半导体物理中,能带宽度与禁带宽度的区别是什么?

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理工学科包含哪些?~

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理工 理工是一个广大的领域包含物理、化学、生物、工程、天文、数学及前面六大类的各种运用与组合。理工事实上是自然、科学、和科技的容合。在西方世界里,理工这个字并不存在;理工在英文解释里,是自然(Science)与科技(Technology)的结合。理工二字最早是1880年代,由当时的中国留学生从国外的Science和Technology翻译合成的。时至今日,但凡有人提起世界理工大学之最,人人皆推麻省理工学院。麻省之名蜚声海外,成为世界各地莘莘学子心向神往,趋之若鹜的科学圣殿。 [编辑] 理工领域包含 物理-研究大自然现象及规律的学问 化学-研究物质的性质、组成、结构和变化的科学 生物-研究有生命的个体 工程-应用科学和技术的原理来解决人类问题 天文-观察及解释天体的物质状况及事件为主的学科 数学-研究量、结构、变化以及空间模型的学科;被誉为“科学的语言”

1、概念不同:

能带宽度:为价带和导带的宽度,即电子能量分裂的一个个密集能级组成的宽度。 禁带宽度:为导带和价带的间距。能带宽度就是通电的能力,禁带宽度就是组电的能力。

2、所含电子不同:

能带:是用量子力学的方法研究固体内部电子运动的理论。始于20世纪初期,在量子力学确立以后发展起来的一种近似理论。它曾经定性地阐明了晶体中电子运动的普遍特点,并进而说明了导体与绝缘体、半导体的区别所在,解释了晶体中电子的平均自由程问题。

禁带宽度:是指一个能带宽度,固体中电子的能量是不可以连续取值的,而是一些不连续的能带,要导电就要有自由电子存在,自由电子存在的能带称为导带(能导电),被束缚的电子要成为自由电子,就必须获得足够能量从而跃迁到导带,这个能量的最小值就是禁带宽度。   

例如:锗的禁带宽度为0.66ev;硅的禁带宽度为1.12ev;砷化镓的禁带宽度为1.46ev。‘

扩展资料

半导体禁带宽度与温度和掺杂浓度等有关:半导体禁带宽度随温度能够发生变化,这是半导体器件及其电路的一个弱点(但在某些应用中这却是一个优点)。半导体的禁带宽度具有负的温度系数。例如,Si的禁带宽度外推到0K时是1.17eV,到室温时即下降到1.12eV。

如果由许多孤立原子结合而成为晶体的时候,一条原子能级就简单地对应于一个能带,那么当温度升高时,晶体体积膨胀,原子间距增大,能带宽度变窄,则禁带宽度将增大,于是禁带宽度的温度系数为正。

参考资料来源:

百度百科——禁带宽度

百度百科——能带



1、概念不同:

能带宽度:为价带和导带的宽度,即电子能量分裂的一个个密集能级组成的宽度。 禁带宽度:为导带和价带的间距。能带宽度就是通电的能力,禁带宽度就是组电的能力。

2、所含电子不同:

能带:是用量子力学的方法研究固体内部电子运动的理论。始于20世纪初期,在量子力学确立以后发展起来的一种近似理论。

它曾经定性地阐明了晶体中电子运动的普遍特点,并进而说明了导体与绝缘体、半导体的区别所在,解释了晶体中电子的平均自由程问题。

禁带宽度:是指一个能带宽度,固体中电子的能量是不可以连续取值的,而是一些不连续的能带,要导电就要有自由电子存在,自由电子存在的能带称为导带(能导电),被束缚的电子要成为自由电子,就必须获得足够能量从而跃迁到导带,这个能量的最小值就是禁带宽度。   

例如:锗的禁带宽度为0.66ev;硅的禁带宽度为1.12ev;砷化镓的禁带宽度为1.46ev。‘


扩展资料:

结构

固体材料的能带结构由多条能带组成,能带分为传导带(简称导带)、价电带(简称价带)和禁带等,导带和价带间的空隙称为能隙。

能带结构可以解释固体中导体、半导体、绝缘体三大类区别的由来。材料的导电性是由“传导带”中含有的电子数量决定。当电子从“价带”获得能量而跳跃至“传导带”时,电子就可以在带间任意移动而导电。

参考资料:百度百科——能带

参考资料:百度百科——禁带宽度



禁带宽度(Band gap)是指一个能带宽度(单位是电子伏特(ev)),固体中电子的能量是不可以连续取值的,而是一些不连续的能带,要导电就要有自由电子存在,自由电子存在的能带称为导带(能导电),被束缚的电子要成为自由电子,就必须获得足够能量从而跃迁到导带,这个能量的最小值就是禁带宽度。   例如:锗的禁带宽度为0.66ev;硅的禁带宽度为1.12ev;砷化镓的禁带宽度为1.46ev;氧化亚铜的禁带宽度为2.2eV。禁带非常窄的一般是金属,反之一般是绝缘体。半导体的反向耐压,正向压降都和禁带宽度有关。

固体材料的能带结构由多条能带组成,能带分为传导带(简称导带)、价电带(简称价带)和禁带等,导带和价带间的空隙称为能隙

从上面你就可以看出禁带宽度是能带宽度的一种 而禁带宽度就是导带和价带间的空隙,也称为能隙 。 能带宽度就是泛指上面举例的能带之间的宽度
希望对你有点帮助还

能带宽度为价带和导带的宽度,即电子能量分裂的一个个密集能级组成的宽度。 禁带宽度为导带和价带的间距。

2楼的,你简单点说吧!
能带宽度就是通电的能力,禁带宽度就是组电的能力【不是很标准,通俗就这样啦!】
邮箱gk1024@qq.com


怎样从一种材料的能带图以及态密度图分辨这种材料具有金属特性和半导 ...
能带宽度越宽就越不容易被激发也就是所谓的导电。导体、半导体、不导体直接的界限其实并不明确。一般金属的能带宽都很小,一般是零点几个电子伏以下就可以认为是导体。4.5个电子伏以上定为不导体。其实这个具体界限不用这么在意,因为真正使用材料的时候注意的是能带宽是几个电子伏,不会在意是金属还是...

