NANDFlash烧录器的二支持的Flash列表(TSOP、8BIT、3.3V)

作者&投稿:泊杨 (若有异议请与网页底部的电邮联系)
NAND Flash烧录器~

艾普科技NPF-6683烧录器是专为批量烧写NAND Flash而量身定做的工具,它具有如下特征:


一、 功能介绍
该款烧录器支持16MByte(128Mbit)到8GByte(64Gbit)的NAND Flash的快速烧录,适合具有预装资料的GPS导航仪,MP4,PDA,学习机,数码相框,硬盘播放机,游戏机,电子书,点读机,语音地图机,监控类等产品在大规模生产中使用,加密CF卡,加密U盘,加密SD卡等存储工具的Flash原始数据复制(直接PC端复制不可用),它具有如下特征:
1.采用一托四的结构设计,可以对四片NAND Flash同时进行烧录,烧录过程实时校验,绝对保证数据的正确;
2.烧录速度接近NAND Flash的速度极限,512Mbit小页面Flash速度约1.4MByte/秒(带校验),8Gbit大页面SLC架构Flash编程速度约3MByte/秒(带校验),8Gbit大页面MLC架构Flash编程速度约2MByte/秒(带校验)。
3.标配4.3寸超大真彩液晶屏,一切操作可视化,触摸屏及按键双输入方式,无需连接电脑,方便用户实时观察烧录过程;
4.支持以文件方式烧写和母片拷贝两种烧录方式:
(1)母片拷贝方式:用于将用户原始Flash上的内容拷贝到板载Flash,之后再将板载Flash上相应的内容写入空的Flash;
(2)文件方式烧写:用户可将指定文件置于U盘或编程器内置硬盘,本方式读出文件内容按指定方式(可支持特殊文件系统)写入Flash;
5.可灵活配置多种参数,如页读取、页、块内容比较、生成文件、坏块扫描、擦除、扫描有数据区间等等多种操作:
(1)对母片拷贝方式,可设置特殊坏块标记,方便适应不同的用户不同的坏块管理方式。且可设置拷贝区间,用户可选择拷贝有效数据区域,这样在之后烧写空片时可降低单位Flash的烧写时间;
(2)可读取指定Flash任意页的内容显示,方便用户实时观察Flash上的数据分布;
(3)可独立擦除指定的Flash,可独立扫描指定Flash的坏块,并形成详细坏块分布信息显示于屏幕;
(4)可扫描Flash上的空白页或空白块,方便用户了解原始Flash上的空间使用情况;
(5)可比较两个Flash之间不同块或不同页的内容,并将不同之处显示于屏幕,并可顺序浏览每一处不同;
6.可根据用户的特殊要求修改软件,按你的特殊要求量身定做,修改周期不超过3个工作日,且可定制特殊的文件系统;
7.支持带操作系统的NAND Flash数据烧写,如WINCE操作系统的XIP/BINFS情况下Flash分区的坏块管理,解决了目前市面上的编程器在NAND Flash上的文件系统分区区域内出现坏块单纯跳过而造成的操作系统无法正确运行或文件无法正常读写的问题。
二、 支持的Flash列表(TSOP、8BIT、3.3V)
1,三星
K9F2808U0*、K9F1208U0* 、K9F5608U0*、K9F1G08U0*、K9F2G08U0*、K9F4G08U0*、 K9F8G08 、 K9WAG08、 K9F5608U0*、 K9F1208U0*、 K9F1G08U0*、 K9F6408U0*、 K9K1208U0* 、 K9K1G08U0*、 K9K2G08U0*、 K9K4G08U0*、 K9K8G08U0*、K9G8G08*、K9GAG08U0*、K9LAG08U0*、 K9W8G08U0*、 K9LBG08U0*、K9HCG08U0*..........
2,现代
HY27US08561M、HY27US08121M、HY27UA081G1M、HY27UF081G1M、HY27UVB082G2M、HY27UVB082G4M、HY27US08281M/1G2M/2G2M/4G2M/4G1M/2G1M、HY27UVB081G2M、HY27UVB084G2M、HY27UVB084G1M HY27UVB082G1M、HY27UF081G2M、HY27VB082G4M、HY27UA081G1M、HY27UU088G5M、HY27UT084G2M HY27UF084G2M、HY27UF082G2M ........


