怎样检测可控硅模块
单向可控硅用万用表测量好坏用电阻x1k档,正、反向测量A、K之间的电阻值,均接近无穷大;用电阻x10Ω档测量G、K之间的电阻,从十几欧姆至百欧姆,功率越大欧姆值越小。
正、反向电阻值相等或差异极小。说明可控硅的G、K并不像一般三极管的发射结,有明显的正、反向电阻的差异。这种测量方式是有局限性的,当A、K之间已呈故障开路状态时,则无法测出好坏。有的G、K间电阻值极小,也难以判别两控制极是否已经短路如阴极A接黑表笔,阴极K接红表比时,万用表的指针发生偏转,就说明这单向可控硅已经遭到损坏。
1、单向可控硅的检测。
万用表选电阻R*1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑表笔的引脚为控制极G,红表笔的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A。此时将黑表笔接已判断了的阳极A,红表笔仍接阴极K。此时万用表指针应不动。用短线瞬间短接阳极A和控制极G,此时万用表电阻挡指针应向右偏转,阻值读数为10欧姆左右。如阳极A接黑表笔,阴极K接红表笔时,万用表指针发生偏转,说明该单向可控硅已击穿损坏。
2、双向可控硅的检测。
用万用表电阻R*1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻,结果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时,该组红、黑表所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G,另一空脚即为第二阳极A2。确定A1、G极后,再仔细测量A1、G极间正、反向电阻,读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1,红表笔所接引脚为控制极G。将黑表笔接已确定的第二阳极A2,红表笔接第一阳极A1,此时万用表指针不应发生偏转,阻值为无穷大。再用短接线将A2、G极瞬间短接,给G极加上正向触发电压,A2、A1间阻值约10欧姆左右。随后断开A2、G间短接线,万用表读数应保持10欧姆左右。互换红、黑表笔接线,红表笔接第二阳极A2,黑表笔接第一阳极A1。同样万用表指针应不发生偏转,阻值为无穷大。用短接线将A2、G极间再次瞬间短接,给G极加上负的触发电压,A1、A2间的阻值也是10欧姆左右。随后断开A2、G极间短接线,万用表读数应不变,保持在10欧姆左右。符合以上规律,说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判断正确。
检测较大功率可控硅时,需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池,以提高触发电压。
晶闸管管脚的判别可用下述方法:
先用万用表R*1K挡测量三脚之间的阻值,阻值小的两脚分别为控制极和阴极,所剩的一脚为阳极。再将万用表置于R*10K挡,用手指捏住阳极和另一脚,且不让两脚接触,黑表笔接阳极,红表笔接剩下的一脚,如表针向右摆动,说明红表笔所接为阴极,不摆动则为控制极。
可控硅(SCR)国际通用名称为Thyyistoy,中文简称晶闸管。它能在高电压、大电流条件下工作,具有耐压高、容量大、体积小等优点,它是大功率开关型半导体器件,广泛应用在电力、电子线路中。
1. 可控硅的特性。
可控硅分单向可控硅、双向可控硅。单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚。双向可控硅有第一阳极A1(T1),第二阳极A2(T2)、控制极G三个引出脚。
只有当单向可控硅阳极A与阴极K之间加有正向电压,同时控制极G与阴极间加上所需的正向触发电压时,方可被触发导通。此时A、K间呈低阻导通状态,阳极A与阴极K间压降约1V。单向可控硅导通后,控制器G即使失去触发电压,只要阳极A和阴极K之间仍保持正向电压,单向可控硅继续处于低阻导通状态。只有把阳极A电压拆除或阳极A、阴极K间电压极性发生改变(交流过零)时,单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。单向可控硅一旦截止,即使阳极A和阴极K间又重新加上正向电压,仍需在控制极G和阴极K间有重新加上正向触发电压方可导通。单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态,用它可制成无触点开关。
