模电，BJT管的vt是怎么得到的？
三极管有什么导通不导通的，只是三个区时各个极的工作状态不一样而已
饱和区就是集电极c和发射极e电位都比b极低，两个极都正向偏置，这时候Uce比Ube小，也就是Ube-Uce大于0就是b极电位比c大，这个时候类似mos管的变阻区
放大区就是正常工作状态，c>b(不写U了),ic由ib控制，可以等效成一个受控电流源
截止区就是b口无电流，也就是b的电压最小，b<e<c,无电流从b经过也就意味着从e极的电子发射不能经过发射结，从而ce间也无电流，截止了，顾名思义，还有什么不理解可以问
判断三极管，可以看压降值。b级对e级的的压降值，锗管是0.7V，硅管是0.3V
放大区：Vc>Vb>Ve
饱和区：集电结和发射结均正偏
截止区：集电结和发射结均反偏
饱和状态是什么意思?
一. 在电子科学技术中，饱和状态是指晶体管的一种低电压、大电流工作状态(即开态).晶体管的工作状态(或工作模式)包括有放大状态、截止状态、饱和状态和反向放大状态四种.对于BJT(双极型晶体管)和对于FET(场效应晶体管),饱和状态的含义大不相同,要特别注意区分开来.(1)对于BJT:因为BJT是电流驱动的器件...
晶体管 2655 是什么东西???
晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一,在电路中用“V”或“VT”(旧文字符号为“Q”、“GB”...(Bipolar Junction Transistor—BJT),所以有时也称为Power BJT;其特性有:耐压高,电流大,开关特性好,
饱和状态的不用分类的区分
对于BJT（双极型晶体管）和对于FET（场效应晶体管）,饱和状态的含义大不相同，要特别注意区分开来·一. 在电子科学技术中，饱和状态是指晶体管的一种低电压、大电流工作状态(即开态).晶体管的工作状态(或工作模式)包括有放大状态、截止状态、饱和状态和反向放大状态四种.对于BJT(双极型晶体管)和对于FET...
28n50晶体管用什么代替
半导体三极管是电路中应用最广泛的器件之一，在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为“Q”、“GB”等）表示。半导体三极管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。晶体管有三个极；双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P型组成发射极（Emitter）、基极 (Base) 和集电极（...
饱和片是什么
一. 在电子科学技术中，饱和状态是指晶体管的一种低电压、大电流工作状态(即开态).晶体管的工作状态(或工作模式)包括有放大状态、截止状态、饱和状态和反向放大状态四种.对于BJT(双极型晶体管)和对于FET(场效应晶体管),饱和状态的含义大不相同,要特别注意区分开来.(1)对于BJT:因为BJT是电流驱动的器件...
晶体管饱和状态的对于FET(包括JFET和MOSFET等)
在不考虑沟道长度调制效应时,则输出电流与源-漏电压无关,即输出电流饱和;但是此饱和的输出电流要受到栅极电压控制(饱和时的栅极跨导最大)。在输出伏安特性曲线上,饱和状态即是处在电流饱和的区域(即特性曲线是水平的区域)；实际上,FET的饱和状态也就是常常采用的一种放大工作的状态(这与BJT的工作状态...
求三极管的详细资料
半导体三极管[font color=#000000]是电路中[\/font]应用最广泛的器件之一,在电路中用“V”或“VT”(旧文字符号为“Q”、“GB”等)表示。 半导体三极管主要分为两大类:双极性晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET)。晶体管有三个极;双极性晶体管的三个极,分别由N型跟P型组成发射极(Emitter)、基极 (Base) 和...
和甘阿贝： 计算时,锗三极管取0.2V,硅三极管取0.7Ⅴ.
清镇市18340541879： 模电问题.以硅管BJT,NPN型为例,集电结反偏是指Vc>Vb? 只要大于就算反偏吗?发射结正偏是 - ？
和甘阿贝： 集电结反偏是指Vc>Vb,发射结正偏是指Vb>Ve.至于0.7V,是指一般情况下,三极管导通时Ube的大小约为0.7V.不过这得看具体的电路啦,如果所加载的Vbb电源或VCC电源远远大于0.7V. 则在电路计算时,你可以认为Ube(即Vb-Ve)恒为0.7v.
