有谁知道场效应管P75NF75的参数?
参数:
型号PDF
资料厂商特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W)代换型号STP75NF75STM
N-MOSFET,功率场效应管
75
80
场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。
在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。
P75NF75属于晶体管类别，参数是：电流75A 耐压75V，采用TO220形式封装。
大部分场效应管的命名都有规律，前面数字代表电流，后面数字代表电压。
直流参数
饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。
夹断电压UP它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS。
开启电压UT它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS。
交流参数
交流参数可分为输出电阻和低频互导2个参数，输出电阻一般在几十千欧到几百千欧之间，而低频互导一般在十分之几至几毫西的范围内，特殊的可达100mS，甚至更高。
扩展资料：
场效应管与晶体管在电气特性方面的主要区别有以下几点：
1、场效应管是电压控制器件，管子的导电情况取决于栅极电压的高低。晶体管是电流控制器件，管子的导电情况取决于基极电流的大小。
2、场效应管漏源静态伏安特性以栅极电压UGS为参变量，晶体管输出特性曲线以基极电流Ib 为参变量。
3、场效应管电流IDS与栅极UGS之间的关系由跨导Gm 决定，晶体管电流Ic与Ib 之间的关系由放大系数β决定。也就是说，场效应管的放大能力用Gm 衡量，晶体管的放大能力用β衡量。
4、场效应管的输入阻抗很大，输入电流极小；晶体管输入阻抗很小，在导电时输入电流较大。
5、一般场效应管功率较小，晶体管功率较大。
参考资料：场效应管百度百科
P75NF75属于晶体管类别，参数是：电流75A 耐压75V，采用TO220形式封装。
大部分场效应管的命名都有规律，前面数字代表电流，后面数字代表电压。
扩展资料
场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。FET 英文为Field Effect Transistor，简写成FET。
P75NF75是场效应管，场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。
在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。
参考资料：场效应晶体管—百度百科 P75NF75—百度百科
场效应管P75NF75的参数：电流75a； 耐压75v。
直流参数
饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。
夹断电压UP它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS。
开启电压UT它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS。
交流参数
交流参数可分为输出电阻和低频互导2个参数，输出电阻一般在几十千欧到几百千欧之间，而低频互导一般在十分之几至几毫西的范围内，特殊的可达100mS，甚至更高。
低频跨导gm它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。
极间电容场效应管三个电极之间的电容，它的值越小表示管子的性能越好。
极限参数
①最大漏极电流是指管子正常工作时漏极电流允许的上限值，
②最大耗散功率是指在管子中的功率，受到管子最高工作温度的限制，
③最大漏源电压是指发生在雪崩击穿、漏极电流开始急剧上升时的电压，
④最大栅源电压是指栅源间反向电流开始急剧增加时的电压值。
除以上参数外，还有极间电容、高频参数等其他参数。
漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿时的UDS。
栅极击穿电压结型场效应管正常工作时，栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态，若电流过高，则产生击穿现象。
扩展资料：
使用时主要关注的参数有：
1、IDSS—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。
2、UP—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。
3、UT—开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。
4、gM—跨导。是表示栅源电压UGS—对漏极电流ID的控制能力，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM是衡量场效应管放大能力的重要参数。
5、BUDS—漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。
6、PDSM—最大耗散功率。也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。
7、IDSM—最大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM。
使用注意事项：
1、为了安全使用场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。
2、各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接入电路中，要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是PN结，N沟道管栅极不能加正偏压；P沟道管栅极不能加负偏压，等等。
3、MOS场效应管由于输入阻抗极高，所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路，要用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意，不能将MOS场效应管放入塑料盒子内，保存时最好放在金属盒内，同时也要注意管的防潮。
4、为了防止场效应管栅极感应击穿，要求一切测试仪器、工作台、电烙铁、线路本身都必须有良好的接地；管脚在焊接时，先焊源极；在连入电路之前，管的全部引线端保持互相短接状态，焊接完后才把短接材料去掉。
从元器件架上取下管时，应以适当的方式确保人体接地如采用接地环等；当然，如果能采用先进的气热型电烙铁，焊接场效应管是比较方便的，并且确保安全；在未关断电源时，绝对不可以把管插人电路或从电路中拔出。以上安全措施在使用场效应管时必须注意。
P75NF75参数是：电流75A 耐压75V，注意电压电流不能过高。该管产品类别为晶体管 ，产品型号为P75NF75 ，封装形式为TO220。
扩展资料：
P75NF75是场效应管，场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。
在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。
晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关（如Relay、switch）不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。
2016年，劳伦斯伯克利国家实验室的一个团队打破了物理极限，将现有的最精尖的晶体管制程从14nm缩减到了1nm，完成了计算技术界的一大突破。严格意义上讲，晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等。晶体管有时多指晶体三极管。
晶体管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。晶体管有三个极；双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P型组成发射极（Emitter）、基极(Base) 和集电极（Collector）;场效应晶体管的三个极，分别是源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。晶体管因为有三种极性，所以也有三种的使用方式，分别是发射极接地（又称共射放大、CE组态）、基极接地（又称共基放大、CB组态）和集电极接地（又称共集放大、CC组态、发射极随耦器）。
参考资料：意法P75NF75-百度百科 晶体管（电子元件）-百度百科
电流75a 耐压75v 大部分场效应管都有规律的比如电磁炉25n120 也就是电流25A耐压1200v 电动车充电器用7n90 电流7a耐压900v 等
p7nk80 场效应管可以用那种管子代
如果是电脑主板，那么找个相同位置，一样大小的管子直接替换就可以了 要是电视机或者其他电器上de，那就要找相同的管子替代
三极管P7NC80ZFP有什么可以代换的吗?