双向可控硅第一阳极A1与第二阳极A2间,无论所加电压极性是正向还是反向,只要控制极G和第一阳极A1间加有正负极性不同的触发电压,就可触发导通呈低阻状态。此时A1、A2间压降也约为1V。双向可控硅一旦导通,即使失去触发电压,也能继续保持导通状态。只有当第一阳极A1、第二阳极A2电流减小,小于维持电流或A1、A2间当电压极性改变且没有触发电压时,双向可控硅才截断,此时只有重新加触发电压方可导通。
2. 单向可控硅的检测。
万用表选电阻R*1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚,此时黑表笔的引脚为控制极G,红表笔的引脚为阴极K,另一空脚为阳极A。此时将黑表笔接已判断了的阳极A,红表笔仍接阴极K。此时万用表指针应不动。用短线瞬间短接阳极A和控制极G,此时万用表电阻挡指针应向右偏转,阻值读数为10欧姆左右。如阳极A接黑表笔,阴极K接红表笔时,万用表指针发生偏转,说明该单向可控硅已击穿损坏。
3. 双向可控硅的检测。
用万用表电阻R*1Ω挡,用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻,结果其中两组读数为无穷大。若一组为数十欧姆时,该组红、黑表所接的两引脚为第一阳极A1和控制极G,另一空脚即为第二阳极A2。确定A1、G极后,再仔细测量A1、G极间正、反向电阻,读数相对较小的那次测量的黑表笔所接的引脚为第一阳极A1,红表笔所接引脚为控制极G。将黑表笔接已确定的第二阳极A2,红表笔接第一阳极A1,此时万用表指针不应发生偏转,阻值为无穷大。再用短接线将A2、G极瞬间短接,给G极加上正向触发电压,A2、A1间阻值约10欧姆左右。随后断开A2、G间短接线,万用表读数应保持10欧姆左右。互换红、黑表笔接线,红表笔接第二阳极A2,黑表笔接第一阳极A1。同样万用表指针应不发生偏转,阻值为无穷大。用短接线将A2、G极间再次瞬间短接,给G极加上负的触发电压,A1、A2间的阻值也是10欧姆左右。随后断开A2、G极间短接线,万用表读数应不变,保持在10欧姆左右。符合以上规律,说明被测双向可控硅未损坏且三个引脚极性判断正确。
检测较大功率可控硅时,需要在万用表黑笔中串接一节1.5V干电池,以提高触发电压。
晶闸管(可控硅)的管脚判别
晶闸管管脚的判别可用下述方法: 先用万用表R*1K挡测量三脚之间的阻值,阻值小的两脚分别为控制极和阴极,所剩的一脚为阳极。再将万用表置于R*10K挡,用手指捏住阳极和另一脚,且不让两脚接触,黑表笔接阳极,红表笔接剩下的一脚,如表针向右摆动,说明红表笔所接为阴极,不摆动则为控制极。[url= http://www.quick-sine.com/cn/showsc.asp?lanmuid=0&id=39] http://www.quick-sine.com/cn/showsc.asp?lanmuid=0&id=39[/url]
一、概述一种以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件,创制于1957年,由于它特性类似于真空闸流管,所以国际上通称为硅晶体闸流管,简称晶闸管T。又由于晶闸管最初应用于可控整流方面所以又称为硅可控整流元件,简称为可控硅SCR。
在性能上,可控硅不仅具有单向导电性,而且还具有比硅整流元件(谷称“死硅”)更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。
可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备,如果超过此频率,因元件开关损髦显著增加,允许通过的平均电流相降低,此时,标称电流应降级使用。
可控硅的优点很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍数高达几十万倍;反应极快,在微秒级内开通、关断;无触点运行,无火花、无噪音;效率高,成本低等等。
可控硅的弱点:静态及动态的过载能力较差;容易受干扰而误导通。
可控硅从外形上分类主要有:螺栓形、平板形和平底形。二、可控硅元件的结构和型号1、结构
