512k*8的RAM芯片需要多少条地址线进行寻址，需要多少条数据线？具体过程

软件和硬件的区别？~

硬件和软件的区别：
一、软件是一种逻辑的产品，与硬件产品有本质的区别
硬件是看得见、摸得着的物理部件或设备。在研制硬件产品时，人的创造性活动表现在把原材料转变成有形的物理产品。
而软件产品是以程序和文档的形式存在，通过在计算机上运行来体现他的作用。
在研制软件产品的过程中，人们的生产活动表现在要创造性地抽象出问题的求解模型，然后根据求解模型写出程序，最后经过调试、运行程序得到求解问题的结果。整个生产、开发过程是在无形化方式下完成的，其能见度极差，这给软件开发、生产过程的管理带来了极大的困难。
二、软件产品质量的体现方式与硬件产品不同
质量体现方式不同表现在两个方面。硬件产品设计定型后可以批量生产，产品质量通过质量检测体系可以得到保障。但是生产、加工过程一旦失误。
硬件产品可能就会因为质量问题而报废。而软件产品不能用传统意义上的制造进行生产，就目前软件开发技术而言，软件生产还是“定制”的，只能针对特定问题进行设计或实现。但是软件爱你产品一旦实现后，其生产过程只是复制而已，而复制生产出来的软件质量是相同的。
设计出来的软件即使出现质量问题，产品也不会报废，通过修改、测试，还可以将“报废”的软件“修复”，投入正常运行。可见软件的质量保证机制比硬件具有更大的灵活性。
三、软件产品的成本构成与硬件产品不同
硬件产品的成本构成中有形的物质占了相当大的比重。就硬件产品生存周期而言，成本构成中设计、生产环节占绝大部分，而售后服务只占少部分。
软件生产主要靠脑力劳动。软件产品的成本构成中人力资源占了相当大的比重。软件产品的生产成本主要在开发和研制。研制成功后，产品生产就简单了，通过复制就能批量生产。
四、软件产品的失败曲线与硬件产品不同
硬件产品存在老化和折旧问题。当一个硬件部件磨损时可以用一个新部件去替换他。硬件会因为主要部件的磨损而最终被淘汰。
对于软件而言，不存在折旧和磨损问题，如果需要的话可以永远使用下去。但是软件故障的排除要比硬件故障的排除复杂得多。软件故障主要是因为软件设计或编码的错误所致，必须重新设计和编码才能解决问题。
软件在其开发初始阶段在很高的失败率，这主要是由于需求分析不切合实际或设计错误等引起的。当开发过程中的错误被纠正后，其失败率便下降到一定水平并保持相对稳定，直到该软件被废弃不用。在软件进行大的改动时，也会导致失败率急剧上升。
五、大多数软件仍然是定制产生的
硬件产品一旦设计定型，其生产技术、加工工艺和流程管理也就确定下来，这样便于实现硬件产品的标准化、系列化成批生产。
由于硬件产品具有标准的框架和接口，不论哪个厂家的产品，用户买来都可以集成、组装和替换使用。
尽管软件产品复用是软件界孜孜不倦追求的目标，在某些局部范围内几家领军软件企业也建立了一些软件组件复用的技术标准。
例如，OMG的CORBA，mICROSOFT的COM，sun的J2EE等，但是目前还做不到大范围使用软件替代品。大多数软件任然是为特定任务或用户定制的。

