功管IGBT.IR20B120YU与FGA25N120可以替换吗
千万不要替换！替换后会工作，但加热效率很低。且过不了多久，管子又要烧掉。
如果H20R1353管的动作环境，也就是集电极发射极两端最大电压不超过1000伏（考虑到峰值电压，超过1000V就不要在替换了）可以使用FGA25N120替换。如果超过了，就不能替换。
H20R1353的最大开关电压是1350V，FGA25N120的最大开路电压是1200V，其他的参数都可以兼容。
H20R1353的主要参数： Vce ，1350V ；Ic ，20A ；Vcesat ，1.6V
FGA25N120的主要参数：Vce :，1200V； Ic ， 25A ；Vcesat ，1.48V
H20R1353的详细参数如下：
H20R1353实物图：
扩展资料：
FGA25N120的详细参数：
晶体管类型：IGBT
集电极直流电流：50A
饱和电压, Vce sat 最大：2.5V
最大功耗：312W
电压, Vceo：1200V
工作温度范围：-55°C to +150°C
封装类型：TO-3P
上升时间：50ns
功率, Pd：312W
功耗：312W
封装类型：TO-3P
晶体管极性：NPN
最大连续电流, Ic：50A
电压, Vces：1200V
电流, Ic @ Vce饱和:25A
电流, Icm 脉冲:75A
表面安装器件:通孔安装
参考资料来源：百度百科-fga25n120
参考资料来源：英飞凌电气官网-产品中心-H20R1353
大功率开关管型号
大功率开关管型号有如下：1、MOSFET：IRF3710、IRF540、IRF640、IRFP460、IRFP4468、IRFB7434等。2、IGBT：IRG4PC50U、IRG4BC20U、IRG4BC30U、IRG4BC40U、IRG4BC50U、IRG4BC60U等。3、绝缘栅双极晶体管（IGBT）：FGC60N60、FGC40N60、FGC25N120、FGC25N60等。4、可控硅（SCR）：MCR100、T...
IGBT模块是不是用二极管档测的不准啊?
(2)有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管,本检测方法中的1、2项不再适用。 (3)目前市场上还有一种VMOS管功率模块,专供交流电机调速器、逆变器使用。例如美国IR公司生产的IRFT001型模块,内部有N沟道、P沟道管各三只,构成三相桥式结构。 (4)现在市售VNF系列(N沟道)产品,是美国Supertex公司生产的超高频功率场...
ir2103驱动电路原理是什么
IR2103的驱动电路由两个主要部分组成：驱动电路和保护电路。驱动电路包括一个高压差跨晶体管（HVIC）和两个驱动MOSFET。HVIC接收低电压的控制信号并将其转换为高电压的驱动信号。驱动MOSFET负责将这些信号转换为高电流，以驱动MOSFET或IGBT。保护电路由一系列电路元件组成，其主要作用是保护驱动电路免受过流、...
各种电路图中字母缩写的含义
IGBT 绝缘栅双极型晶体管IGFET 绝缘栅场效应晶体管I\/O输入\/输出I\/V 电流-电压变换器IPM 附带的相位调制IPM智能功率模块IR 红外辐射IRQ 中断请求JFET 结型场效应晶体管LAS光敏开关LASCS光控可控硅开关LCD 液晶显示器LDR光敏电阻LED发光二极管LRC纵向冗余(码)校验 LSB最低有效位LSI大规模集成电路M 电动机MCT场控晶闸...
igbt内部结构 过热和过流的区别
由于平面式晶体管的电流密度仅能达到垂直式结构的30%，因而明显地需要更大的安装面积，所以，平面式晶体管主要用在复杂的单芯片电路中。从构造上来看，IGBT 由众多的硅微单元组成。每25px2芯片上的单元数可达 1 × 10^5（高耐压 IGBT）。3. IGBT过热和过流的区别 半导体器件承受电流的能力受热约束...
G4PC40U 是三极管还是场效应管?
G4PC40U 是IR国际整流器件的IGBT模块。属于混合体。IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上；IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此...
MOSFET\/IGBT驱动集成电路及应用图书目录
ADP3412ADP3416ADP3419APW1175APW7037\/A\/B 至 APW7098APW7116APW7120AFAN3223\/FAN3224\/FAN3225 至 FAN5236FDMF6700 至 FDMF8705HIP6601B\/HIP6603B\/HIP6604BICL7667ISL6207 至 ISL6209第2章介绍了双端输出式驱动器，如FAN4803 和 IR2010\/S 至 IRS2101\/S。半桥式MOSFET\/IGBT驱动器在第3章，如FAN...
一般IGBT反向击穿电压为多少伏?
一般都在600V以上，具体视规格，电压超过、电流能控制住一般不会马上“击穿”，这是晶体管的电击穿（是导通，可以恢复），但是，由于电流升高导致所谓“热击穿”就是永久性击穿了。
半导体功率器件静态参数测试仪系统&能测IGBT.Mosfet.Diode.BJT...
产品型号：DCT2000 产品名称：半导体功率器件静态参数测试仪系统 1.2、物理规格 主机尺寸：深660*宽430*高210(mm)主机重量：＜35kg 1.3、电气环境 主机功耗：＜300W 海拔高度：海拔不超过4000m 环境要求：-20℃镇静～60℃（储存）、5℃～50℃（工作）相对湿度：20%RH～75%RH (无凝露，湿球温度...
