NPN与PNP有什么区别，字母N与P分别是什么单词的缩写

三极管的PNP、NPN型中，P 与N 分别指什么材料？有什么特点？~

1, P的意思是在PN结上缺少电子，以空穴为主导电的材料，也叫P型材料；N的意思是在PN结上有多余的电子，以电子为主导电的材料，也叫N型材料。P型半导体是指载流子以空穴为主，N型半导体则以电子为主。
2, 两种三极管主要区别就是各个极 的电位正好相反，PNP型管基极要接负电位，NPN管基极要接正电位。 PNP与NPN的区别在表面上是以PN结的方向来定义的，实际上是以三极管的结构材料来区分的。PNP是两边的棒料是镓，中间的是硅。镓是第三主族的元素，其核外为三个电子，硅是第四主族的元素，其核外有四个电子，这样在两个PN的方向上的顺序是P－N－N的关系；相反NPN是两边的材料是硅，中间的是镓，形成的PN结顺序为N－P－N的关系。

一、无论是二极管还是三极管中的P和N分别P型半导体和N型半导体。
半导体（ semiconductor），指常温下导电性能介于导体（conductor）与绝缘体（insulator）之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应用上最具有影响力的一种。
本征半导体：不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。
P型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了P型半导体。
N型半导体：在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置形成N型半导体。
二、对于二极管
可分正负极，P区为其正极，N区为其负极
三、对于三极管
不能分为正、负极，
它分为三区、两结、三极
三区：基区、发射区和集电区
两结：发射结和集电结
三极：基极、发射极和集电极
按结构材料分为NPN型和PNP型。

Negative-Positive-Negative (transistor)

一、三极管的电流放大原理
晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。

图1、晶体三极管（NPN）的结构
图一是NPN管的结构图，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，从图可见发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极。
当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。
在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正确，发射区的多数载流子（电子）极基区的多数载流子（控穴）很容易地截越过发射结构互相向反方各扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流Ie。
由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补纪念给，从而形成了基极电流Ibo根据电流连续性原理得：
Ie=Ib+Ic
这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即：
β1=Ic/Ib
式中：β--称为直流放大倍数，
集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为：
β= △Ic/△Ib
式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。
三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。

二、三极管的特性曲线

1、输入特性
图2 （b)是三极管的输入特性曲线，它表示Ib随Ube的变化关系，其特点是：1）当Uce在0-2伏范围内，曲线位置和形状与Uce 有关，但当Uce高于2伏后，曲线Uce基本无关通常输入特性由两条曲线（Ⅰ和Ⅱ）表示即可。
2）当Ube＜UbeR时，Ib≈O称（0～UbeR)的区段为“死区”当Ube＞UbeR时，Ib随Ube增加而增加，放大时，三极管工作在较直线的区段。
3）三极管输入电阻，定义为:
rbe=(△Ube/△Ib)Q点，其估算公式为：
rbe=rb+(β+1)(26毫伏/Ie毫伏）
rb为三极管的基区电阻，对低频小功率管，rb约为300欧。
2、输出特性
输出特性表示Ic随Uce的变化关系（以Ib为参数）从图2（C）所示的输出特性可见，它分为三个区域：截止区、放大区和饱和区。
截止区 当Ube＜0时，则Ib≈0，发射区没有电子注入基区，但由于分子的热运动，集电集仍有小量电流通过，即Ic=Iceo称为穿透电流，常温时Iceo约为几微安，锗管约为几十微安至几百微安，它与集电极反向电流Icbo的关系是：
Icbo=(1+β)Icbo
常温时硅管的Icbo小于1微安，锗管的Icbo约为10微安，对于锗管，温度每升高12℃，Icbo数值增加一倍，而对于硅管温度每升高8℃，Icbo数值增大一倍，虽然硅管的Icbo随温度变化更剧烈，但由于锗管的Icbo值本身比硅管大，所以锗管仍然受温度影响较严重的管，放大区，当晶体三极管发射结处于正偏而集电结于反偏工作时，Ic随Ib近似作线性变化，放大区是三极管工作在放大状态的区域。
饱和区 当发射结和集电结均处于正偏状态时，Ic基本上不随Ib而变化，失去了放大功能。根据三极管发射结和集电结偏置情况，可能判别其工作状态。

