13003HD 13003ED 13003LD 的区别？HD是不是高压 LD 是低压的？
开关管13003和13003D的主要区别是封装形式不同，13003的封装形式是直插式TO-126：
13003D的封装形式是贴片式TO-252：
由于封装形式的差异，性能参数也略有不同，13003的基本参数为Ic=1.5A、Vceo=400V、Pc=20W、HFE=8-40。13003D的Ic=1.5A、Vceo=400V、Pc=15W、HFE=15-35。其余参数均相同。
另，提问中130003D应该是多打了一个0，没有这个型号的三极管。
13003为中功率NPN型晶体管,主要作为电源开关管用。
NPN晶体管是晶体管的一种，当基极b点电位高于发射极e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而集电极C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。
扩展资料
制造工艺设计
1、首先在ATHENA中定义0.8um*1.0um的硅区域作为基底，掺杂为均匀的砷杂质，浓度为2.0e16/cm3，然后在基底上注入能量为18ev，浓度为4.5e15/cm3的掺杂杂质硼，退火，淀积一层厚度为0.3um的多晶硅，
淀积过后，马上进行多晶硅掺杂，掺杂为能量50ev，浓度7.5e15/cm3的砷杂质，接着进行多晶硅栅的刻蚀（刻蚀位置在0.2um处）此时形成N++型杂质（发射区）。
刻蚀后进行多晶氧化，由于氧化是在一个图形化（即非平面）以及没有损伤的多晶上进行的，所以使用的模型将会是fermi以及compress，进行氧化工艺步骤时分别在干氧和氮的气氛下进行退火，接着进行离子注入
注入能量18ev，浓度2.5e13/cm3的杂质硼，随后进行侧墙氧化层淀积并进行刻蚀，再一次注入硼，能量30ev，浓度1.0e15/cm3，形成P+杂质（基区）并作一次镜像处理即可形成完整NPN结构，最后淀积铝电极 。
参考资料来源：百度百科-NPN型晶体管
夙命延寄： 两个管参数一样,400V,1.8A,50W,区别应该是放大倍数,分13003A ,13003B ,13003C ,13003E ,13003F 五种,放大倍数hfe分别为:11-16,15-19,18-22,21-25,24-30,,
带岭区15289732847： 三极管13003F跟13003BD有什么区别 - ？
夙命延寄： 都是NPN开关管 13003:硅NPN管,参数:400V,1.25W 1.5A FT=5MHZ 面对着管子正面,管脚向下,从左向右依次为:基极B 集电极C 发射极E. 13002:400V,0.9W,0.8A FT5MHz 分别是VCEO,PC,Ic
带岭区15289732847： 13003可以用BD140代替吗? - ？
夙命延寄： ①、关于以上的13003属于NPN型三极管,而那BD140属于PNP三极管,所以两款管子属性不一样,所以1300不可以用BD140代换的.
带岭区15289732847： 13003可以用BD140代替吗? - ？
夙命延寄： ①、关于以上的13003属于NPN型三极管,而那BD140属于PNP三极管,所以两款管子属性不一样,所以1300不可以用BD140代换的.
带岭区15289732847： 在节能灯里的,不知道是什么东西,它的型号是H133/EB/13003BD,这是干嘛用的,采纳采纳… - ？
夙命延寄： 三极管,放大电流
带岭区15289732847： sd13003d三极管和w13002通用吗? - ？
夙命延寄： 前者可以代替后者,后者代替前者会有风险
带岭区15289732847： 13005 三极管可以用12V DC供电吗? - ？
夙命延寄： 13005的Vce是大于400V,一般用开关电源、节能灯.用12V是完全可以的
