mos晶体管结构及工作原理
MOS晶体管，也就是绝缘栅场效应晶体管，又叫金属-氧化物-半导体场效应晶体管，利用半导体的场效应，进行信号放大。就是利用栅极控制电压形成的电场，来控制沟道里感应电荷的多少，进而改变导电沟道的状态，达到控制漏极电流的效果。根据制作方法不同，有两种类型。一种在0控制电压下没有漏极电流，为增强型，一种0控制电压也会有较大的漏极电流，为耗散型。因为栅极是绝缘的，只用电压控制，没有电流，所以输入阻抗很高，有点象电子管。因此也就没有一般晶体管的电流放大倍数，有一个衡量放大能力的参数，电子管叫跨导，这里叫什么不记得了。不好意思。 以上是本人的理解和记忆，不知是否符合你的要求？但愿能有所帮助。
NMOS晶体管的工作原理：
在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底（提供大量可以动空穴）上，制作两个高掺杂浓度的N+区(N+区域中有大量为电流流动提供自由电子的电子源)，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极D和源极S。然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏——源极间的绝缘层上再装上一个铝电极（通常是多晶硅）,作为栅极G。在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。MOS管的源极和衬底通常是接在一起的。
NMOS晶体管简介：
NMOS英文全称为：N-Mental-Oxide-Semiconductor。 意思为N型金属-氧化物-半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为NMOS晶体管。 MOS晶体管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，由NMOS组成的电路就是NMOS集成电路，由PMOS管组成的电路就是PMOS集成电路，由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路，即CMOS电路。
MOS管，即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体，确切的说，这个名字描述了集成电路中MOS管的结构，即：在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅极。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能,这样的器件被认为是对称的。
2. MOS管工作原理--Mos管的结构特点
MOS管的内部结构如下图所示;其导通时只有一种极性的载流子(多子)参与导电，是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET，大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。
其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。
3. MOS管工作原理
MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。
MOS管，即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体，确切的说，这个名字描述了集成电路中MOS管的结构，即：在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅极。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。
MOS管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。
本视频演示了双极结型晶体管（BJT）的工作，实际应用包括晶体管作为放大器,以及开关。视频内容包括:硅原子的结构、掺杂、N型掺杂、P型掺杂、二极管的工作原理、NPN晶体管的工作和双级放大等。
操作系统的主要部件有哪些
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操作系统首次出现在第几代计算机中
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操作系统在第几代计算机开始应用
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郎先奥芬： 简单的说MOS管通过沟道导电,沟道上的栅极偏压不同可以控制沟道导电电阻,从而达到饱和导通或者完全关闭(夹断).具体的在模拟电子线路或者半导体技术的书上讲的详细.
阳新县19337721915： mos晶体管的工作原理 - ？
郎先奥芬： 原发布者:王立伟24第三章场效应管放大器3.1场效应管绝缘栅场效应管结型场效应管3.2场效应管放大电路效应管放大器的静态偏置效应管放大器的交流小信号模型效应管放大电路3.1场效应管BJT是一种电流控制元件(iB~iC),工作时,多数...
阳新县19337721915： MOS晶体管工作原理 - ？
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阳新县19337721915： MOS怎么样原理 - ？
郎先奥芬： 以金属-氧化物-半导体(MOS)场效应晶体管为主要元件构成的集成电路 .简称MOSIC .1964年研究出绝缘栅场效应晶体管.直到1968年解决了MOS器件的稳定性,MOSIC得到迅速发展.与双极型集成电路相比,MOSIC具有以下优点:①制...
阳新县19337721915： 关于MOS场效应管的原理 - ？
郎先奥芬： MOS管的工作原理 它是利用VGS来控制“感应电荷”的多少,以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况,然后达到控制漏极电流的目的.在制造管子时,通过工艺使绝缘层中出现大量正离子,故在交界面的另一侧能感应出较多的负电...
阳新县19337721915： MOS管有哪些作用,工作原理是什么? - ？
郎先奥芬： 作用 目前主板或显卡上所采用的MOS管并不是太多,一般有10个左右,主要原因是大部分MOS管被整合到IC芯片中去了.由于MOS管主要是为配件提供稳定的电压,所以它一般使用在CPU、AGP插槽和内存插槽附近.其中在CPU与AGP插槽...
阳新县19337721915： 请问三极管的 工作原理,MOS管的工作原理 - ？
郎先奥芬： 三极管的工作原理 三极管是电流放大器件,有三个极,分别叫做集电极C,基极B,发射极E.分成NPN和PNP两种.我们仅以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基本原理.一、电流放大 下面的分析仅对于NPN...
阳新县19337721915： 什么叫mos场效应管 - ？
郎先奥芬： 1.概念:场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.特点:具有输入电阻高(100000000~1000000000Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、...
阳新县19337721915： 什么是MOS场效应管? - ？
郎先奥芬： 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.具有输入电阻高(10^8~10^9Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现...
阳新县19337721915： 三极管与mos管有什么区别.结构和原理 - ？
郎先奥芬： MOS管的特性、工作原理,与真空电子管类似:栅极没有电流,即没有输入电流,具有高输入阻抗;漏极电流由栅极电压控制,是电压控制器件…… 半导体三极管是两个P-N结组成,由基极电流来控制集电极电流,是一个电流控制器件;基极输...