扩展资料：
硬件：
计算机的硬件是计算机系统中各种设备的总称。计算机的硬件应包括5个基本部分，即运算器、控制器、存储器、输入设备、输出设备，上述各基本部件的功能各异。运算器应能进行加、减、乘、除等基本运算。存储器不仅能存放数据，而且也能存放指令，计算机应能区分是数据还是指令。
控制器应能自动执行指令。操作人员可以通过输人、输出设备与主机进行通信。计算机内部采用二进制来表示指令和数据。操作人员将编好的程序和原始数据送人主存储器中，然后启动计算机工作，计算机应在不需干预的情况下启动完成逐条取出指令和执行指令的任务。
软件：
电脑的外观、主机内的元件都是看得见的东西，一般称它们为电脑的「硬件」，那么电脑的「软件」是什么呢？即使打开主机，也看不到软件在哪里。既看不见也摸不到，听起来好像很抽象，但是，如果没有软件，就像植物人一样，空有躯体却无法行动。
当你启动电脑时，电脑会执行开机程序，并且启动系统」，然后你会启动「Word」程序，并且打开「文件」来编辑文件，或是使用「Excel」来制作报表，和使用「IE」来上网等等，以上所提到的操作系统、打开的程序和文件，都属于电脑的「软件」。
软件包括：
1、应用软件：应用程序包，面向问题的程序设计语言等
2、系统软件：操作系统，语言编译解释系统服务性程序
硬件与软件的关系：
硬件和软件是一个完整的计算机系统互相依存的两大部分，它们的关系主要体现在以下几个方面。
1、硬件和软件互相依存
硬件是软件赖以工作的物质基础，软件的正常工作是硬件发挥作用的唯一途径。计算机系统必须要配备完善的软件系统才能正常工作，且充分发挥其硬件的各种功能。
2、硬件和软件无严格界线
随着计算机技术的发展，在许多情况下，计算机的某些功能既可以由硬件实现，也可以由软件来实现。因此，硬件与软件在一定意义上说没有绝对严格的界面。
3、硬件和软件协同发展
计算机软件随硬件技术的迅速发展而发展，而软件的不断发展与完善又促进硬件的更新，两者密切地交织发展，缺一不可。
参考资料：
软件-百度百科
硬件-百度百科

一分钟了解硬件

19条地址线，8条数据线，512K为2的19次方，K代表2的10次方，512为2的9次方，后面的8条数据线。

比如：

将8个RAM芯片以并联方式通过PCB走线连接，可以组成一个8Kx8bit存储器。要完成所有的寻址最少需要13条地址线。完成PBANK片选需要3条地址线。

128根芯片组选择地址线，其中两个512*4的RAM芯片共用一根芯片组选择地址线。芯片组选择地址线即共用的片选线。

扩展资料：

在地址位多处理器协议中（ADDR/IDLE MODE位为1），最后一个数据位后有一个附加位，称之为地址位。数据块的第一个帧的地址位设置为1，其他帧的地址位设置为0。地址位多处理器模式的数据传输与数据块之间的空闲周期无关（参看图在SCICCR寄存器中的位3——ADDR/IDLE MODE位）。一根地址线只能表示1和0。

