光刻机的技术国内短时间能攻克吗？
2. ASML通过参股关键零组件供应商，如德国的蔡司，确保了零组件的质量和供应。这使得其他光刻机厂商在零组件上难以匹敌，影响了整体性能。
3. 光刻机的用户，即先进芯片代工厂，如台积电、三星和英特尔，也成为了ASML的大股东。这种市场策略为ASML构筑了坚实的护城河，使得新进入者难以生存。
4. 从市场角度分析，光刻机行业的门槛极高，且市场规模有限。ASML的市场垄断地位使得其他厂商难以进入并盈利，进一步巩固了其行业地位。
5. 光刻机的复杂性体现在其数千个零组件的协同工作上。关键零组件的掌控使得中国厂商获取这些资源的机会大幅减少，技术突破需要深入到零组件层面，这不仅耗时而且充满不确定性。
6. 光刻机技术的突破在时间上变得不可预测。尽管中国在高端光刻机技术上已取得突破，但量产和技术成熟仍需时日。光刻机技术的开发周期较长，且受到其他技术进步周期的影响。
7. 中国在光刻机技术上的进步速度相对较慢，这在一定程度上是正常的。科技发展不应急于求成，而应稳中求进。
8. 中国不应模仿荷兰ASML的做法，将未成熟的技术急于推向市场。中国人在科技发展中应追求卓越，光刻机技术的发展需要整体生态的支撑和产业链的打通。
9. 光刻机技术的攻克至少需要十年的不懈努力。这不仅是对技术的追求，也是对中国科技发展耐心的考验。
光刻机的技术国内短时间能攻克吗?
至此，也就解释了光刻机的突破，从时间上来看，根本就是个无法预测的事情了！高端光刻机技术中国已经攻克了。攻克了技术离量产还需要时间。光刻机技术不算是前沿技术但很麻烦周期长。技术是周期短的带动周期长的。中国光刻机技术较其他技术进步慢些是正常的。搞 科技 不能急于求成要稳中求进。中国不...
中国目前光刻机处于怎样的水平?为什么短时间内造不出来
中国光刻机生产落后，关键还是能够买进更先进的机器。如果西方国家实施制裁，禁止中国从西方进口，用不了几年，光刻机的生产就是赶不上他们，也不会与他们有大差距。成立中国企业基金会，中国银行联盟基金会，给中国的各类装备研发生产企业以年百亿级别的资金支持，派出国家院士团队全力支持研发，不愁一年两...
光刻机技术很难吗,为何只有极少国家掌握了该技术?
光刻机的技术的确很难，哪怕放眼世界上的发达国家当中，也就是荷兰和日本两大国家拥有光刻机，并且大多数顶尖的技术都是被荷兰asml公司给掌握垄断的，这一家公司集合了很多欧美国家的技术，也有了时间的沉淀，所以才成为了世界上光刻机的王牌，并不是一朝一夕就可以做到的，我国还是需要很长的路要走。
精度仅90nm,国产光刻机有无存在的必要?
虽然我国的光刻机技术还不是很成熟，但也是不可缺少的。目前全世界光刻机最好的也只有荷兰的ASML公司能够制造出来，虽然我国的光刻机精度不是很高，但却是一个必须存在的东西。如果按照目前的科技水平来看，90nm的精度并不能做什么，就算是用90nm光刻机制作出来的芯片在一些性能上也是不合格的，甚至...
精度仅90nm,国产光刻机有无存在的必要
三、基于国家极端风险，精度90nm的国产光刻机必须存在。在国家层面上，光刻机的精度和工艺，肯定是越先进越好。我国肯定希望可以进行进入7nm，甚至更高精度的层次。可惜，现实的情况有种种的困难，让我们国家没有办法短时间内进入芯片制程高精度的层次。在没有办法进入高精度层次的情况之下，保证低精度层次...
国产芯片与美国芯片的差距在哪儿,最快多久才能赶超?
许多人认为中国的芯片制造工艺不行,的确目前国产的光刻机只能达到90nm的精确度,国内最好的芯片代工厂中芯国际的工艺水平也只在28nm-14nm之间。但是芯片厂商完全可以找技术先进的代工厂,例如华为的麒麟970和苹果手机的芯片都是让台积电代工。从芯片制造环节本身来说,芯片制造属于产业链的下游,中国和美国都是外包的。
在美国的打压下,华为能挺住吗?
华为早已展开了积极的自救,在大量储备芯片,分散芯片来源同时;帮助国内产业链相关公司提升自身技术水平,增强供应的自主性。 光刻机是我国半导体制造业最大的短板,国内的高校、研究机构及企业已经在国家的支持下,开展了积极有效的工作,力争在最短的时间内解决高端光刻机的国产化问题。 观聊天下的观点: 美国的打击行为...
国泓(温州)控股有限公司:突破光刻机“卡脖子”到底难在哪?
1.光刻机需要什么样的光？光刻分辨率是光刻曝光系统最重要的技术指标之一。为实现更精确的光刻，必须提高分辨率。这主要有两种方法：减少光源波长或提高数值孔径。换句话说，短波长光源、大数值孔径透镜是提高光刻机曝光分辨力的最有效方法。光刻机曝光刻蚀原理示意图 DUV（深紫外线）和EUV（极深紫外线）...