注:和这些NAND Flash兼容的其他Flash也可使用,如Micron,Intel,Spectek,ST,Toshiba,Infineon,Scandisk,Actrans,Renesas,型号太多,未能一一列出,艾普科技将会不间断增加支持的Flash型号,其它封装的Flash可定做转换座。

艾普科技将与您一起,共同努力解决NAND Flash的使用上的所有烦扰问题!!!!

你那个烧录文件是完整的么?还是存在有坏块?你这种芯片对坏块的管理的要求是怎么样的?

以下仅仅列出部分型号,实际支持的型号会多得多:
1,SAMSUNG:
K9F6408U0*,K9F2808U0*,K9F5608U0*,K9F1208U0*,K9F1G08U0*,K9F2G08U0*, K9K2G08U0*,K9F4G08U0*,K9G4G08U0*,K9K4G08U0*,K9F8G08U0*,K9K8G08U0*,
K9G8G08U0*,K9WAG08U0*,K9GAG08U0*,K9GBG08U0*,K9LAG08U0*,K9W8G08U0*,K9LBG08U0*,K9HCG08U0,……..
2,HYNIX:
HY27US0856*,HY27US08121*,HY27UA081G*,HY27UF081G*,HY27UF082G*,HY27UF084G*,HY27US081G*,HY27UVB081G2*,HY27UVB084G2*,HY27UVB084G1*,
HY27UVB082G1*,HY27UF081G2*,HY27VB082G4*,HY27UA081G1*,HY27UU088G5*,HY27UT084G2*,HY27UF084G2*,HY27UF088G*,HY27UU08AG2*,H27UAG8T2*,
HY27UF088G*,HY27UBG8U*,HY27UBG8T2,…….
3,TOSHIBA:
TC58V64BFT*,TC58128*,TC58256* ,TC58512FT* ,TC58DVG02A1FT* ,TC58NVG0S3* ,TC58NVG0D3BTG*,TC58NVG0S3ETA*,TC58NVG1S3ETA00* ,TC58NVG1S3ETA*,
TC58NVG1S3BFT*,TC58DVG14B1FT00*,TC58NVG1D4BTG00*,TC58NVG2D4BFT00*,TH58NVG2S3BFT*,TC58NVG3S0ETA*,TC58NVG3D1DTG00*,TC58NVG3D1DTG00*,
TH58NVG3D4BTG00*,TH58NVG3D4BTG01*,TC58NVG4D1DTG00*,TH58NVG5D1DTG20*,TC58NVG4D2ETA00*,TC58NVG4D2FTA*,TC58NVG4D2FTA*,TH58NVG5D2ETA20*,
TH58NVG7D2ELA89*,TH58NVG4D4CTG00*,TH58NVG5D4CTG20*,TC58NVG5D1DTG00*,TH58NVG6D1DT*,TC58NVG5D1DTG00*,TH58NVG6D2ETA*,TH58NVG7D2ELA*,TH58NVG7D2ELA*,
4,ST:
NAND128W3A2A*,NAND253W3ABN*,NAND512W3A2C*,NAND01GW3A*,NAND01GW3B*,NAND02GW3B*,NAND04GW3B2B*,NAND04GW3C2A* …NAND04GW3B2D*,NAND08GW3B2C*,
NAND16GW3D2A*,NAND32GW3D2A*……..
5,MICRON:
MT29F1G08AB*,MT29F2G08AA*,MT29F2G08AAC*,MT29F4G08*,MT29F8G08MAA*,MT29F8G08AAA*,MT29F8G08AB*,MT29F8G08AB*,MT29F16G08FAA*,MT29F16G08MAA*,
MT29F32G08QAA*,MT29F16G08CBA*,MT29F16G08CBACA*,MT29F16G08CBB*,MT29F32G08CF*,MT29F32G08CF*,MT29F32G08CBABA*,29F64G08CJA*,29F128G08CJA*,
MT29F4G08CF*,MT29F4G08CF*,MT29F64G08CJ*,MT29F128G08CJ*,MT29F256G08CJ*,MT29F64G08CB*……..
6,INTEL:
JS29F02G08AANA2,JS29F04G08BANA2,JS29F08G08FANA2,JS29F02G08AANB3,JS29F04G08BANB3,JS29F08G08FANB3,JS29F04G08AANB1,JS29F08G08CANB1,JS29F16G08FANB1……
7,(FBGA107、FBGA63、8BIT、3.3V/2.5V/1.8V)
H8ACU0CE0BBR,HYD0SEE0MF2P,K5D12571CM......
8,LGA封装:
K9LCG08U1A、K9PFG08U5A、K9PFG08U5M、K9HDG08U5M、K9HDG08U5A、TH58NVG8D2ELA89、TH58NVG8D2FLA89、TH58NVG7D2ELA89、TH58NVG7D2FLA89、SanDisk_05000-016G、
SanDisk_05105-032G....等等...
注:和这些NAND Flash兼容的其他Flash也可使用,如Micron,Intel,Spectek,ST,Toshiba,Infineon,Scandisk,Actrans,Renesas,型号太多,未能一一列出,艾普科技将会不间断增加支持的Flash型号,其它封装的Flash可定做转换座。