图2、三极管的输入特性与输出特性
截止区和饱和区是三极管工作在开关状态的区域，三极管和导通时，工作点落在饱和区，三极管截止时，工作点落在截止区。

三、三极管的主要参数

1、直流参数
（1）集电极一基极反向饱和电流Icbo，发射极开路（Ie=0)时，基极和集电极之间加上规定的反向电压Vcb时的集电极反向电流，它只与温度有关，在一定温度下是个常数，所以称为集电极一基极的反向饱和电流。良好的三极管，Icbo很小，小功率锗管的Icbo约为1～10微安，大功率锗管的Icbo可达数毫安，而硅管的Icbo则非常小，是毫微安级。
（2）集电极一发射极反向电流Iceo(穿透电流）基极开路（Ib=0）时，集电极和发射极之间加上规定反向电压Vce时的集电极电流。Iceo大约是Icbo的β倍即Iceo=(1+β)Icbo o Icbo和Iceo受温度影响极大，它们是衡量管子热稳定性的重要参数，其值越小，性能越稳定，小功率锗管的Iceo比硅管大。
（3）发射极---基极反向电流Iebo 集电极开路时，在发射极与基极之间加上规定的反向电压时发射极的电流，它实际上是发射结的反向饱和电流。
（4）直流电流放大系数β1（或hEF） 这是指共发射接法，没有交流信号输入时，集电极输出的直流电流与基极输入的直流电流的比值，即：
β1=Ic/Ib
2、交流参数
（1）交流电流放大系数β（或hfe） 这是指共发射极接法，集电极输出电流的变化量△Ic与基极输入电流的变化量△Ib之比，即：
β= △Ic/△Ib
一般晶体管的β大约在10-200之间，如果β太小，电流放大作用差，如果β太大，电流放大作用虽然大，但性能往往不稳定。
（2）共基极交流放大系数α（或hfb） 这是指共基接法时，集电极输出电流的变化是△Ic与发射极电流的变化量△Ie之比，即：
α=△Ic/△Ie
因为△Ic＜△Ie，故α＜1。高频三极管的α＞0.90就可以使用
α与β之间的关系：
α= β/（1+β）
β= α/（1-α）≈1/（1-α）
（3）截止频率fβ、fα 当β下降到低频时0.707倍的频率，就是共发射极的截止频率fβ；当α下降到低频时的0.707倍的频率，就是共基极的截止频率fαo fβ、fα是表明管子频率特性的重要参数，它们之间的关系为：
fβ≈（1-α）fα
（4）特征频率fT因为频率f上升时，β就下降，当β下降到1时，对应的fT是全面地反映晶体管的高频放大性能的重要参数。
3、极限参数
（1）集电极最大允许电流ICM 当集电极电流Ic增加到某一数值，引起β值下降到额定值的2/3或1/2，这时的Ic值称为ICM。所以当Ic超过ICM时，虽然不致使管子损坏，但β值显著下降，影响放大质量。
（2）集电极----基极击穿电压BVCBO 当发射极开路时，集电结的反向击穿电压称为BVEBO。
（3）发射极-----基极反向击穿电压BVEBO 当集电极开路时，发射结的反向击穿电压称为BVEBO。
（4）集电极-----发射极击穿电压BVCEO 当基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压，使用时如果Vce＞BVceo，管子就会被击穿。
（5）集电极最大允许耗散功率PCM 集电流过Ic，温度要升高，管子因受热而引起参数的变化不超过允许值时的最大集电极耗散功率称为PCM。管子实际的耗散功率于集电极直流电压和电流的乘积，即Pc=Uce×Ic.使用时庆使Pc＜PCM。
PCM与散热条件有关，增加散热片可提高PCM。

PNP型与NPN型三极管外接电源极性要相反 电流方向相反。
PNP管的E、B、C三极分别是P型、N型、P型半导体，NPN管正好相反。
P=Positive N=Negative

NPN和PNP主要就是电流方向和电压正负不同，说得“专业”一点，就是“极性”问题。
NPN 是用 B→E 的电流（IB）控制 C→E 的电流（IC），E极电位最低，且正常放大时通常C极电位最高，即 VC > VB > VE
PNP 是用 E→B 的电流（IB）控制 E→C 的电流（IC），E极电位最高，且正常放大时通常C极电位最低，即 VC < VB < VE
1.如果输入一个高电平，而输出需要一个低电平时，首选择npn。
2.如果输入一个低电平，而输出需要一个低电平时，首选择pnp。
3.如果输入一个低电平，而输出需要一个高电平时，首选择npn。
4.如果输入一个高电平，而输出需要一个高电平时，首选择pnp。
NPN和PNP型传感器的区别就是在与输出的电平不同，NPN输出低电平，PNP反之。

N是英文单词native的缩写，P是positive的缩写，分别代表正、负。N材料中导电的东西是电子、P材料中导电的是空穴。

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泰和县15078584277： 光电开关npn和pnp什么区别 - ？
夏背银参： 光电开关npn和pnp区别有: 1、电压输出不同 NPN型:可简称N型,N表示信号端为负电压输出. PNP型:可简称P型,P表示信号端为正电压输出. 2、内部开关连接不同 NPN型内部开关连接于信号端与负极. PNP型内部开关连接于信号端与正极.3、信号输出线连接不同 NPN:当有信号触发时,信号输出线OUT和GND连接,相当于OUT输出低电平. PNP:当有信号触发时,信号输出线OUT和VCC连接,相当于OUT输出高电平的电源线. 4、信号不同 NPN表示平时为低电位,信号到来时信号为高电位输.PNP表示平时为高电位,信号到来时信号为负.

