急求三极管基本放大电路实验报告

求晶体管放大电路的设计与调试电路实验报告~

放大电路
图纸
我到时候发哪里去给你
o

三极管有电流放大作用，但是要有个条件，你知道吗？

一．实验目的
1．对晶体三极管(3DG6、9013)、场效应管（3DJ6G）进行实物识别，了解它们的命名方法和主要技术指标。
2．学习用数字万用表、模拟万用表对三极管进行测试的方法。
3．用图3-10提供的电路，对三极管的β值进行测试。
4．学习共射、共集电极（*）、共基极放大电路静态工作点的测量与调整，以及参数选取方法，研究静态工作点对放大电路动态性能的影响。
5．学习放大电路动态参数（电压放大倍数、输入电阻、输出电阻、最大不失真输出电压）的测量方法。
6. 调节CE电路相关参数，用示波器观测输出波形，对饱和失真和截止失真的情况进行研究。
7．用Multisim软件完成对共射极、共集电极、共基极放大电路性能的分析，学习放大电路静态工作点的测试及调整方法，观察测定电路参数变化对放大电路的静态工作点、电压放大倍数及输出电压波形的影响。加深对共射极、共集电极、共基极基本放大电路放大特性的理解。
二．知识要点
1．半导体三极管
半导体三极管是组成放大电路的核心器件，是集成电路的组成元件，在电路中主要用于电流放大、开关控制或与其他元器件组成特殊电路等。
半导体三极管的种类较多，按制造材料不同有硅管、锗管、砷化镓管、磷化镓管等；按极性不同有NPN型和PNP型；按工作频率不同有低频管、高频管及超高频管等；按用途不同有普通管、高频管、开关管、复合管等。其功耗大于1W的属于大功率管，小于1W的属于小功率管。
半导体三极管的参数主要有电流放大倍数β、极间反向电流ICEO、极限参数（如最高工作电压VCEM、集电极最大工作电流ICM、最高结温TjM、集电极最大功耗PCM）以及频率特性参数等。有关三极管命名、类型以及参数等可查阅相关器件手册。
下面给出几种常用三极管的参数举例如表3-01所示：
表3-01 几种常用三极管的参数
参数 PCM(mW） ICM(mA) VBRCBO(V) ICBO(μA hFE fT(MHz) 极性
3DG100D 100 20 40 1 4 0.01 NPN
3DG200A 100 20 15 0.1 25~270 0.01 NPN
CS9013H 400 500 25 0.5 144 150 NPN
CS9012H 600 500 25 0.5 144 150 PNP
参数 VP(V) IDSS gm(mA/V) PDM(mW) rGS（Ω） fM
3DJ6G -9 3~6.5 1 100 108 30 N沟道
2．半导体三极管的识别与检测
半导体三极管的类型有NPN型和PNP型两种。可根据管子外壳标注的型号来判别是NPN型，还是PNP型。在半导体三极管型号命名中，第二部分字母A、C表示PNP型管；B、D表示NPN型管；而A、B表示锗材料；C、D表示硅材料。另外，目前市场上广泛使用的9011～9018系列高频小功率9012、9015为PNP型，其余为NPN型。半导体三极管的型号和命名方法，与半导体二极管的型号及命名方法相同，详见康华光第四版P44页附录或者参考有关手册。
(1)三极管的电极和类型判别
1) 直观辨识法。
半导体三极管有基极(B)、集电极(C)和发射极(E)三个电极，如图3-11所示，常用三极管电极排列有E-B-C、
B-C-E、C-B-E、E-C-B等多种形式。
2) 特征辨识法。如图3-01所示，有些三极管用结构特征标识来表示某一电极。如高频小功率管3DGl2、3DG6的外壳有一小凸起标识，该凸起标识旁引脚为发射极；金属封装低频大功率管3DD301、3AD6C的外壳为集电极等。