不管可控硅的外形如何,它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构。见图1。它有三个PN结(J1、J2、J3),从J1结构的P1层引出阳极A,从N2层引出阴级K,从P2层引出控制极G,所以它是一种四层三端的半导体器件
图1、可控硅结构示意图和符号图2、型号目前国产可控硅的型号有部颁新、旧标准两种,新型号将逐步取代旧型号。表一 KP型可控硅新旧标准主要特性参数对照表参数部颁新标准(JB1144-75)部颁旧标准(JB1144-71)序号KP型右控硅整流元件3CT系列可控硅整流元件1额定通态平均电流(IT(AV))额定正向平均值电流(IF)2断态重复峰值电压(UDRM)正向阻断峰值电压(UPF)3反向重复峰值电压(URRM)反向峰值电压(VPR)4断态重复平均电流(IDR(AV))正向平均漏电流(I)5反向重复平均电流(IRR(AV))反向平均漏电电流(IRL)6通态平均电压(UT(AV))最大正向平均电压降(VF)7门极触发电流(IGT)控制极触发电流(Ig)8门极触发电压(UGT)控制极触发电压(Vg)9断态电压临界上升率(du/dt)极限正向电压上升率(dV/dt)10维持电流(IH)维持电流(IH)11额定结温(TjM)额定工作结温(Tj)KP型可控硅的电流电压级别见表二
表二、KP型可控硅电流电压级别额定通态平均
电流IT(AV)(A)1,5,10,20,30,50,100,200,300,400,500,600,700,800,100正反向重复
峰值电压UDRM,
URRM(×100)(V)1~10,12,14,16,18,20,22,24,26,,28,30通态平均电压
UT(AV)(V) ABCDEFGHI≤0.40.4~0.50.5~0.60.6~0.70.7~0.80.8~0.90.9~1.01.0~1.11.1~1,2示例:
(1)KP5-10表示通态平均电流5安,正向重复峰值电压1000伏的普通反向阻断型可控硅元件。
(2)KP500-12D表示通态平均电流500安,正、反向重复峰值电压1200伏,通态平均电压0.7伏的业通反向阻断型可控硅元件。
(3)3CT5/600表示通态平均电流5安,正、反向重复峰值电压600伏的旧型号普通可控硅元件。三、可控硅元件的工作原理及基本特性1、工作原理
可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件,共有三个PN结,分析原理时,可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成,其等效图解如图2所示
图2、可控硅等效图解图当阳极A加上正向电压时,BG1和BG2管均处于放大状态。此时,如果从控制极G输入一个正向触发信号,BG2便有基流ib2流过,经BG2放大,其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连,所以ib1=ic2。此时,电流ic2再经BG1放大,于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极,表成正反馈,使ib2不断增大,如此正向馈循环的结果,两个管子的电流剧增,可控硅使饱和导通。
由于BG1和BG2所构成的正反馈作用,所以一旦可控硅导通后,即使控制极G的电流消失了,可控硅仍然能够维持导通状态,由于触发信号只起触发作用,没有关断功能,所以这种可控硅是不可关断的。
由于可控硅只有导通和关断两种工作状态,所以它具有开关特性,这种特性需要一定的条件才能转化,此条件见表三表三、可控硅导通和关断条件状态条件说明从关断到导通1、阳极电位高于是阴极电位
2、控制极有足够的正向电压和电流两者缺一不可维持导通1、阳极电位高于阴极电位
2、阳极电流大于维持电流两者缺一不可从导通到关断1、阳极电位低于阴极电位
2、阳极电流小于维持电流任一条件即可2、基本伏安特性可控硅的基本伏安特性见图3
图3、可控硅基本伏安特性(1)反向特性 当控制极开路,阳极加上反向电压时(见图4),J2结正偏,但J1、J2结反偏。此时只能流过很小的反向饱和电流,当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后,接差J3结也击穿,电流迅速增加,图3的特性开始弯曲,如特性OR段所示,弯曲处的电压URO叫“反向转折电压”。此时,可控硅会发生永久性反向击穿。