光刻机技术加速突破,美专家:ASML的时代正在结束
光刻机技术正在加速突破。例如，日本的佳能和尼康重新进入光刻机领域，计划于2023年研发出先进的3D光刻机。俄罗斯也在计划研发先进的光刻机技术，使用比ASML公司EUV光刻机使用的极紫外光源波长更短的X射线。这些技术都可能比ASML公司的技术更为先进。此外，台积电、三星、苹果等芯片制造商也在加快封装工艺...
光刻机技术加速突破,美专家:ASML的时代正在结束
还有俄罗斯也正在计划研发先进的光刻机技术，并使用比ASML公司所生产的EUV光刻机使用的极紫外光源波长更短的X射线来研发光刻机；可以说日俄所研发的光刻机技术都是要比ASML公司的光刻机技术更加先进的！另外，还有台积电、三星、苹果等芯片厂家也在加快对封装工艺技术的研发，想要以此来摆脱对台积电已经...
泊耐胸腺： 暂时不能光刻机不是一项单一的技术,而是现代各项高科技技术的集成,成品背后需要无数的产业链支持,以中国现在的科技水平暂时还不能造出.当中国专家去荷兰阿斯...
宽城区17894503344： 以中国现在的科技实力,造出像高通那样的商业化芯片需要多久?？
泊耐胸腺： 设计是可以设计的出,比如华为海思就已经设计出来了,但是生产方面无法搞定,你就是让高通来他们也是找人代工的.而且这个不是有时间就能解决的问题,制造高制程芯片的高端光刻机是对中国禁售的,所以根本无法生产.如果要从头研发光刻机,那花费的时间得10年起了.更何况如果以其他厂商现有产品为竞争对象研发,等你的光刻机研发出来,那已经是过时很久的光刻机了.
宽城区17894503344： 光刻技术的原理是什么? - ？
泊耐胸腺： 光刻工艺是利用类似照相制版的原理,在半导体晶片表面的掩膜层上面刻蚀精细图形的表面加工技术.也就是使用可见光和紫外光线把电路图案投影“印刷”到覆有感光材料的硅晶片表面,再经过蚀刻工艺去除无用部分,所剩就是电路本身了....
宽城区17894503344： 光学光刻技术的极限是多少 - ？
泊耐胸腺： 这要看你的曝光机的精密度,范围比较大的在2um左右吧,极限肯定要比这个小
宽城区17894503344： 为什么说光刻技术决定着微电子技术的发展 - ？
泊耐胸腺： 个人觉得光刻技术主要看光刻胶的分辨率跟光刻机的分辨率,分辨率越高代表着制成线路可以做的越窄,线路越窄则单个芯片可以做的越小单位面积晶圆上面可以做的芯片数量越多,芯片小了就可以达到更高规模的集成数量,还可以大大节省成本,这就能决定微电子技术的发展啦.
宽城区17894503344： 目前最先进是多少纳米? - ？
泊耐胸腺： 中企最高技术28纳米,而且还是中芯挖的台干带来的技术芯片工艺最重要的机器是光刻机,目前被欧洲垄断.欧洲有条约禁止向社会主义国家出口类似光刻机的高科技设备
宽城区17894503344： 无掩膜光刻,什么是无掩膜光刻 - ？
泊耐胸腺： 无掩膜光刻是一类不采用光刻掩膜版的光刻技术,即采用电子束直接在硅片上制作出需要的图形.无掩膜光刻机可以读取任何CAD数据,除此之外,无掩膜光刻机还可以读取Bitmap, PNG, DXF, GDSⅡ等其它格式,无掩膜光刻其具备分辨率高、成本较低等优势,但也存在着生产效率低、电子束之间的干扰易造成邻近效应等缺陷.
宽城区17894503344： 被减数减去括号两个减数相加属于什么定律? - ？
泊耐胸腺： 结合律. 结合律.
宽城区17894503344： 中国哪家的光刻机功能,性能最好?？
泊耐胸腺： 上海微电子装备有限公司的步进式扫描光刻机吧,估计是中国最先进的了.SSA600/20 步进扫描投影光刻机采用0.75数值孔径和四倍缩小倍率的ArF投影物镜、工艺自适应调焦调平技术,以及高速高精的自减振六自由度工件台掩模台技术,实现可用于前道IC制造90nm关键层和非关键层的先进光刻设备.此外,该设备通过采用多种可供选择的先进专利照明技术,并配合其他分辨率增强技术,能够满足客户高于90nm分辨率的生产需求.该设备可用于8寸线或12寸线的大规模工业生产. 本人亲自用过,号称能有90nm分辨率但是实际使用情况看2um还是能达到的.6寸、8寸、12寸都能生产,人际界面良好,效率还算可以,跟国外同类型机器相比故障率稍高.
宽城区17894503344： 光刻机工作原理 - ？
泊耐胸腺： 光刻机/紫外曝光机(Mask Aligner) 又名:掩模对准曝光机,曝光系统,光刻系统等.常用的光刻机是掩膜对准光刻,所以叫 Mask Alignment System.一般的光刻工艺要经历硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻胶、软烘、对准曝光、后烘、显影、硬烘、刻蚀等工序.Photolithography(光刻) 意思是用光来制作一个图形(工艺);在硅片表面匀胶,然后将掩模版上的图形转移光刻胶上的过程将器件或电路结构临时“复制”到硅片上的过程.