图3-11 三极管结构特征标识极性
3) 万用表欧姆档判别法
如图3-12所示，选用指针式万用表欧姆档R×lkΩ档。首先判定基极b方法：用万用表黑表笔碰触某一极，再用红表笔依次碰触另外两个电极，并测得两电极间阻值。若两次测得电阻均很小(为PN结正向电阻值)，则
黑表笔对应为基极且此管为NPN型；或
者两次测得电阻值均很大(为PN结反向
电阻值)，但交换表笔后再用黑笔去碰触
另两极，也测量两次，若两次阻值也很小，
则原黑表笔对应为管子基极，且此管为
PNP型。注意：指针式万用表欧姆档时，
黑表笔则为正极，红表笔为负极；这与 （a） （b）
数字式万用表不同。 图3-12 万用表欧姆档判别法
其次，判别集电极和发射极。其基本原理是把三极管接成基本放大电路，利用测量管子的电流放大倍数值β的大小，来判定集电极和发射极。
以NPN管为例说明，如图3-12b所示，基极确定后，不管基极，用万用表两表笔分别接另两电极，用100kΩ的电阻一端接基极，电阻的另一端接万用表黑表笔，若表针偏转角度较大，则黑表笔对应为集电极，红表笔对应为发射极。也可用手捏住基极与黑表笔(但不能使两者相碰)，以人体电阻代替l00kΩ电阻的作用(对于PNP型，手捏红表笔与基极)。
上面这种方法，实质上是把三极管接成了正向偏置状态，若极性正确，则集电极有较大电流。
(2)硅管、锗管的判别 根据硅材料PN结正向电阻较锗材料大的特点，可用万用表欧姆R×1kΩ档测定，若测得PN结正向阻值约为3～l0kΩ，则为硅材料管；若测得正向阻值约为50～1kΩ，则为锗材料管。或测量发射结(集电结)反向电阻值，若测得反向阻值约为500kΩ，则为硅材料管；若测得反向阻值约为100kΩ，则为锗材料管。
3．三极管场效应管放大电路
共射极放大电路既有电流放大作用，又有电压放大作用，故常用于小信号的放大。改变电路的静态工作点，可调节电路的电压放大倍数。而电路工作点的调整，主要是通过改变电路参数(Rb、Rc)来实现。(负载电阻RL的变化不影响电路的静态工作点，只改变电路的电压放大倍数。)该电路信号从基极输入，从集电极输出。输入电阻与相同材料的二极管正向偏置电阻相当，输出电阻较高，适用于多级放大电路的中间级。
共集电极放大电路信号由晶体管基极输入，发射极输出。由于其电压放大倍数Av接近于l，输出电压具有随输入电压变化的特性，故又称为射极跟随器。该电路输入电阻高，输出电阻低，适用于多级放大电路的输入级、输出级，还可以作为中间阻抗变换级。
共基极放大电路信号由晶体管发射极输入，集电极输出。其电流放大倍数Ai接近于1但恒小于1，(又叫电流跟随器)，电压放大倍数Av共射极放大器相同，且输入电压与输出电压同相。其输入电阻低，只有共射放大电路的l／(1+β)倍，输出电阻高，输入端与输出端之间没有密勒电容，电路频率特性好，适用于宽带放大电路。
下面以图3-13基本共射放大电路为例进行说明。
(1)放大电路静态工作点的测量和调试
由于电子元件性能的分散性很大，在
制作晶体三极管放大电路时，离不开测量
和调试技术。在完成设计和装配之后，还
必须测量和调试放大电路的静态工作点及
各项指标。一个优质的放大电路，一个最
终的产品，一定是理论计算与实验调试相
结合的产物。因此，除了熟悉放大电路的
理论设计外，还必须掌握必要的测量和调
试技术。
放大电路的测量和调试主要包括放大
电路静态工作点的测量和调试、放大电路 图3-13 基本共射放大电路（固定偏置式）
各项动态指标的测量和调试、消除放大电路的干扰和自激等。在进行测试之前，务必先检查
三极管的好坏，并确定具体的β值。
1)静态工作点Q的测量
放大电路静态工作点的测量是在不加输入信号(即VI=0)的情况下进行的。
静态工作点的测量是指三极管直流电压VBEQ、VCEQ和电流I CQ的测量。应选用合适的直流电压表和直流毫安表，分别测量三极管直流电压VBEQ、VCEQ和I CQ。为了避免更改接线，采用电压测量法来换算电流。例如，只要测出实际的Rb、RC的阻值，即可由 ； ；（或 ）
提示：在测量各电极的电位时最好选用内阻较高的万用表，否则必须考虑到万用表内阻对被测电路的影响。
2)静态工作点的调整
测量静态工作点I CQ和VCEQ的目的是了解静态工作点的设置是否合适。若测出VCEQ <0.5 V，则说明三极管已进入饱和状态；如果VCE≈VCC，则说明三极管工作在截止状态。对于一个放大双极性信号(交流信号)的放大电路来说，这两种情况下的静态偏置都不能使电路正常工作，需要对静态工作点进行调整。如果是出现测量值与选定的静态工作点不一致，也需要对静态工作点进行调整。否则，放大后的信号将出现严重的非线性失真和错误。
通常，VCC 、Rc都已事先选定，当需要调整工作点时，一般都是通过改变偏置电阻Rb来实现。应当注意的是．如果偏置电阻Rb选用的是电位器，在调整静态工作点时，若不慎将电位器阻值调整过小(或过大)，则会使IC过大而烧坏管子，所以应该用一只固定电阻与电位器串联使用。图3-18电路中是用Rb1和电位器Rb2串联构成Rb。
2．放大电路的动态指标测试
放大电路的主要指标有电压放大倍数Av、输入电阻Ri、输出电阻Ro,以及最大不失真输出电压VO(max)等。在进行动态测试时，各电子仪器与被测电路的连接如图3-14所示。实验电路则如后面的图3-18所示。