(2)正向特性 当控制极开路,阳极上加上正向电压时(见图5),J1、J3结正偏,但J2结反偏,这与普通PN结的反向特性相似,也只能流过很小电流,这叫正向阻断状态,当电压增加,图3的特性发生了弯曲,如特性OA段所示,弯曲处的是UBO叫:正向转折电压
图4、阳极加反向电压
图5、阳极加正向电压由于电压升高到J2结的雪崩击穿电压后,J2结发生雪崩倍增效应,在结区产生大量的电子和空穴,电子时入N1区,空穴时入P2区。进入N1区的电子与由P1区通过J1结注入N1区的空穴复合,同样,进入P2区的空穴与由N2区通过J3结注入P2区的电子复合,雪崩击穿,进入N1区的电子与进入P2区的空穴各自不能全部复合掉,这样,在N1区就有电子积累,在P2区就有空穴积累,结果使P2区的电位升高,N1区的电位下降,J2结变成正偏,只要电流稍增加,电压便迅速下降,出现所谓负阻特性,见图3的虚线AB段。
这时J1、J2、J3三个结均处于正偏,可控硅便进入正向导电状态---通态,此时,它的特性与普通的PN结正向特性相似,见图3中的BC段
3、触发导通
在控制极G上加入正向电压时(见图6)因J3正偏,P2区的空穴时入N2区,N2区的电子进入P2区,形成触发电流IGT。在可控硅的内部正反馈作用(见图2)的基础上,加上IGT的作用,使可控硅提前导通,导致图3的伏安特性OA段左移,IGT越大,特性左移越快。
图6、阳极和控制极均加正向电压
可控硅模块测量好坏
这大功率器件的测量最好翻一下它的测试条件按那进行。因只用万用表来测时它的电流、电压都 太小可能会测出你认为坏了的现象。
kr500焊机模块是怎样测量的
你说的是这个模块吗?这就是晶闸管模块,就是常说的可控硅,这个模块是将三个单向可控硅共阳连接封装在一块的,检测时就是按可控硅的检测方法分别检测,具体方法如下:用万用表R×1K或R×10K挡测阴极(K)与阳极(A)之间的正反向电阻(控制极不接电压),此两个阻值均应很大。电阻值越大,表明正...
请问什么叫可控硅模块,他的工作原理是什么,用在哪些方面?
可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件,共有三个PN结,分析原理时,可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成,当阳极A加上正向电压时,BG1和BG2管均处于放大状态。此时,如果从控制极G输入一个正向触发信号,BG2便有基流ib2流过,经BG2放大,其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的...
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可控硅 测试 仪做什么用的?
它可以测量各种大小 功率的单双向可控硅(晶闸管),小至TO-92、TO-126、TO-220、TO-3P等封装的单双向可控硅,大至 1000A的平板型可控硅、螺栓型可控硅和各种组合模块,可以测量触发电流IGT、触发电压VGT、断态不重 复峰值电压VDSM、反向不重复峰值电压VRSM等可控硅主要参数,该仪器主要用于可控硅使用...
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跪求高人指教 可控硅模块 MTC55-16 电路图上 K1 K2 A1 A1 G1G2 分 ...
单相可控硅,你熟悉不?模块里面是两个单相可控硅!K1 、 A1 、 G1是一个可控硅的三个极; K2 、 A2、G2 是另一个可控硅的三个极。不过这两个可控硅有一个连接点。一般是其中一个可控硅的A极与另一个可控硅的K相连接。G是控制极,接脉冲触发回路。 A、K是阳极、阴极,接主回路,不过...
关于可控硅整流模块的问题
你如果只是拿来当继电器用就简单了,最简单的就是用小继电器或者小开关直接控制模块上两个G,当两个G接通模块就导通,断开就关闭。只能用MTX或MTC的,只有这两种才能用作交流开关。把两只可控硅反向并联,具体参照模块上的结构图。
守垂复方: 最低0.27元开通文库会员,查看完整内容>原发布者:℡↘ぁ爱莪所爱双向可控硅好坏检测方法双向可控硅是在普通可控硅的基础上发展而成的,它不仅能代替两只反极性并联的可控硅,而且仅需一个触发电路,是比较理想的交流开关器件....
