pnp三极管三个电极之间的电流和电压关系是怎么样的?ie,ic,ib之间有什么关系?
b极提供信号（输入） c提供能量 e输出 常用在模电还有一个重要的特点：Ubc在线性电路中通常为0.7v 这个性质可以稳压 稳流等饱和：利用它的开关特性 常用在数字电路晶体三极管按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）极基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流Ie。由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibo.根据电流连续性原理得：Ie=Ib+Ic这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即：β1=Ic/Ib式中：β1--称为直流放大倍数，集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为：β= △Ic/△Ib式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。
NPN型管c加正电，E加负电，b加正电偏置cE极导通。pNP型相反，c加负电，E加正电，b加负电偏置，cE极导通。在共发射电路b输入1mA电流，cE之间有50mA电流通过，这管子的放大倍数是50。在实际应用中要根据电路要求设置偏流，使三极管工作在截止区，放大区，和饱和区。详细情况找一找资料。在这里只能抛砖引玉。说不清楚。请谅解！
三极管的工作原理及基础知识1 三极管的结构和分类
其共同特征就是具有三个电极，这就是“三极管”简称的来历。通俗来讲，三极管内部为由P型半导体和N型半导体组成的三层结构，根据分层次序分为NPN型和PNP型两大类。
上述三层结构即为三极管的三个区, 中间比较薄的一层为基区，另外两层同为N型或P型，其中尺寸相对较小、多数载流子浓度相对较高的一层为发射区，另一层则为集电区。三极管的这种内部结构特点，是三极管能够起放大作用的内部条件。
三个区各自引出三个电极，分别为基极（b） 、发射极（e）和集电极（c）。
如图b所示，三层结构可以形成两个PN结，分别称为发射结和集电结。三极管符号中的箭头方向就是表示发射结的方向。
三极管内部结构中有两个具有单向导电性的PN结，因此当然可以用作开关元件，但同时三极管还是一个放大元件，正是它的出现促使了电子技术的飞跃发展。
2 三极管的电流放大作用
直流电压源Vcc应大于Vbb，从而使电路满足放大的外部条件：发射结正向偏置，集电极反向偏置。改变可调电阻Rb，基极电流IB，集电极电流Ic 和发射极电流IE都会发生变化，由测量结果可以得出以下结论：
（1） IE ＝ IB ＋ IC ( 符合克希荷夫电流定理）
（2） IC ≈ IB ×? （ ?称为电流放大系数，可表征三极管的电流放大能力）
（3）△ IC ≈ △ IB ×?
由上可见，三极管是一种具有电流放大作用的模拟器件。
3 三极管的放大原理
以下用NPN三极管为例说明其内部载流子运动规律和电流放大
原理，
1、发射区向基区扩散电子：由于发射结处于正向偏置，发射区的多数载流子（自由电子）不断扩散到基区，并不断从电源补充进电子，形成发射极电流IE。
2、电子在基区扩散和复合：由于基区很薄，其多数载流子（空穴）浓度很低，所以从发射极扩散过来的电子只有很少部分可以和基区空穴复合，形成比较小的基极电流IB，而剩下的绝大部分电子都能扩散到集电结边缘。
3、集电区收集从发射区扩散过来的电子：由于集电结反向偏置，可将从发射区扩散到基区并到达集电区边缘的电子拉入集电区，从而形成较大的集电极电流IC。
4 三极管的输入输出特性
三极管的输入特性是指当集-射极电压UCE为常数时，基极电流IB与基-射极电压UBE之间的关系曲线。
对硅管而言，当UCE超过1V时，集电结已经达到足够反偏，可以把从发射区扩散到基区的电子中的绝大部分拉入集电区。如果此时再增大UCE ，只要UBE保持不变（从发射区发射到基区的电子数就一定）， IB也就基本不变。就是说，当UCE超过1V后的输入特性曲线基本上是重合的。
由图可见，和二极管的伏安特性一样，三极管的输入特性也有一段死区，只有当UBE大于死区电压时，三极管才会出现基极电流IB。通常硅管的死区电压约为0.5V，锗管约为0.1V。在正常工作情况下，NPN型硅管的发射结电压UBE为0.6～0.7V，PNP型锗管的发射结电压UBE为-0.2～ -0.3V。
三极管的输出特性是指当基极电流IB一定时，集电极电流IC与集-射极电压UCE之间的关系曲线。在不同的IB下，可得出不同的曲线，所以三极管的输出特性是一组曲线。通常把输出特性曲线分为三个工作区：
1、放大区：输出特性曲线的近于水平部分是放大区。在放大区, IC ＝ IB ×?,由于在不同IB下电流放大系数近似相等，所以放大区也称为线性区。三级管要工作在放大区，发射结必须处于正向偏置，集电结则应处于反向偏置，对硅管而言应使UBE>0，UBC<0。
2、截止区： IB ＝ 0的曲线以下的区域称为截止区。实际上，对NPN硅管而言，当UBE＜0.5V时即已开始截止，但是为了使三极管可靠截止，常使UBE≤0V，此时发射结和集电结均处于反向偏置。
3、饱和区：输出特性曲线的陡直部分是饱和区，此时IB的变化对 IC的影响较小，放大区的?不再适用于饱和区 。在饱和区， UCE＜UBE，发射结和集电结均处于正向偏置。
如何区分三极管是npn还是pnp?