图3-14 实验电路与各测试仪器的连接
提示：为防止干扰，各仪器的公共接地端与被测电路的公共接地端应连在一起。同时，信号源、毫伏表和示波器的信号线通常都采用屏蔽线，而直流电源VCC的正、负电源线可只需普通导线即可。
(1)电压放大倍数Av的测量
输入信号选用1KHz、约5 mV的正弦交流信号，用示波器观察放大电路输出电压VO的波形，在输出信号没有明显失真的情况下，用毫伏表测得VO和VI，于是可得 。
(2)最大不失真输出电压的测量
放大电路的线性工作范围与三极管的静态工作点位置有关。当I CQ偏小时，放大电路容易产生截止失真；而I CQ偏大时，则容易产生饱和失真。需要指出的是，当I CQ增大时，VO波形的饱和失真比较明显，
波形下端出现“削底”，如
图3-15a所示。而当I CQ
减小时，VO波形将出现截
止失真，如图3-15b所
示，波形上端出现“削顶”。 （a） （b） （c）
当放大电路的静态工作点调 图3-15 静态工作点对输出电压Vo波形的影响
整在三极管线性工作范围的 (a) VO易出现饱和失真 (b)VO易出现截止失真
中心位置时，若输入信号 (c) VO波形上下半周同时出现失真
VI过大，VO的波形也会出现失真，上下同时出现“削顶”和“削顶”失真，如图3-15(c)所示。此时，用毫伏表测出VO的幅度，即为放大电路的最大不失真输出电压Vo（max）。
(3)输入电阻Ri的测量
输入电阻的测量电路如图3-16所示。

图3-16 测量输入电阻的电路
放大电路的输入电阻：
在放大电路的输入端串联一只阻值已知的电阻RS（可取510Ω），见图3-16所示，通过毫伏表分别测出RS两端对地电压，求得RS上的压降(Vs-Vi)，则：
所以有
通过测量VS和Vi来间接地求出RS上的压降，是因为RS两端没有电路的公共接地点。若用一端接地的毫伏表测量，会引入干扰信号，以致造成测量误差。
(4)输出电阻的测量
放大电路的输出端可看成有源二端网络。如图3-17所示。