这个并非三极管，而是场效应管，符合电流7A耐压800V的场效应管都可以代换。
p7nk80zfp管用什么代换
可以用K3264场效管代换
TCL 42寸电源的K6A65D管子用什么管子能代换,参数有知道的吗?
TCL 42吋电视机电源使用的K6A65D场效应管，可以直接使用K2333场效应管代换，也可以使用6N70场效应管代换。K6A65D场效应管，是N沟道场效应管，耐压=650V、最大电流=6A、最大耗散功率=45W。K2333场效应管，也是N沟道场效应管，耐压=700V、最大电流=6A、最大耗散功率=50W。6N70场效应管是N沟道场...
P7NK80ZFP 有人说是开关管,有人说是场效应管,有说是开关管,它是什么呢...
推荐于2017-12-15 13:58:27 最佳答案 开关管和场效应管是一种东西,只不过开关管是对场效应管一种比较通俗的做法。 本回答由提问者推荐 举报| 答案纠错 | 评论 2 0 colarcer 采纳率:55% 来自:芝麻团 擅长: 工程技术科学 物理学 学习帮助 理工学科 电子数码 ...
场效应管sss7n80能代替 p7nc70z么?
1、管子的材料一样 2、封装一样 3、参数和原来的一样或者比原来的高 满足以上三个条件就可以
场效应管P5NK80Z替代品
n沟道，5A800V各网站都有销售，它本身就不贵，不需代换，p7Nk80也可以，只是稍贵点
如何用47型万用表测场效应管的hfe
(2)用测电阻法判别场效应管的好坏 测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法:首先将万用表置于R×10或R×100档,测量源极S与漏极D之间的电阻,通常在几十欧到几千欧范围(在手册中...
12n50e参数及代换
12n50e场效应管参数：1200V、50A、功率200w，频率3KHz，可以用12N60C替换。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称...
如一个显示器电源板烧保险请问查那几个元件?
在进一步检查行输出管Q405等相关易损件都正常的情况下，将以上元件换新。其中Q901原型号为P7NA60，为N沟道绝缘栅VMOS增强型场效应管，遂用2SK1117（600V、6A、100W）代换。对于MOS场效应管，代换时，用铜丝短路三引脚，在散热片上涂以硅脂并固定好，焊完后去掉铜丝。注意，在换R904时，其两端的防...
伯牙吾台果丁禾： p75nf75场效应管参数:75A,75V,160W
岳普湖县15943749778： 三极管P75NF75,是什么管?? - ？
伯牙吾台果丁禾： P75NF75:N沟道场效应管. p75nf75三极管:导电方式为增强,N沟道 ,导电方式为增强型的三极管. 用途:用于MOS-ARR或者陈列组件. 组成:N-FET硅. P75NF758三极管和NCE7580一样,场效应管参数80A,75V.场效应管工作原理用...
岳普湖县15943749778： P75NF75可代1RF640吗 - ？
伯牙吾台果丁禾： 不可以P75NF75的参数是:N沟道,75V,75A;而IRF640的参数:N沟道,18A,200V.IRF640是一种比较常见的场效应管很容易买到.
岳普湖县15943749778： p75nf75场效应管参数 - ？
伯牙吾台果丁禾： 好像没有P75NF758的场效应管,是不是P75NF75B的,如果是,它的参数是75A 750V的.
岳普湖县15943749778： p75nf75场效应管后面的CZ03H 6 MAR 852 参数是什么意思 - ？
伯牙吾台果丁禾： P75NF75三极管后面的那些是属于管的尾缀跟参数没有关系的,而它本身的型号就是P75NF75,参数是75A75V,不妨告诉你,我也经常在拿这种型号,经常用在电动车控制器、逆变器等电路板上,我想我们很有缘,就顺便告诉你价格,一个P75NF75管只需0.39元,而且质量方面也很占有一定的优势,所以我经常指定到这家经销商买,有意就联系这家的QQ:1121270011 希望能帮到你
岳普湖县15943749778： P75NF75三极管怎么排列求大神帮助 - ？
伯牙吾台果丁禾： STP75NF75管脚排列是:有字的塑封面朝上,从左至右依次是G(栅极)D(漏极)S(源极) P75NF75参数:75V,80A,300W
岳普湖县15943749778： p75nf75场效应管可以通用吗? - ？
伯牙吾台果丁禾： 都可以代换! k80E08K3,75V 80A 200W ,电阻9毫欧,开启电压4V; 2Sk4145,60V 84A 84W, 电阻10毫欧,开启电压4V; 开启电压实际应选在8V-15V之间.
岳普湖县15943749778： 请专业人士,帮个忙.电子元件P75NF75和IRF840的参数是?？
伯牙吾台果丁禾： 简要描述 大小 下载 点击数STP75NF75/STB75NF75-1 ST STP75NF75/STB75NF75-1 PDF 参数 164.6k 795STP75NF75FP,STB75NF75.PDF ST N沟道场效应管 474.65 1518STB75NF75 STP75NF75.pdf STB75NF75 STP75NF75.pdf PDF 参数 472.92 859STP75NF75L STB75NF75L.pdf STP75NF75L STB75NF75L.pdf PDF 参数
岳普湖县15943749778： 这是逆变器上的三极管 上面写着 P75NF75@ CC184 6 - ？
伯牙吾台果丁禾： 这种是场效应管,也就是MOSFET, N沟道.MOSFET一般有栅极G,漏极D,源极S,分别对应1,2,3脚(正面看,左边数起),MOSFET属于电压控制器件和晶体管还是有区别的.
