外加电压 使pn节正偏,那么扩散运动又会使内建电场增强,这样不就又达到一个平衡了嘛,我这个地方不懂

作者&投稿:菜闹 (若有异议请与网页底部的电邮联系)
PN结正偏时,扩散运动加强了,内电场不是变得更大了吗?~

但是外加电场更强大 所以才会让他导通的 硅管的0.7V其实就是一个表征这个电场强度的

扩散运动是指在热运动作用下,分子系有高浓度向低浓度扩散的趋势。而在外电场作用下电荷有定向移动的趋势。你仔细分析这两种趋势,不难得出结论。需要指出的是总的结果是两种作用综合而引起的,不要混淆就行了。我想任何一本模电书都会有相应的解释的。

“外加电压使pn节正偏,那么扩散运动又会使内建电场增强,这样不就又达到一个平衡了嘛”,没错,但外加电压使PN结厚度变薄,多子获得能量能够通过PN结形成较大电流。


水城县19759299777: 外加电压 使pn节正偏,那么扩散运动又会使内建电场增强,这样不就又达到一个平衡了嘛,我这个地方不懂 -
望融伏甲: “外加电压使pn节正偏,那么扩散运动又会使内建电场增强,这样不就又达到一个平衡了嘛”,没错,但外加电压使PN结厚度变薄,多子获得能量能够通过PN结形成较大电流.

水城县19759299777: 给PN结加正向偏压,这时什么载流子参与漂移运动?什么载流子参与扩散运动? -
望融伏甲: 无论PN节加什么偏压,载流子都要参与漂移运动和扩散运动,只是看哪种运动占主导.当PN节加正向偏压时,P正N负,耗尽层减小,N区的电子在电场作用下漂移到P区,P区的空穴漂移到N区.同时,由于P区的空穴浓度大于N区空穴的浓度,因此P区的空穴也会扩散到N区,N区电子浓度大于P区电子浓度,N区电子扩散到P区.在正向偏压下,漂移电流远大于扩散电流,而在反向偏压下,扩散电流要远大于漂移电流.

水城县19759299777: PN结上为什么加正向电压可以导通?PN结上为什么加正向电压可以导
望融伏甲: PN结加正向电压时,可以有较大的正向扩散电流,即呈现低电阻,我们称PN结导通;PN结加反向电压时,只有很小的反向漂移电流,呈现高电阻,我们称PN结截止

水城县19759299777: 二极管正偏时候为什么耗尽层会变窄? -
望融伏甲: 耗尽层是扩散运动和漂移运动的载流子数目相同,达到动态平衡,就形成了PN结.由于外电源的作用,扩散运动加剧,形成扩散电流,耗尽层变窄,动态平衡失衡,导致耗尽层变窄.

水城县19759299777: PN结两边加正偏,空间电荷区为什么会变窄?(从电荷的移动方向分析)PN结两边加正偏,即P型一边接正极,N型一边接负极.空间电荷区为什么会变窄?... -
望融伏甲:[答案] 理论基础:导体是内部具有较多可以自由移动的电荷的物体.绝缘体是内部没有或者有很少可以自由移动的电荷的物体.+代表空穴带正电-代表电子带负电两竖线之间表示无自由移动电子或空穴部分,相当于绝缘体没加电压时:P ++...

水城县19759299777: PN结正偏,反偏时,内电场分别如何变化? -
望融伏甲: 当PN结反偏时,外加电场与内电场方向一致,耗尽区在外电场作用下变宽,使势垒加强;PN结正偏时,内电场E减弱,阻挡层宽度减小,利于多子扩散,正向电流I随外加电压的增加急速上升,PN结呈现为一个很小的电阻.

水城县19759299777: PN结的原理问题~~正向偏置的电流流向问题 -
望融伏甲: 首先应该理解PN结的形成,PN结是由于电子和空穴从高浓度向低浓度扩散形成的,即P型区的空穴向N型区扩散,N型区的电子向P型区扩散.最后形成空间电荷区空间电荷区的分布是靠P型区的是电子,靠N型区的是空穴.其中空间电荷区会形成有N型区指向P型区的内电场.然后当接入正向电压,正向电压产生的电场抵消了内电场,同时正向电场也是P型区的空穴向电荷区移动,同样也是N型区的电子向空间电荷区移动,这样就抵消了空间电荷区中靠近P型区的电子和靠近N型区的空穴,使得空间电荷区变窄,所以PN结的电阻减少,电流导通.(我是按照模电书解释的)

水城县19759299777: NPN型BJT中若发射结外加正向电压,那么发射区形成的电子扩散电流和基区形成的空穴扩散电流方向一致 -
望融伏甲: 一致,发射结正偏,发射区电子扩散至基区,形成电流由基区流向发射区,基区空穴扩散到发射区,电流方向也是从基区到发射区.

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