图3-17 测量输出电阻的电路
用毫伏表测出不接RL时的空载电压Vo’和接负载RL后的输出电压Vo，即可间接地推算RO的大小： 。
(5)放大电路频率特性的测量
放大电路频率特性是指放大电路的电压放大倍数Av，与输入信号频率之间的关系。Av随输入信号频率变化下降到0.707Av。时所对应的频率定义为下限频率 和上限频率 ，通频带为 。
上、下限频率可用以下方法测量：先调节输入信号Vi使Vi频率为1kHz；调节Vi幅度，使输出电压Vo幅度为1V。保持Vi幅度不变，增大信号Vi的频率，Vo幅度随着下降，当Vo下降到0.707 V时，对应的信号额率为上限频率 ；保持Vi幅度不变，降低Vi频率，同样使Vo幅度下降到0.707 V时，
对应的信号频率为下限频率 。
(6)观察截止失真、饱和失
真两种失真现象
测量电路如图3-18所示，
在ICQ=3.0 mA，RL=∞情况下，
增大输入信号，使输出电压保
持没有失真，然后调节电位器
Rb2阻值，改变电路的静态工
作点，使电路分别产生较为明
显的截止失真与饱和失真，测
出产生失真后相应的集电极静
态电流。做好相应的实验记录。 图3-18 共射放大电路举例

图3-19 共射放大电路对应的三个仿真电路图

图3-20 共集电极放大电路举例
三．实验内容
1．查阅手册并测试晶体三极管(3DG100D、CS9013)、场效应管（3DJ6G）的参数，记录所查和所测数据。
2．用晶体三极管3DG100D或CS9013组成如图3-21所示单管共射极放大电路，通过改变电位器R2，使得VCE为4V，测量此时VCEQ、VBEQ、Rb的值，计算放大电路的静态工作点Q对应的三个参数值。

3．在下列两种情况下，测
量放大电路的电压放大倍数和
最大Av不失真输出电压VOMAX。
(1)RL=R4=∞（开路）②RL=R4=
10kΩ。
建议：最初使用1KHz、5mV的正
弦信号作为输入信号进行测试；
然后改变输入信号的幅值，使用
双踪显示方式同时显示VI与
VO，进行监视，尽量选择较大幅
度的正弦信号作为放大器的VI，
在保证VO波形不失真的条件下 图3-21 单管共射极放大电路
进行测量。（若VO波形失真，所测动态参数就毫无意义）。
表3-09 静态数据记录表
实测值 实测计算值
VCE（V） VBE（V） Rb（KΩ） VCEQ（V） IBQ（μA） ICQ（mA）

表3-10 测AV的记录表
实测值 理论估算值 实测计算值
Vi（mV） Vo（mV） AV AV

4． 观察饱和失真和截止失真，并测出相应的集电极静态电流。
5． 测量放大电路的输入电阻Ri和输出电阻Ro。
*6．按照图3-10设计BJT的β测试电路，确定电路中所有元器件和输入电压的参数值，并对测试结果进行比较和误差分析。

图3-10 BJT的β值测试电路图
*7．测量图3-18放大电路带负载时的上限频率 和下限频率 。
*8．实验电路如图3-20 所示，要求仿真并实物实现电路，计算并实测电路的输入电阻和输出电阻。
四．思考题
1．Rb为什么要由一个电位器和一个固定电阻串联组成？
2．电解电容两端的静态电压方向与它的极性应该有何关系？
3．如果仪器和实验线路不共地会出现什么情况？通过实验说明。
五．实验报告
1．按照实验准备的要求完成设计作业一份，并估算放大电路的性能指标。
2．记录实验中测得的有关静态工作点和电路的Au、Vo(max)、Ri和Ro的数据。
3．认真记录和整理测试数据，按要求填入表格并画出输入、输出对应的波形图。
4．对测试结果进行理论分析，找出产生误差的原因。
5．详细记录组装、调试过程中发生的故障或问题，进行故障分析，并说明排除故障的过程和方法。
6．写出对本次实验的心得体会，以及改进实验方法的建议。

提示：
1．组装电路时，不要弯曲三极管的三个电极，应当将它们垂直地插入面包板孔内。
2．先分别组装好电路，经检查无误后，再打开电源开关。
3．测试静态工作点时，应关闭信号源。
4．本实验接点多，元器件多，组装时一定要确保接触良好，否则，会因接触不良，出现错误或造成电路故障。

---

安丘市18996088149： 怎样写三极管共射放大电路的结论.?! - ？
湛幸克塞： 结论:1、共射电路的输出与输入信号反相;2、集电极电流放大并转换成电压放大的形式;主要特点是电流、电压都进行了放大.

