be是什么公式,在电子技术里面。

作者&投稿:袁虽 (若有异议请与网页底部的电邮联系)
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be=rbb'+(1+β)[26(mA)/IEO(mA)}]。

计算的是三极管的输入电阻。三极管全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。

三极管是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。其中J型场效应管是非绝缘型场效应管,MOSFET和VMOS都是绝缘型的场效应管。

公式rbe=rbb'+(1+β)[26(mA)/IEO(mA)}]+(1+β)(R7∥R8)计算的是射随器输入电阻。

共射极放大电路,输入回路与输出回路以三极管的发射极为公共端。输入信号ui通过电容C1加到三极管的基极,引起基极电流iB的变化,iB的变化又使集电极电流ic发生变化,且ic的变化量是iB变化量的β倍。

由于有集电极电压,uCE=UCC-iCRC,uCE中的变化量经耦合电容C2传送到输出端,从而得 到输出电压uo。当电路中的参数选择恰当时,便可得到比输入信号大得多的输出电压,以达到放大的目的。

拓展:

rbe是晶体管的交流输入电阻,输入电阻是从放大电路输入端看进去的等效电阻。

rbe是晶体管的交流输入电阻(动态)由三部份组成:

1.基极体积电阻rbb一般为数十至二三百欧;

2.发射极体积电阻很小一般忽略;

3,基极、发射极结电阻跟β与电流IE有关公式为:

β×26(mv)/I(ma)∵rbe=rbb+β×(26mv)/(Ima)26(mv)/I(ma)(波尔兹曼常数)




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