清镇市18340541879： 模拟电路 三极管 判断工作区域测量某硅BJT各电极对地的电压值,判断管子在什么工作区域:1 VC=6V VB=0.7V VE=0V 2 VC=6V VB=2V VE=1.3V 3 VC=6... - ？
和甘阿贝：[答案] 1 VC=6V VB=0.7V VE=0V 工作在放大区域.发射结正偏,集电结反偏. 2 VC=6V VB=2V VE=1.3V 工作在放大区域.发射结正,集电结反偏. 3 VC=6V VB=6V VE=5.4V 工作在饱和区.发射结正偏,集电结0偏. 4 VC=6V VB=4V VE=3.6V 集...
清镇市18340541879： 模拟电路 三极管 判断工作区域 测量某硅BJT各电极对地的电压值,判断管子在什么工作区 - ？
和甘阿贝： VC是电源,则无集电极电压,不能判断 VC是集电极电压Vce,则 1、2,工作在线性区; 4,工作在截止区; 3、5,工作在饱和区,3为浅饱和,5为深饱和; 全是NPN三极管.
清镇市18340541879： 测得BJT各极对地电压为VB =1.8V,VE =0V,VC=12V,则该管工作在( )状态. a - ？
和甘阿贝： aa你应该说全面点,你说的应该是NPN管,并且有集电极负载电阻和电源电压是12v.如果是这样的话,答案d才正确!从你给出的条件来看,此三极管满足发射结正偏集电结反偏,满足三极管的放大状态,但是当条件满足时候,Vce一定小于vcc,你给出的这个答案VC=12V,说明三极管内部pn结损坏,就想开路一样,所以此三极管损坏,答案应该选d.
清镇市18340541879： 模电,如图,请问有源负载共射放大电路的交流等效电路是怎么得到的? - ？
和甘阿贝： 首先是很好的问题!知道上问题都这么专业就好了.上边的两个PNP是电流镜.T3和R用来设置电流镜的电流.所以流过T2和T3的电流都是IR.再说为什么是2个rce.T1的集电极看到了3个电阻:T1的集电极电阻,T2的集电极电阻和负载电阻.那么对应的小信号模型里就是rce1//rce2//RL.
清镇市18340541879： 关于晶体管BJT的问题 - ？
和甘阿贝： 不可以. 从结构上说BJT是两个背靠的PN结,比如NPN结构.但是和正常背靠PN结不同的是,当中的P型半导体要足够窄,窄到小于载流子的扩散长度,这个时候只要把第一个PN结正接,第二个PN结即使反接也是有电流通过的.
清镇市18340541879： 关于三极管BJT的问题 - ？
和甘阿贝： 从结构上看,图a所示三极管就是两只背靠背的PN结,好像是两只背靠背的二极管.如图b所示.但两者的工作有本质的区别,两只背靠背的二极管是没有放大作用的.当D2正偏、D1反偏时,D2的正向电流很大,D1的反向电流很小,它们之间互...
清镇市18340541879： 双极性数字集成电路 - ？
和甘阿贝： 模电里BJT因为有两种不同载流子 称为双极型(通俗点个三极管子两个PN节) 数电很多电路都是三极管为框架,套些 电阻电容二极管什么的,三种状态搞来搞去 (导通,截止,高阻)
清镇市18340541879： 解释一下这模电题怎么判断是什么状态在BJT三极管放大电路中,电源电压为UCC=12V.若测得三极管的集射极电压UCE =5V,则此时三极管处于__放大___... - ？
和甘阿贝：[答案] 基本上就是根据UCE是否达到接近结压降来判断是否趋于饱和. 这是一种非常模糊的判断方法,所以题目给出的5V、0.5V、12V都是各自最鲜明的状态值.