安丘市18996088149： 急求三极管三个极之间的电压关系?Ube=0.7?Ubc?Uce? - ？
湛幸克塞： 如果电源为E,集电极电阻为Rc,发射极电阻为Re,集电极电流为Ic,则,Uce≈E-Ic(Rc+Re),Ucb≈E-(Ube+IcRe).这是对NPN型硅管.

安丘市18996088149： 三极管基本放大电路,急!! - ？
湛幸克塞： 共发射极放大电路,在加交流信号时发射结电压电压不会提高(宏观讲),只能加大或减小基极电流. 集电极输出信号反向指的是输入和输出电压信号反向了,原理是这样的:当输入信号变高时,基极电流变大,集电极电流也变大,由于共发电路中集电极电阻的存在,那么集电极电阻上的压降变大,其电源电压是不变的,则集电极电压等于电源电压减去集电极电阻上的压降,此时集电极电压反而减小了.举个例子说明,设电源为10v,集电极电阻为3K,设静态电流Ic=1mA,则Uc=10-1*3=7V,当输入电压变高时,Ib增加,设Ic变为2mA,此时Uc=10-2*3=4V,反之,当输入电压变低时,Uc会变高.这就是反向. 微变等效电路就是只看交流不看直流的分析方法.

安丘市18996088149： 急! 求三极管单管放大电路的计算 - ？
湛幸克塞： 放大倍数=Ic/Ib 其中Ic集电极电流 Ib为基极电流 详细的可以参考模拟电子技术一书 这个不难 祝兄弟马到成功

安丘市18996088149： 单管放大器的实验的实验数据 - ？
湛幸克塞： 静态工作点的Uce为5V,只要波形不失真的幅值都算静态工作点. 静态工作点的Vc=7.8V Ic=1.78mA Vce=5V 负载电阻 8.2K欧姆 5.1K欧姆 2.7K欧姆 输入电压Vi 375mV 375mV 375mV 输出电压Vo 2.53V 2.19V 1.66V 放大倍数 6.75 5.84 4.43

安丘市18996088149： 三极管及单管放大电路工作原理?放大电路静态和动态测量方法? - ？
湛幸克塞： 三极管是电流放大器件,有三个极,分别叫做集电极C,基极B,发射极E.分成NPN和PNP两种.我们仅以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基本原理.下面的分析仅对于NPN型硅三极管.如上图所示,我们把...

安丘市18996088149： 急~简单的三极管电路.怎么计算放大倍数.图 - ？
湛幸克塞： 第一问:很简单,当R9变到最大,Vout就接地了;第二问:很复杂,你的电路Q1作为共射级,输出给Q2,Q2的输出的小信号分为三路:R6>C3>R5>R9>GND;R7>C5>R9>GND;R8>GND;同时第一路会在发射机将信号以负反馈形式送给Q1.第三问:直流工作点,按R8>R6>Q1>R2>R3计算出基极电流,乘以放大系数得到Q2偏置电压.小信号回路相当混乱.你确定能够用电解电容来进行交流耦合吗?100uF的电容是可以砸人了.如果这是哪本教材的例子,这本书不适合学习,换书吧.

安丘市18996088149： 跪求将此三极管分压式电路放大75倍的实验设计和运算结果 - ？
湛幸克塞： 楼主,还是自己计算好些我告诉你3个条件(实际电路):1、流经RB2的电流一般取大于10倍的IB2、考虑放大器的动态范围,RE的电压一般取(1/4~1/6)E...

安丘市18996088149： 急求三极管电流放大电路？
湛幸克塞： <p>用射极输出器吧,电流放大倍数可以计算、控制,输出电阻也很低,能够满足你的要求.单级共集电极电路简单,电路如图:调整电位器47K使电路静态电流2毫安.</p> <p></p>

安丘市18996088149： 在三极管电路放大作用的实验中,测得基极电流Ib为30ua,集电极Ic为1.5mA,该三极管的电流放大 - ？
湛幸克塞： 1.5mA/30uA = 50