之分。MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，而PMOS管和NMOS管共同构成的互补型MOS集成电路即为CMOS-IC双极性晶体管的输出特性曲线形状与MOS器件的输出特性曲线相似，但线性区与饱和区恰好相反。MOS器件的...
MOS管的导通条件是什么
MOS管的导通条件取决于栅极和源极之间的电压。当栅极和源极之间的电压大于阈值电压时，MOS管会导通。在N沟道MOS中，当栅极电压高于源极电压加上阈值电压时，NMOS管导通；而在P沟道MOS中，当栅极电压低于源极电压减去阈值电压时，PMOS管导通。
【PMOS\/NMOS区别】从原理上区分记忆(含制程工艺知识)
理解记忆 \/ 绘图4步法：1. 与SUB衬底(工艺中为N-Well \/ P-Well)联接的一端均为S源极，另一端为D漏极。符号中三横线表示三沟道，相联的两条对应一端必为S源极；2. 符号中箭头方向代表电子e的移动方向；Ep.N沟道MOS管多数载流子为电子e，工作时电子e流向沟道内侧，箭头向内，PMOS相反；3. ...
n沟道mos管g是什么极?
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场效应管n沟道和p沟道能通用吗
如果要通用要把原理搞清楚，如果是做开关管用，它就相当于一个开关，打开方式是控制栅极电压，n MOS需要Vgs大于导通电压时管子才导通，换成P MOS则相反，需要Vgs小于导通电压，漏源两极才导通。栅极无电压时n MOS是常开的，p MOS是常闭的。建议最好不要通用，没搞好管子肯定烧掉 ...
包谦金怡： 原发布者:驭风q2各种常用电子元件符号二极管表示符号:D变容二极管表示符号:D双向触发二极管表示符号:D稳压二极管表示符号:ZD,D稳压二极管表示符号:ZD,D桥式整流二极管表示符号:D1肖特基二极管隧道二极管发光二极管表示...
钟山区13445341447： 线路板上的mos管是什么? - ？
包谦金怡： mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体.MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区.在多数情况下,这个两个区是...
钟山区13445341447： mos管为什么分P和N - ？
包谦金怡： 晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管,或NMOS.P-channel MOS(PMOS)管也存在,是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管.感觉跟电池一样的
钟山区13445341447： 逆变焊机IGBT的还是MOS管的怎样区分 - ？
包谦金怡： 用万用表的二极管导通档测量管子的最右边一个脚与中间一个脚,如果从右脚到中间脚是导通的,则是MOS管(N-MOS的话是右边脚为正,中间脚为负,P-MOS的话是右边脚为负,中间脚为正),如果两个方向都不通就是IGBT.
钟山区13445341447： 急求各种电子元件符号表示法和图 - ？
包谦金怡： 电子元件符号图:二极管表示符号:D变容二极管表示符号:D双向触发二极管表示符号:D稳压二极管表示符号:ZD,D稳压二极管表示符号:ZD,D桥式整流二极管表示符号:D肖特基二极管隧道二极管隧道二极管光敏二极管或光电接收二极管...
钟山区13445341447： N型场效应管和场效应管有什么区别 N型场效应管和MOS管有什么区别 - ？
包谦金怡： 1. 场效应管(FET)分为MOS场效应管(MOSFET)和结型场效应管(JFET).现在主要使用MOS场效应管,即通常所称的MOS管. 2. 每种场效应管都有P型和N型两种管子.类型是依据沟道的类型来定的,沟道为N型沟道(电子),管子就...
钟山区13445341447： 什么是MOS、NMOS、PMOS、COMS - ？
包谦金怡： MOS器件分为NMOS和PMOS,而CMOS是指互补的MOS管组成的电路,也就是PMOS,NMOS组成,NMOS是指沟道在栅电压控制下p型衬底反型变成n沟道,靠电子的流动 PMOS是指 n型 p沟道,靠空穴的流动 CMOS相比Bipolar,优点就是其功耗低,集成度高等等.当然Bipolar的驱动能力比CMOS强 目前BiCMOS工艺就是结合了CMOS和Bipolar的优点
钟山区13445341447： MOS场效应管,其中MOS是什么意思啊!!! - ？
包谦金怡： MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即半导体金属氧化物,它是集成电路中的材料,现在也可指代芯片.MOS内部的结构和二极管、三极管差不多,由P-N结构成,P是正的意思(positive),N是负的意思(negative).由于正负离子的作用,在MOS内部形成了耗尽层和沟道,耗尽层里的正负离子相互综合,达到了稳定的状态,而沟道是电子流通的渠道,耗尽层和沟道一般是相对的耗尽层窄了,沟道就宽了,反之亦然. MOS的功能和三极管差不多主要是放大电路,MOS可分为HMOS(高密度MOS)和CMOS(互补MOS),两种合起来又有了CHMOS. 以上答案如有不足,请多指教! 参考资料:模拟书等
钟山区13445341447： MOSFET - P和MOSFET - N区别在那里?谢谢了 - ？
包谦金怡： MOSFET-P和MOSFET-N的区别:1、MOSFET-P是P沟道,MOSFET-N是N沟道;2、为了能正常工作,NMOS管外加的Vds必须是正值,开启电压VT也必须是正值,实际电流方向为流入漏极.而与NMOS不同,PMOS管外加的Vds必须是负...
钟山区13445341447： 三相无刷直流电机用什么全桥驱动比较好 - ？
包谦金怡： 无刷直流电机一般使用全桥驱动,即6个MOSFET分别构成上臂和下臂,通过MCU具有推挽输出的IO口控制. 方案一最常用的应该是3个P-MOS + 3个N-MOS,电路结构简单.如下图所示. 方案二全桥驱动是由6个N-MOS组成,分别组成上臂和下臂,和上述不同的时原来的P-MOS都换成了N-MOS.优点是成本低,器件容易获得;缺点是必须做升压电路,升压方式多种,有用DC-DC升压IC直接升压,可是这样电路就会相对复杂了.因此,比较常用简单的应该是自举升压.