参考资料来源：百度百科-地址线

19条地址线，8条数据线，512K为2的19次方，K代表2的10次方，512为2的9次方，后面的8条数据线

512K=2^19,应该是19个地址线，
你后面乘8，不就是说明是8条数据线，表示一个字节。

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闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，EEPROM与闪存不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快。由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS（基本输入输出程序）、PDA（个人数字助理）、数码相机中保存资料等。另一方面，闪存不像RAM（随机存取存储器）一样以字节为单位改写数据，因此不能取代RAM。
闪存卡（Flash Card）是利用闪存（Flash Memory）技术达到存储电子信息的存储器，一般应用在数码相机，掌上电脑，MP3等小型数码产品中作为存储介质，所以样子小巧，有如一张卡片，所以称之为闪存卡。根据不同的生产厂商和不同的应用，闪存卡大概有SmartMedia（SM卡）、Compact Flash（CF卡）、MultiMediaCard（MMC卡）、Secure Digital（SD卡）、Memory Stick（记忆棒）、XD-Picture Card（XD卡）和微硬盘（MICRODRIVE）这些闪存卡虽然外观、规格不同，但是技术原理都是相同的。
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NOR型与NAND型闪存的区别很大，打个比方说，NOR型闪存更像内存，有独立的地址线和数据线，但价格比较贵，容量比较小；而NAND型更像硬盘，地址线和数据线是共用的I/O线，类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般，而且NAND型与NOR型闪存相比，成本要低一些，而容量大得多。因此，NOR型闪存比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行，手机就是使用NOR型闪存的大户，所以手机的“内存”容量通常不大；NAND型闪存主要用来存储资料，我们常用的闪存产品，如闪存盘、数码存储卡都是用NAND型闪存。
这里我们还需要端正一个概念，那就是闪存的速度其实很有限，它本身操作速度、频率就比内存低得多，而且NAND型闪存类似硬盘的操作方式效率也比内存的直接访问方式慢得多。因此，不要以为闪存盘的性能瓶颈是在接口，甚至想当然地认为闪存盘采用USB2.0接口之后会获得巨大的性能提升。
前面提到NAND型闪存的操作方式效率低，这和它的架构设计和接口设计有关，它操作起来确实挺像硬盘(其实NAND型闪存在设计之初确实考虑了与硬盘的兼容性)，它的性能特点也很像硬盘：小数据块操作速度很慢，而大数据块速度就很快，这种差异远比其他存储介质大的多。这种性能特点非常值得我们留意。
闪存存取比较快速，无噪音，散热小。你买的话其实可以不考虑那么多，同样存储空间买闪存。如果硬盘空间大就买硬盘，也可以满足你应用的需求。
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·目前市场上常见的存储按种类可分：
U盘
CF卡
SM卡
SD/MMC卡
记忆棒
XD卡
MS卡
TF卡
·国内市场常见的品牌有：
金士顿、索尼、晟碟、Kingmax、鹰泰、创见、爱国者，纽曼，威刚，联想、台电。
[1][2][3]内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit，用户可以随机访问任何一个bit的信息。而NAND型闪存的基本存储单元是页（Page）（可以看到，NAND型闪存的页就类似硬盘的扇区，硬盘的一个扇区也为512字节）。每一页的有效容量是512字节的倍数。所谓的有效容量是指用于数据存储的部分，实际上还要加上16字节的校验信息，因此我们可以在闪存厂商的技术资料当中看到“（512+16）Byte”的表示方式。目前2Gb以下容量的NAND型闪存绝大多数是（512+16）字节的页面容量，2Gb以上容量的NAND型闪存则将页容量扩大到（2048+64）字节。
NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数据，必须先擦除后写入，因此擦除操作是闪存的基本操作。一般每个块包含32个512字节的页，容量16KB；而大容量闪存采用2KB页时，则每个块包含64个页，容量128KB。
每颗NAND型闪存的I/O接口一般是8条，每条数据线每次传输（512+16）bit信息，8条就是（512+16）×8bit，也就是前面说的512字节。但较大容量的NAND型闪存也越来越多地采用16条I/O线的设计，如三星编号K9K1G16U0A的芯片就是64M×16bit的NAND型闪存，容量1Gb，基本数据单位是（256+8）×16bit，还是512字节。
寻址时，NAND型闪存通过8条I/O接口数据线传输地址信息包，每包传送8位地址信息。由于闪存芯片容量比较大，一组8位地址只够寻址256个页，显然是不够的，因此通常一次地址传送需要分若干组，占用若干个时钟周期。NAND的地址信息包括列地址(页面中的起始操作地址)、块地址和相应的页面地址，传送时分别分组，至少需要三次，占用三个周期。随着容量的增大，地址信息会更多，需要占用更多的时钟周期传输，因此NAND型闪存的一个重要特点就是容量越大，寻址时间越长。而且，由于传送地址周期比其他存储介质长，因此NAND型闪存比其他存储介质更不适合大量的小容量读写请求。
决定NAND型闪存的因素有哪些？
1．页数量

前面已经提到，越大容量闪存的页越多、页越大，寻址时间越长。但这个时间的延长不是线性关系，而是一个一个的台阶变化的。譬如128、256Mb的芯片需要3个周期传送地址信号，512Mb、1Gb的需要4个周期，而2、4Gb的需要5个周期。
2．页容量