晶体管参数测试仪系统&可测MOSFET,IGBT,BJT,Diode……
量程2uA分辨率381pA精度±0.5%设定值±20nA DCT2000 晶体管参数测试仪系统 能测很多电子元器件 ( 如二极管、三极管、MOSFET、IGBT、可控硅、光耦、继电器等等 ) 产品广泛的应用在院所高校、封测厂、电子厂... 已赞过 已踩过< 你对这个回答的评价是? 评论 收起 为你...
答青安络： 一、质点的运动(1)------直线运动1)匀变速直线运动1.平均速度V平=s/t(定义式) 2.有用推论Vt2-Vo2=2as3.中间时刻速度Vt/2=V平=(Vt+Vo)/2 4.末速度Vt=Vo+at5.中间位置速度Vs/2=[(Vo2+Vt2)/2]1/2 6.位移s=V平t=Vot+at2/2=Vt/2t7....
礼泉县19829706545： ( )( )如( ) - ？
答青安络：* 栩栩如生 xǔ xǔ rú shēng * 不绝如缕 bù jué rú lǚ * 如火如荼 rú huǒ rú tú * 讳莫如深 huì mò rú shēn * 风雨如晦 fēng yǔ rú huì * 甘之如饴 gān zhī rú...
礼泉县19829706545： 如图所示电路中,电源电压不变,闭合开关后,当滑片P在某一端点时,电流表示数为0.3A,小灯泡消耗的功率为0.9W;当滑片P移至中点时,电压表示数变... - ？
答青安络：[选项] A. 小灯泡正常发光时的电阻为10Ω B. 滑动变阻器的最大阻值为20Ω C. 电源电压为8V D. 当滑片P在最右端时,滑动变阻器消耗的功率为3.2W
礼泉县19829706545： 人教版物理八下公式及说明 - ？
答青安络： 八年级下物理知识点整理 1.物体带电:物体有能够吸引轻小物体的性质,我们就说物体带了电. 2. 摩擦起电:用摩擦的方法使物体带电. 3. 自然界存在正、负两种电荷.同种电荷互相排斥,异种电荷互相吸引. 4. 正电荷:用绸子摩擦过的玻璃...
礼泉县19829706545： 一只电烤箱的工作电流为4.5安,工作电压为220伏,它消耗了多少电能?电灯A的电阻大于电灯B的电阻,下列两种情况下,在相等的时间内电流通过哪盏灯... - ？
答青安络：[答案] 由题知烤箱功率等于P=UI=4.5*220=990 20分钟内做的功等于W=Pt=990*20*60=1188000J 千瓦时与与焦耳的转换关系为1KWh=1000*3600s=3.6*10^6 所以消耗电能等于1188000/3.6*10^6=0.33kwh 2.时间线更,只考虑功率即可,第一种情况下,串...
礼泉县19829706545： 找复杂成语~~ - ？
答青安络： 历史故事的成语三顾茅庐,指鹿为马,负荆请罪,纸上谈兵,围魏救赵,瞒天过海郑人买履 卧薪尝胆 草船借箭 凿壁借光,萤囊映雪悬梁刺股寓言故事的成语退避三舍 洛阳纸贵 草木皆兵 按图索骥 后来居上 邯郸学步...
礼泉县19829706545： 请高手改写 上个指标没发全 续上个指标 - ？
答青安络： {中轴设置}昨收:=DYNAINFO(3);HH:=DYNAINFO(5);LL:=DYNAINFO(6);FK:=MAX(HH-昨收,昨收-LL)*0.1;ZS:=昨收-FK*3.2;Q1:=昨收-FK*3.22;Q2:=昨收-1*FK*3.22;Q3:=昨收-5*FK*3.2;TJ:=F...
礼泉县19829706545： 如图所示,R1=6欧,R2=3欧,R3=8欧,R5=6欧,若电路消耗的总功率P总=30W,电源输出功率P出=28.4W,电源内阻r=0.4欧.求:(1)A,B间的电压UAB;... - ？
答青安络：[答案] 设通过电源的电流为I. 根据P总-P出=I2r得:I= P总−P出r= 30−28.40.4A=2A 由P总=EI得:E= P总 I= 30 2V=15V R2,R5并... R3(R1+R并) R3+R1+R并= 8*(6+2) 8+6+2Ω=4Ω 根据欧姆定律得:UAB=IR=2*4V=8V 答: (1)A,B间的电压UAB为8V. (2)电...
礼泉县19829706545： 高考重要的物理公式有哪些? - ？
答青安络： 一、力学公式 1、 胡克定律: F = Kx (x为伸长量或压缩量,K为倔强系数,只与弹簧的原长、粗细和材料有关) 2、 重力: G = mg (g随高度、纬度、地质结构而变化) 3 、求F 、 的合力的公式: F= 合力的方向与F1成角: tg= 注意:(1) ...
礼泉县19829706545： 初二到初三所有物理公式 - ？
答青安络： 1、速度:V=S/t 2、重力:G=mg 3、密度:ρ=m/V 4、压强:p=F/S 5、液体压强:p=ρgh 6、浮力: (1)、F浮=F'-F (压力差) (2)、F浮=G-F (视重力) (3)、F浮=G (漂浮、...