鹤岗市18541886822: 求大神怎么测量可控硅的好坏四个引脚 - ?
守垂复方: 用万用表测量触发两个脚的电阻,正反向都差不多,功率越大,电阻越小.用9V电池接到触发端子上,用万用表电阻档测量,一边导通的就是好的.这个是最笨的办法了,乐清市艾维电气有限公司,专业生产控硅模块
鹤岗市18541886822: co2焊机可控硅模块怎样知道好坏有图 - ?
守垂复方: 与普通单管可控硅检测方法一样,1、用万用表电阻档两驱动阻值在10-200欧姆,过高过低都有问题;10K档量可控硅间无穷大,有阻值就坏了.2、给驱动施加一个1·5伏电压,用表二极管档量可控硅间是否有单相导通,无,就坏了.一般模块上都有连线图,只不过是两个、三个而已.
鹤岗市18541886822: 怎样检测可控硅模块,有可控硅模块检测简易装置吗.?
守垂复方: 有检测装置,在晶闸管厂家这是必须的仪器.你如果是晶闸管用的不是很多的话,完全没必要买那设备.可以用万用表简单测量一下电阻.阳极阴极正反表笔都无穷大.触发极和阴极10多欧到300欧.晶闸管十几个参数,作为一般应用不必要都去检测.若是做仪表维修工,更不用去管那些参数了.可以自己做个建议试验装置.方法是:找一台“可控硅电源”,把里面的可控硅拆下.用绝缘板做个支架用来简单固定待测可控硅.把可控硅电源里面那四根线引出来(两根粗的两个细的)接到待测可控硅上.负载可以用“电炉子”.接下来你该直到怎么做了吧,也能判断出好坏来了吧
鹤岗市18541886822: 怎样判断VHF - 36 - 16 - I05可控硅模块好坏6个脚 ?
守垂复方: 硅分单向可控硅、双向可控硅.单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G三个引出脚.双向可控硅有第一阳极A1(T1),第二阳极A2(T2)、控制极G三个引出脚. 只有当单向可...
鹤岗市18541886822: 气动点焊机可控硅模块好坏测量?
守垂复方: 如果对可控硅不了解,还真不好说,不过简单点的话,用万用表欧姆档,1*1000档位测量阴极阳极是否击穿,就是正反向量,如果换方向以后都导通 那就是可控硅穿了,如果没有问题那就是 控制极有问题了,可以参照三极管的量法
鹤岗市18541886822: MTC400A 1600V双向可控硅如何测量好坏 - ?
守垂复方: 用指针万用表ΩX1档,红笔接T1,黑笔同时接T2和G,指针应偏转较大.然后,在保持黑笔与T2连接的情况下,让黑笔脱开G,指针应保持不变,说明能维持导通,为正常. 单向可控硅的话,就到此为止了.对于双向可控硅,还要交换红、黑笔,重复上述过程,以表示双向均完好. 双向二极管只能用万用表测其是否击穿短路,别无它法.
鹤岗市18541886822: 怎样检测模块SKKT 330/16E - ?
守垂复方: 可控硅(SCR)国际通用名称为Thyyistoy,中文简称晶闸管.它能在高电压、大电流条件下工作,具有耐压高、容量大、体积小等优点,它是大功率开关型半导体器件,广泛应用在电力、电子线路中. 1. 可控硅的特性. 可控硅分单向可控硅、...
鹤岗市18541886822: 如何判断电力控制器中可控硅的好坏 - ?
守垂复方: 简单的就是万用表1K档测阴极和阳极的正反向电阻,表针应保持不动,控制极和阴极用判断二极管的方法测量
鹤岗市18541886822: 大功率IGBT模块 测量 有两个信号k 1 可 两个g1. g2 - ?
守垂复方: 可控硅模块测量方法: 测量工具:数字万用表,电阻档模式. 方法: 1、正常情况下负表笔接A端(可控硅的共阴极,就是金属散热底版)正表笔分别接K1、K2、K3(就是1、2、3交主接点)显示均应为开路状态即阻值无穷大; 2、正常情况...