NPN 是用 B→E 的电流（IB）控制 C→E 的电流（IC），E极电位最低，且正常放大时通常C极电位最高，即 VC > VB > VE PNP 是用 E→B 的电流（IB）控制 E→C 的电流（IC），E极电位最高，且正常放大时通常C极电位最低，即 VC < VB < VE 判别NPN与PNP 设三极管的三个脚分别为A、B...
怎么区分NPN型三极管和PNP型三极管?
三、 顺箭头，偏转大 找出了基极b，另外两个电极哪个是集电极c，哪个是发射极e呢?这时我们可以用测穿透电流ICEO的方法确定集电极c和发射极e。(1) 对于NPN型三极管，穿透电流的测量电路如图3所示。根据这个原理，用万用电表的黑、红表笔颠倒测量两极间的正、反向电阻Rce和Rec，虽然两次测量中万用表指针...
怎么判断三极管的类型和极性?
PNP表示平时为低电平输入，信号到来时信号为高电平输出。NPN能够输入高电平输出低电平的原因是：NPN三极管能够用作反相器。当把基极作为输入级，集电极作为输出级，发射极接地时，如果输入端输入高电位，那么三极管就会导通，集电极相对于发射极的电位大约是0.2v，是一个低电位。NPN型三极管，由三块半导体...
三极管NPN和PNP有什么区别?
三极管是三层结构,分为发射区,基区和集电极区,PNP与NPN三极管区别：PNP型的是发射极,集电极区为P型半导体材料,基极区是N型半导体,在电路中发射极接正电压,集电极接负电压,偏置电压为负.NPN型的发射极,集电极为N型半导体,基极是P型半导体,在电路中发射极接负电压,集电级接正电压,偏置电压为正.NPN...
NPN型和PNP型三级管的导通条件是什么???
导通条件是发射极加正偏电压，集电极加反偏电压。对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结。当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Eb。接通...
PNP、NPN原理
当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。二、PNP的原理 PNP三极管则主要是形成空穴电流，是由2块P型半导体中间夹着1块N型半导体所组成的三极管，所以称为PNP型三极管。特点在于发射极电位最高,集电极...
PNP与NPN的区别?
接近开关常用的是三根线，中间一根是输出线，所以看中间是N还是P，正电压里ZHENG字带N，负FU不带N，所以PNP，中间是N，跟正接近，就是正电压，导通时是正电压，NPN中间没有N，是负电压，导通时是零V。三极管，全城为半导体三极管，也称双极型晶体管，分为NPN和PNP两种，三极管有三个极，分别叫做...
三极管所以种类和表示符号
半导体三极管也称为晶体三极管,可以说它是电子电路中最重要的器件。它最主要的功能是电流放大和开关作用。三极管顾名思义具有三个电极。二极管是由一个PN结构成的,而三极管由两个PN结构成,共用的一个电极成为三极管的基极(用字母b表示)。其他的两个电极成为集电极(用字母c表示)和发射极(用字母e表示)由于...
NPN型三极管和NPN型三极管有什么不同?