每一页的容量决定了一次可以传输的数据量，因此大容量的页有更好的性能。前面提到大容量闪存（4Gb）提高了页的容量，从512字节提高到2KB。页容量的提高不但易于提高容量，更可以提高传输性能。我们可以举例子说明。以三星K9K1G08U0M和K9K4G08U0M为例，前者为1Gb，512字节页容量，随机读（稳定）时间12μs，写时间为200μs；后者为4Gb，2KB页容量，随机读(稳定)时间25μs，写时间为300μs。假设它们工作在20MHz。
读取性能：NAND型闪存的读取步骤分为：发送命令和寻址信息→将数据传向页面寄存器(随机读稳定时间)→数据传出(每周期8bit，需要传送512+16或2K+64次)。
K9K1G08U0M读一个页需要：5个命令、寻址周期×50ns+12μs+（512+16）×50ns=38.7μs；K9K1G08U0M实际读传输率：512字节÷38.7μs=13.2MB/s；K9K4G08U0M读一个页需要：6个命令、寻址周期×50ns+25μs+（2K+64）×50ns=131.1μs；K9K4G08U0M实际读传输率：2KB字节÷131.1μs=15.6MB/s。因此，采用2KB页容量比512字节也容量约提高读性能20%。
写入性能：NAND型闪存的写步骤分为：发送寻址信息→将数据传向页面寄存器→发送命令信息→数据从寄存器写入页面。其中命令周期也是一个，我们下面将其和寻址周期合并，但这两个部分并非连续的。
K9K1G08U0M写一个页需要：5个命令、寻址周期×50ns+（512+16）×50ns+200μs=226.7μs。K9K1G08U0M实际写传输率：512字节÷226.7μs=2.2MB/s。K9K4G08U0M写一个页需要：6个命令、寻址周期×50ns+（2K+64）×50ns+300μs=405.9μs。K9K4G08U0M实际写传输率：2112字节/405.9μs=5MB/s。因此，采用2KB页容量比512字节页容量提高写性能两倍以上。
3．块容量
块是擦除操作的基本单位，由于每个块的擦除时间几乎相同（擦除操作一般需要2ms，而之前若干周期的命令和地址信息占用的时间可以忽略不计），块的容量将直接决定擦除性能。大容量NAND型闪存的页容量提高，而每个块的页数量也有所提高，一般4Gb芯片的块容量为2KB×64个页=128KB，1Gb芯片的为512字节×32个页=16KB。可以看出，在相同时间之内，前者的擦速度为后者8倍！
4．I/O位宽

以往NAND型闪存的数据线一般为8条，不过从256Mb产品开始，就有16条数据线的产品出现了。但由于控制器等方面的原因，x16芯片实际应用的相对比较少，但将来数量上还是会呈上升趋势的。虽然x16的芯片在传送数据和地址信息时仍采用8位一组，占用的周期也不变，但传送数据时就以16位为一组，带宽增加一倍。K9K4G16U0M就是典型的64M×16芯片，它每页仍为2KB，但结构为（1K+32）×16bit。
模仿上面的计算，我们得到如下。K9K4G16U0M读一个页需要：6个命令、寻址周期×50ns+25μs+（1K+32）×50ns=78.1μs。K9K4G16U0M实际读传输率：2KB字节÷78.1μs=26.2MB/s。K9K4G16U0M写一个页需要：6个命令、寻址周期×50ns+（1K+32）×50ns+300μs=353.1μs。K9K4G16U0M实际写传输率：2KB字节÷353.1μs=5.8MB/s
可以看到，相同容量的芯片，将数据线增加到16条后，读性能提高近70%，写性能也提高16%。
5．频率