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武冈市15148726485: NANDFLASH中two - plane是什么意思 -
漳枫绿脓: 关于这个问题,twoplane就是有的nandflash支持双页写,可以提高写入效率.一般这样的nandflash会有twoplaneerase/read/program,建议你看一下三星nandflash说明书,你就懂了.希望对你有用,有问题再追问.

武冈市15148726485: Nand Flash烧录时坏块是如何处理的? -
漳枫绿脓: Nand Flash的烧录需要定制方案,坏块通常有两种处理方式跳过或替换,SmartPRO 6000F-PLUS烧录速度快,还可有效管理坏块.

武冈市15148726485: 什么编程器可以烧录NAND Flash而且要稳定一点. -
漳枫绿脓: 按目前市场上的烧录器来说最稳定的莫过于 专用的烧录器,但专用烧录器有个缺点就是只能少一个厂商下的IC,万用型的烧录器的话也就ELNEC的或河洛的了,我个人感觉还是ELNEC的好

武冈市15148726485: NAND FLASH中two - plane是什么意思 -
漳枫绿脓: two plane就是有的nand flash支持双页写,可以提高写入效率.一般这样的nand flash会有two plane erase/read/program,建议你看一下三星nand flash 说明书,你就懂了.希望对你有用,有问题再追问.

武冈市15148726485: 4G的NAND Flash要用什么样的烧录器? -
漳枫绿脓: 从你的这个型号来看,是一个很大的NANDFlash,很容易烧录出错,表现为校验时候出错,其实原因就是编程位发生的反转,导致校验失败.我看到朋友有用一款ZLG致远电子的SmartPRO 6000F的烧录器,在设置里面,可以设置反转位,非常方便,建议你去尝试一下,截图如:

武冈市15148726485: nand flash nor flash mcp flash 的区别 -
漳枫绿脓: nor flash的存储区是连续的支持连续烧录,nand不支持连续烧录,其存储区不是连续的.nor出厂可以保证是好的,不存在坏块;nand可能存在坏块.其他的区别网上可查

武冈市15148726485: S34ML01G200TFI00 (nand flash)可以用什么烧录器读写?还有东芝的TC58NVG0S3ETAI0使用什么烧录器? -
漳枫绿脓: 像这种NAND Flash容量大了还是找个烧的快的烧录器吧,我用的SmartPRO 6000F就支持这两款芯片.

武冈市15148726485: 有没有128gb的nand flash -
漳枫绿脓: 艾普科技NPF-6683烧录器是专为批量烧写NAND Flash而量身定做的工具,它具有如下特征: 一、 功能介绍 该款烧录器支持16MByte(128Mbit)到8GByte(64Gbit

武冈市15148726485: nor flash和nand flash的区别 -
漳枫绿脓: 一、NAND flash和NOR flash的性能比较 1、NOR的读速度比NAND稍快一些. 2、NAND的写入速度比NOR快很多. 3、NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快. 4、大多数写入操作需要先进行擦除操作. 5、NAND的擦除单元更小,相应的擦除...

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