接近开关常用的是三根线，中间一根是输出线，所以看中间是N还是P，正电压里ZHENG字带N，负FU不带N，所以PNP，中间是N，跟正接近，就是正电压，导通时是正电压，NPN中间没有N，是负电压，导通时是零V。三极管，全城为半导体三极管，也称双极型晶体管，分为NPN和PNP两种，三极管有三个极，分别叫做...
光电开关pnp和npn有什么区别
2、三极管 2个PN结的方向不一致。PNP是共阴极，即两个PN结的N结相连做为基极，另两个P结分别做集电极和发射极;电路图里标示为箭头朝内的三极管。NPN则相反。3、传感器 PNP与NPN型传感器其实就是利用三极管的饱和和截止，输出两种状态，属于开关型传感器。但输出信号是截然相反的，即高电平和低电平。NP...
后盆吉非： -----------------------------------纯手打,希望对你有帮助.--------------------------------- 1.PNP管放大原理: 当PNP管的VC<VB<VE时,使得集电结反偏,发射结正偏时,管子的发射极电流流入管子,基极电流和集电极电流流出管子,且集电极电流跟基极...
裕华区15680592463： 三极管三个电极的电流存在什么关系 - ？
后盆吉非： 下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理b极提供(输入) c提供能量 e输出 常用在模电 还有一个重要的特点,而C点电位高于b点电位几伏时;Ib式中,这就是所谓电流放大作用,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,同时基区做得很薄;△Ib ...
裕华区15680592463： PNP三极管工作原理 - ？
后盆吉非： 三极管是一种控制元件,主要用来控制电流的大小,以共发射极接法为例(信号从基极输入,从集电极输出,发射极接地),当基极电压UB有一个微小的变化时,基极电流IB也会随之有一小的变化,受基极电流IB的控制,集电极电流IC会有一个...
裕华区15680592463： 三极管三个电极的电流与电压有什么关系? - ？
后盆吉非：[答案] Ic=βIb Ie=Ic+Ib Vb=Ve+Vbe Vc=Ve+Vce
裕华区15680592463： 三极管各个电极电平高低关系? - ？
后盆吉非： NPN管判断方法如下: 截止状态:Ube<0.7V; (如果是锗管则Ube<0.3V) 放大状态:Ube>0.7V,Uce>Ube; 饱和状态:Ube>0.7V,Uce<Ube.你的图(d)中,三极管是NPN. Ube=10.75-10=0.75V ;Uce=10.3-10=0.3V . 这样, Ube>0.7V,Uce<Ube,所以此三极管工作在饱和状态.PNP管判断如下: 截止状态:Ueb<0.7V; (如果是锗管则Ueb<0.3V) 放大状态:Ueb>0.7V,Uec>Ueb; 饱和状态:Ueb>0.7V,Uec<Ueb.
裕华区15680592463： PNP型晶体管工作放大区时,三个电极直流电位关系为(A)Uc - ？
后盆吉非：[答案] 在放大状态,三极管放大倍数为β,且为PNP型 ∴:Ic=β*Ib Vo=IcRc, Vi=Vcc-0.3
裕华区15680592463： 三极管的三个端口之间存在密切的电流关系,因此三极管是电流控制元...？
后盆吉非： 主要区别是电流流向和电压不同: 1、PNP管子是发射极流入后从基极和集电极流出, NPN管子是基极和集电极流入从发射极流出. 2、PNP管子工作在放大区时电压是,Ue>Ub>Uc, NPN管子工作在放大区时电压时Uc>Ub>Ue . 3、PNP管...
裕华区15680592463： 三极管各电极上的电流分配 - ？
后盆吉非： NPN型三极管为例 IE=IC+IB IE,IC,远大于IB(找不到远大于的符号) IC=βIB 电流IB的微小变化量会引起IC较大的变化 IB是输入信号,输出信号:有电压放大有电流放大.发射极正偏,发射结的电子向集电极扩散,IB从基区不断拉走电子,基区就形成了少量的空穴.由于基区很薄,空穴浓度很低,所以发射极的电子都能扩散到集电结附近.集电结反偏电子不能向基区扩散,但是可以将基区扩散到集电结边缘的电子拉到集电区形成IC.电流IB是影响IC大小的.