泰和县15078584277： NPN与PNP有什么区别,字母N与P分别是什么单词的缩写 - ？
夏背银参：[答案] NPN和PNP主要就是电流方向和电压正负不同,说得“专业”一点,就是“极性”问题. NPN 是用 B→E 的电流(IB)控制 C→E 的电流(IC),E极电位最低,且正常放大时通常C极电位最高,即 VC > VB > VE PNP 是用 E→B 的电流(IB)控制 E→...

泰和县15078584277： pnp和npn区分 - ？
夏背银参：[答案] 其实区分很简单就是看电流方向和电压大小就可以了, NPN管子,电流都是往管子(内)流,即;基极和集电极电流流向发射极 PNP管子,电流都是往管子(外)流,即;发射极电流流向集电极和基极 它们的电压也是有规律的;(处于放大状态时...

泰和县15078584277： 三极管pnp跟npn有啥不同 - ？
夏背银参： 结构上,NPN三极管的中间是P区,两端是N区,而PNP三极管正相反.使用上,NPN三极管工作时是集电极接高电压,发射极接低电压,基极输入电压升高时趋向导通,基极输入电压降低时趋向截止;而PNP三极管工作时则是集电极接低电压,发射极接高电压,基极输入电压升高时趋向截止,基极输入电压降低时趋向导通.即NPN和PNP主要就是电流方向和电压正负不同. NPN 是用 B→E 的电流(IB)控制 C→E 的电流(IC),E极电位最低,且正常放大时通常C极电位最高,即 VC > VB > VE. PNP 是用 E→B 的电流(IB)控制 E→C 的电流(IC),E极电位最高,且正常放大时通常C极电位最低,即 VC < VB < VE.

泰和县15078584277： 怎么区分NPN和PNP传感器 - ？
夏背银参： 原发布者:hank180先要搞清楚PNP、NPN表示的意思是什么.P表示正、N表示负.PNP表示平时为高电位,信号到来时信号为负.NPN表示平时为低电位,信号到来时信号为高电位输出.接近传感器和光电传感器只是检测电路不同输出相同....

泰和县15078584277： Npn与PNP有什么区别？
夏背银参： 怎么说呢,你可以这样来理解了,如果是传感器,那,NPN,常开,单传感器不作用时,输出低电平,作用时,输出高电平.NPN,常闭,单传感器不作用时,输出高电平,作用时,输出低电平. PNP,常开,单传感器不作用时,输出高电平,作用时,输出低电平.PNP,常闭,单传感器不作用时,输出低电平,作用时,输出高电平. 如果,你用的是直流24V的传感器,还可以这样理解,高电平+24V,低电平0V.

泰和县15078584277： PNP和NPN有什么不同,怎样区分? - ？
夏背银参： PNP是三极管有两个P区,一个N区.NPN是三极管有两个N区,一个P区.他们接法不同,PNP是从发射极进,从基极和集电极出.NPN却是从基极和集电极入,从发射极出.要区分他们可用万用表测基极的方法区分.以NPN为例,方法为:先假设某一脚为基极,黑笔接假设基极,红笔再分别去接另外两脚,此时阻值应同小.再交换表笔,红笔接假设基极,黑笔接另外两脚,此时阻值应同大,则假设成立.如果出现一大一小,则假设不成立,再重新假设一脚.确定基极后,在确定过程中,黑笔接极为红笔接其他两脚的读数为同大,则为PNP,为同小则为NPN

泰和县15078584277： PNP和NPN有什么差别啊 - ？
夏背银参： PNP NPN 是三极管,是电流控制器件` 它是一些电路里的核心器件PNP 是由2个P型半导体和1个N型半导体经过特殊的工艺加工而成的 NPN 是由1个P型半导体和2个N型半导体经过特殊的工艺加工而成的它有三个状态,放大饱和截止 NPN:Vc>Vb>Ve PNP:Ve>Vb>Vc一般我们多用NPN`

泰和县15078584277： 光幕传感器接线方式分NPNPNP,两种方式,这两种有什么区别,还? ？
夏背银参： PNP与NPN型传感器其实就是利用三极管的饱和和截止,输出两种状态,属于开关型传感器.但输出信号是截然相反的,即高电平和低电平.PNP输出是高电平1,NPN输出...

泰和县15078584277： PLC的NPN和PNP的区别及应用! - ？
夏背银参： 区别: 1、电平输出不同 NPN型是低电平输出,PNP型是高电平输出. 2、箭头方向不同 箭头朝里PNP,反之就是NPN,箭头就是电流方向. 应用: 1、带S/S 端子PLC,NPN和PNP都可以接. S/S 端子:接+24V (可以接NPN型传感器)S/S ...