MOSFET 的body effect 是什么意思？求详细解释

请教，什么是BODY EFFECT,它用来表征什么？~

等待后面的高手回答，bulk 不是接ground 对MOS的影响主要为Vt升高～～～体效应，就是体端电压和源端电压不一样情况下，会引起一系列电学性质的改变。理想情况下体端和源端都接地的当衬底与源处于反偏时(P衬底接负电压)，衬底中的耗尽区变厚，使得耗尽层中的固定电荷数增加。由于栅电容两边电荷守衡，所以，在栅上电荷没有改变的情况下，耗尽层电荷的增加，必然导致沟道中可动电荷的减少，从而导致导电水平下降。若要维持原有的导电水平，必须增加栅压，即增加栅上的电荷数。对器件而言，衬底偏置电压的存在，将使MOS晶体管的阈值电压的数值提高。对NMOS，VTN更正，对PMOS，VTP更负，即阈值电压的绝对值提高了。(转)一般说来，拿nmos管来说，体电压为0，即接地，当体电压为负值时，导致耗尽层电荷书增加，使得开启门电压增大，就是所谓的body effect所谓体效应，一句话就是使衬底有电流流过，进而影响到整个电路。个人理解！

G.E.M 是Get Everybody Moving的缩写也是邓紫棋的别名 Get Everybody Moving的意思是让大家都动起来

MOSFET电晶体的基体端(Body 或 Substrate)通常是与源极端(Source)等电位,也就是源极-基体接面(source-body junction)的电压()为零,这时候是没有基体效应的.

当我们在MOSFET电晶体的基体端加上偏压Vbs,根据半导体物理的理论,基体端的准电子费米能阶(Efn)会从准电洞费米能阶(Efp)偏移Vbs的大小,如此会改变MOSFET电晶体的临限电压(Threshold voltage, VT),这种效应称为基体效应.

基体端的偏压Vbs与临限电压VT的关系式如下:
VT=VT0+γ[ √│2Φf-Vbs │- √│2Φf│] , (根号内的是绝对值)
VT: 加上基体端的偏压Vbs时的临限电压
VT0 :没有基体效应(基体端的偏压Vbs=0)时的临限电压
γ: 基体因子(body factor, 随Substrate掺杂浓度N, 闸极氧化层电容值Cox而改变)
Φf : 基体端的本质费米能阶(Efi)和费米能阶(Ef)的电位差

基体端的偏压Vbs, 一般都是逆向偏压(reversed bias),也就是Vbs<0,所以不管是NMOS或是PMOS,有基体效应时的VT值都是绝对值变大的.
就积体电路制造来说,消除基体效应是必要的,否则MOSFET电晶体的VT值会变动,而改变电路特性. 一般CMOS制程, 是把所有NMOS的基体端都接到电路的最负端(接地端GND),所有PMOS的基体端都接到电路的最正端(电源端Vdd),如此可得Vbs=0就没有基体效应了.

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