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裔胡润尔: 禁带宽度的计算公式:Eg=1240/λg (eV) .禁带宽度是指一个带隙宽度,固体中电子的能量是不可以连续取值的,而是一些不连续的能带,要导电就要有自由电子或者空穴存在,自由电子存在的能带称为导带,自由空穴存在的能带称为价带(亦能导电).被束缚的电子要成为自由电子或者空穴,就必须获得足够能量从价带跃迁到导带,这个能量的最小值就是禁带宽度.禁带宽度对于半导体器件性能的影响是不言而喻的,它直接决定着器件的耐压和最高工作温度;对于双极性晶体管,当发射区因为高掺杂而出现禁带宽度变窄时,将会导致电流增益大大降低.

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裔胡润尔: (1)半导体能带结构中,导带最低点与价带最高点之间的能量差称为禁带宽度,以Eg表示(单位为电子伏特ev).若禁带宽度Eg<2ev,则称为窄禁带半导体,如锗(Ge),硅(Si),砷化镓(GaAs),磷化铟(InP) (2)价带和导带之间的能量...

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裔胡润尔: 禁带宽度(Band gap)是指一个带隙宽度(单位是电子伏特(ev)),固体中电子的能量是不可以连续取值的,而是一些不连续的能带,要导电就要有自由电子存在,自由电子存在的能带称为导带(能导电),被束缚的电子要成为自由电子,就必须获得足够能量从价带跃迁到导带,这个能量的最小值就是禁带宽度. 禁带宽度是半导体的一个重要特征参量,其大小主要决定于半导体的能带结构,即与晶体结构和原子的结合性质等有关.

黑河市15169277759: 什么是禁带宽度 -
裔胡润尔: 允带和允带之间(只要是指价带和导带之间)能带就是禁带,不允许载流子存在的能量区间.禁带宽度指导带中最低能级(导带底)和价带最高能级(价带顶)的能量之差.单位一般是eV,电子伏.

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裔胡润尔: 研究固体中电子运动规律的一种近似理论.固体由原子组成,原子又包括原子实和最外层电子,它们均处于不断的运动状态.为使问题简化,首先假定固体中的原子实固定不动,并按一定规律作周期性排列,然后进一步认为每个电子...

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裔胡润尔: 禁带宽度物理意义编辑禁带宽度是半导体的一个重要特征参量,其大小主要决定于半导体的能带结构,即与晶体结构和原子的结合性质等有关

黑河市15169277759: 半导体的导电机制在能带中是如何体现的? -
裔胡润尔: 我是这样理解的: 绝缘体和半导体之分,取决于满带与导带之间禁带(或能隙)Eg的宽度,对绝缘体来说,禁带宽度约为5~10eV,半导体中禁带(或能隙)宽度约为0.2~2eV. 因此,对于半导体来说,满带中的电子更容易以热激发的方式吸收足够的能量,从填满了电子的价带中跃迁到上面的空能带中,在这种情况下,这两个能带都变成了部分填充能带,在外电场的作用下均可参与导电.显然,禁带宽度Eg越小,被激发的电子愈多,导电能力愈强.

黑河市15169277759: 无机半导体的禁带宽度是多少?
裔胡润尔: 无机半导体的禁带宽度从0.1~2.0eV,ππ共轭聚合物的能带隙大致在1.4~4.2eV,绝缘体的禁带宽度大于4.5eV

黑河市15169277759: 为什么电子从其价键上挣脱出来所需的最小能量就是半导体的禁带宽度? -
裔胡润尔:[答案] 禁带宽度由半导体的电子态、原子组态决定,反映组成这种材料的原子中价电子从束缚状态激发到自由状态所需的能量. 推荐看看这片文章,主要介绍能带理论.

黑河市15169277759: 半导体ND如何计算.......... '............................ -
裔胡润尔: 问题一 首先掺杂后的半导体中一共有四种带点体, 带正电荷的有:1.失去一个电子后带正电的磷原子,即正电中心,2.正电空穴. 所以正电荷浓度为:ND+P 带负电荷的有:1.得到一个电子后带负电荷的彭原子,即负电中心,2.负电子. 所以负电荷浓度为:NA+N 楼主给的公式等价于:ND + P = NA + N 即整个半导体内部的正电荷浓度等于负电荷浓度,所以电中性. 问题二 至于NP=Ni^2,这个问题涉及到半导体内部电子,空穴浓度计算公式和费米能级的问题,需要经过一定推到,由于公式不太好些,我就不写了,楼主可查看国防工业出版社刘恩科写的《半导体物理学》第63页面,推到不难,楼主自己看看吧! 望有助于楼主!

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