P型MOS管的导通条件是什么?
对PMOS增强型管是正确的,耗尽型则不同.
MOS管导通后的Vgs电压始终为该管的开启电压，和刚满足导通条件时比较，导通后随着源极S电位的升高，Vg电压也要升高，在漏极电流不变的的情况下Vgs是个常数。
N沟道与P沟道是不一样的。如N沟道管，导通后Vgs与“偏置”电路有关，与其他无关。Vgs越大则导通电阻越小。P沟道是相反的（在无“偏置”时，即正常时是导通的）。
mOS管注意：
1、为了安全使用MOS管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。
2、各类型MOS管在使用时，都要严格按要求的偏置接入电路中，要遵守MOS管偏置的极性，如结型MOS管栅源漏之间是PN结。N沟道管栅极不能加正偏压，P沟道管栅极不能加负偏压。
靠在G极上加一个触发电压，使N极与D极导通。对N沟道G极电压为+极性。对P沟道的G极电压为-极性。 场效应管的导通与截止由栅源电压来控制，对于增强型场效应管来说，N沟道的管子加正向电压即导通，P沟道的管子则加反向电压。一般2V～4V就可以了。
P沟道mos管作为开关，栅源的阀值为-0.4V，当栅源的电压差为-0.4V就会使DS导通，如果S为2.8V，G为1.8V，那么GS=-1V，mos管导通，D为2.8V。
如果S为2.8V，G为2.8V，VGSw，那么mos管不导通，D为0V，所以，如果2.8V连接到S，要mos管导通为系统供电，系统连接到D，利用G控制。和G相连的GPIO高电平要2.8-0.4=2.4V以上，才能使mos管关断，低电平使mos管导通。
如果控制G的GPIO的电压区域为1.8V，那么GPIO高电平的时候为1.8V，GS为1.8-2.8=-1V，mos管导通，不能够关断。
GPIO为低电平的时候，假如0.1V，那么GS为0.1-2.8=-2.7V,mos管导通。这种情况下GPIO就不能够控制mos管的导通和关闭。
1、对PMOS增强型管是正确的，耗尽型则不同。
2、PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，使用与源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动。
3、但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。
对PMOS增强型管是正确的，耗尽型则不同。
是的！这个和那个JFET的N沟道对应理解！
pmos导通条件
pmos导通条件是指pmos串联晶体管门电压Vgs、源极供电电压Vdd和漏极电压Vdd之间的关系。pmos和nmos的区别是：PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管全称：positivechannelMetalOxideSemiconductor别名，positiveMOS。NMOS英文全称为：N-Mental-Oxide-Semiconductor，意思为N型金属氧化物半导体，拥有...
mos管电平导通与截止
d与s分别为两边连线）。N、P型的区别，就是一个为正电压启动(NMOS)，一个为负电压启动(PMOS)。即：NMOS的g端为高电平时，d端与s端导通，为低电平时d端与s端断开；PMOS相反。PS：MOS管比较重要的参考有Vds，即d与s端允许的最大电压值；Ron，导通时的电阻；Ton，Toff，开关状态转变的时间。
n型沟道mos管导通条件
n沟道mos管导通条件 导通时序可分为to~t1、t1~t2、t2~t3、t3~t4四个时间段，这四个时间段有不同的等效电路。1）t0-t1：CGS1开始充电，栅极电压还没有到达VGS（th），导电沟道没有形成，MOSFET仍处于关闭状态。2）［t1-t2］区间，GS间电压到达Vgs（th），DS间导电沟道开始形成，MOSFET开启，DS...
mos管的g, s, d,分别什么意思啊?
源极，简称S，是MOS管中电流的起始点，通常与负极或低电位相连。在N沟道MOS管中，源极通常接地或接负电压。漏极，简称D，是MOS管中电流的终点，与正极或高电位相连。在MOS管导通时，电流从漏极流向源极。其次，我们通过实际例子来进一步理解这三个极的作用。以N沟道增强型MOS管为例，当栅极电压为...
mos管三个极分别是什么极?
MOS管是一种电压控制型电子元件，其结构由三个基本极组成：栅极（G）、源极（S）和漏极（D）。栅极是MOS管的控制极，通过施加电压，可以调控源极和漏极之间的导通状态。当栅极电压低于阈值电压时，无论是NMOS管还是NPN三极管，它们的行为类似于两个背对背的二极管，处于截止状态，电流不会流动。然而，...
mos管的栅极电压大于0v时就可以导通
3. 实例说明 以N沟道MOS管为例，当栅极电压大于0V时，N型半导体基底中的电子被吸引到栅极下方，形成一个N型导电沟道，连接漏极和源极。此时，如果漏极电压相对于源极为正，则电子可以从源极流向漏极，形成电流，MOS管导通。如果栅极电压为0V或负值，导电沟道消失，MOS管截止。4. 应用与灵活性 MOS...
Mos管工作原理图详解及结构分析
揭示MOS管的奥秘：工作原理、驱动策略与应用挑战 MOS管，这个电子领域的基石，以其增强型N沟道和P沟道的卓越特性，如低阻抗和易于制造，备受青睐。它们的核心在于其独特的栅极控制机制：通过施加正电压，N沟道导通，反之P沟道则关闭。这种精密的开关特性使得MOS管在开关电源、马达驱动等众多领域大放异彩，...
MOS管在开关电路中的使用
那么根据二极管的单向导电性我们也能知道在电路连接中，D和S应该如何连接。使用有寄生二极管的N沟道MOS管的情况下，D的电压要高于S的电压，否则MOS管无法正常工作（二极管导通）。使用有寄生二极管的P沟道MOS管，S的电压要高于D的电压，原因同上。下面是MOS管的导通条件，只要记住电压方向与中间箭头方向相反...
MOS管的引脚,G、S、D分别代表什么?
源极（Source）是MOS管的输入端之一，也是导电通道的起始端。在MOS管工作时，源极通常与电路的低电平端相连，为电路提供稳定的参考电平。源极的电压决定了导电通道的开启程度和电流的大小。漏极（Drain）是MOS管的输出端，也是导电通道的结束端。在MOS管导通时，电流从源极流入，经过导电通道后从漏极...
MOS管基础知识
防反接电路设计时，需注意MOS管导通方向的反转。3. 同事设计的防反接电路分析：正常供电时，体二极管导通，电流从D到S，MOS管维持导通。反向供电时，体二极管反向截止，MOS管不通，有效防止反接。体二极管的电流承受能力取决于具体型号，例如某型号MOS管的体二极管持续电流可达11A，脉冲电流可达33A。
米晴痛必：[答案] 对PMOS增强型管是正确的,耗尽型则不同.
成都市13656927154： 谁能简明扼要介绍MOS 管,包括N 和P沟道以及耗尽型增强型差异? - ？
米晴痛必： 其实网上这方面资料有的是,你也应该看到不少.我说说我自己的理解. 关于MOS管记住几点就可以了 1、P和N .这个和三极管类似,P沟道MOS的导通条件是栅极电压比漏极电压低5V以上,N沟道MOS的导通条件是栅极电压比源极电压高5...
成都市13656927154： 请帮忙分析一下这个场效应管开关电路~ 场效应管采用的是IRFR5305. P型的场效应管 - ？
米晴痛必： Q1是P型MOS管,它的导通条件是栅极电压比漏极电压低大概2V左右(死区电压,管子不同.这个电压也不同).当R2下端接高电平(5V)或悬空时,R1与R2中没有电流.R1两端电压为0V.Q1截止.当R2下端变成低电平(0V)时.5V电源将通过R1,R2到0V形成回路,在R1上形成上正下负的4.5V的压降.此电压加在Q1的漏,栅极,使Q1导通
成都市13656927154： 怎么判断MOS管是N沟道还是P沟道? - ？
米晴痛必： 万用表打二极管档,G极不管它,黑表笔接D极,红表笔接S极能导通的话就是N沟道,反过来表笔互换能导通就是P沟道,导通电压一般0.4-0.7V,这样能明白了吧
成都市13656927154： 在什么条件下才可以将P沟道增强型MOS管近似地看作一个理想开关? - ？
米晴痛必： 增强型比较清楚: 1、p沟道增强型:当ugs2、n沟道增强型:当ugs>ugs(th)时,开启.这个ugs(th)是一个正数值,最常见的是在2v ~ 4v之间. 耗尽型的管子比较少见. 1、p沟道耗尽型:当ugs 2、n沟道耗尽型:当ugs>ugs(off)时导通,这个ugs(off)是一个负数值.
成都市13656927154： 怎么看MOS管是高电平导通还是低电平导通 在电路图纸中怎么看一直不明白 - ？
米晴痛必： 可以通过看电路图纸中画的MOS形状来判断MOS管是高电平导通还是低电平导通.如果箭头指向栅极,那么MOS管就是高电平导通.如果箭头未指向栅极,那么MOS管就是低电平导通. P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管...
成都市13656927154： p沟道场效应管怎么导通 ?如果在d极加上5v电压,s极接地,g极悬空 场效应管会导通吗?如图 - ？
米晴痛必： 能导通!实际所有N沟道Mos场效应管都有一个S极指向D极的“寄生二极管”(P沟道是D指向S,故能导通!),书本上可能简化了,国外的Mos场效应管符号图上都把它画上的. 不过g极禁止悬空,以免静电击穿!
成都市13656927154： P型MOS管的导通条件是什么?？
米晴痛必： 对PMOS增强型管是正确的,耗尽型则不同.
成都市13656927154： P勾到有高电平导通的不???? - ？
米晴痛必： P沟道 肯定是 GS 电压为负才导通 G比S电压低 一般最少都要低2.5V以上.这个电压 要看数据手册 一般这个电压差越大 阻值越小,不过一般最大不能超过10V
成都市13656927154： MOS场效应管的特征是什么? ？
米晴痛必： 同理,当二极管加上反向电压(P端接负极,N端接正极)时,这时在P型半导体端为负电压,正电子被聚集在P型半导体端,负电子则聚集在N型半导体端,电子不移动,其PN结没有电流通过,二极管截止.