工作频率的影响很容易理解。NAND型闪存的工作频率在20～33MHz，频率越高性能越好。前面以K9K4G08U0M为例时，我们假设频率为20MHz，如果我们将频率提高一倍，达到40MHz，则K9K4G08U0M读一个页需要：6个命令、寻址周期×25ns+25μs+（2K+64）×25ns=78μs。K9K4G08U0M实际读传输率：2KB字节÷78μs=26.3MB/s。可以看到，如果K9K4G08U0M的工作频率从20MHz提高到40MHz，读性能可以提高近70%！当然，上面的例子只是为了方便计算而已。在三星实际的产品线中，可工作在较高频率下的应是K9XXG08UXM，而不是K9XXG08U0M，前者的频率目前可达33MHz。
6．制造工艺
制造工艺可以影响晶体管的密度，也对一些操作的时间有影响。譬如前面提到的写稳定和读稳定时间，它们在我们的计算当中占去了时间的重要部分，尤其是写入时。如果能够降低这些时间，就可以进一步提高性能。90nm的制造工艺能够改进性能吗？答案恐怕是否！目前的实际情况是，随着存储密度的提高，需要的读、写稳定时间是呈现上升趋势的。前面的计算所举的例子中就体现了这种趋势，否则4Gb芯片的性能提升更加明显。
综合来看，大容量的NAND型闪存芯片虽然寻址、操作时间会略长，但随着页容量的提高，有效传输率还是会大一些，大容量的芯片符合市场对容量、成本和性能的需求趋势。而增加数据线和提高频率，则是提高性能的最有效途径，但由于命令、地址信息占用操作周期，以及一些固定操作时间（如信号稳定时间等）等工艺、物理因素的影响，它们不会带来同比的性能提升。
1Page=（2K+64）Bytes；1Block=（2K+64）B×64Pages=（128K+4K）Bytes；1Device=（2K+64）B×64Pages×4096Blocks=4224Mbits
其中：A0～11对页内进行寻址，可以被理解为“列地址”。
A12～29对页进行寻址，可以被理解为“行地址”。为了方便，“列地址”和“行地址”分为两组传输，而不是将它们直接组合起来一个大组。因此每组在最后一个周期会有若干数据线无信息传输。没有利用的数据线保持低电平。NAND型闪存所谓的“行地址”和“列地址”不是我们在DRAM、SRAM中所熟悉的定义，只是一种相对方便的表达方式而已。为了便于理解，我们可以将上面三维的NAND型闪存芯片架构图在垂直方向做一个剖面，在这个剖面中套用二维的“行”、“列”概念就比较直观了。
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“优盘”是闪存走进日常生活的最明显写照，其实早在U盘之前，闪存已经出现在许多电子产品之中。传统的存储数据方式是采用RAM的易失存储，电池没电了数据就会丢失。采用闪存的产品，克服了这一毛病，使得数据存储更为可靠。除了闪存盘，闪存还被应用在计算机中的BIOS、PDA、数码相机、录音笔、手机、数字电视、游戏机等电子产品中。
追溯到1998年，优盘进入市场。接口由USB1.0发展到2.0，速度逐渐提高。U盘的盛行还间接促进了USB接口的推广。为什么U盘这么受到人们欢迎呢？
闪存盘可用来在电脑之间交换数据。从容量上讲，闪存盘的容量从16MB到2GB可选，突破了软驱1.44MB的局限性。从读写速度上讲，闪存盘采用USB接口，读写速度比软盘高许多。从稳定性上讲，闪存盘没有机械读写装置，避免了移动硬盘容易碰伤、跌落等原因造成的损坏。部分款式闪存盘具有加密等功能，令用户使用更具个性化。闪存盘外形小巧，更易于携带。且采用支持热插拔的USB接口，使用非常方便。
目前，闪存正朝大容量、低功耗、低成本的方向发展。与传统硬盘相比，闪存的读写速度高、功耗较低，目前市场上已经出现了闪存硬盘，也就是SSD硬盘，目前该硬盘的性价比进一步提升。随着制造工艺的提高、成本的降低，闪存将更多地出现在日常生活之中。
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如果单从储存介质上来说 ，闪存比硬盘好 。但并不是音质上的好，是指数据传输的速度还有抗震度来说（闪存不存在抗震） 。要对比两者之间的优劣并不难， 首先理解什么是数码，知道什么是数码信号之后就该清楚数码信号通常是不受储存介质干扰的。（忽略音频流文件的误码，硬盘和闪存在这个方面可以忽略，光盘不同。） 硬盘和闪存的数据准确性都很高 ，在同样的测试条件下（相同解码相同输出），两者音质肯定是一样的 。对于随身听来说，赞同闪存式。
优点：
1.闪存的随身听小。并不是说闪存的集成度就一定会高。微硬盘做的这么大一块主要原因就是微硬盘不能做的小过闪存，并不代表微硬盘的集成度就不高。再说，集成度高并不能代表音质一定下降。MD就是一个例子。
2.相对于硬盘来说闪存结构不怕震，更抗摔。硬盘最怕的就是强烈震动。虽然我们使用的时候可以很小心，但老虎也有打盹的时候，不怕一万就怕万一。
3.闪存可以提供更快的数据读取速度，硬盘则受到转速的限制 。
4.质量轻。
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·闪存的发展历史
在1984年，东芝公司的发明人Fujio Masuoka 首先提出了快速闪存存储器(此处简称闪存)的概念。与传统电脑内存不同，闪存的特点是非易失性(也就是所存储的数据在主机掉电后不会丢失)，其记录速度也非常快。
Intel是世界上第一个生产闪存并将其投放市场的公司。1988年，公司推出了一款256K bit闪存芯片。它如同鞋盒一样大小，并被内嵌于一个录音机里。后来，Intel发明的这类闪存被统称为NOR闪存。它结合EPROM(可擦除可编程只读存储器)和EEPROM(电可擦除可编程只读存储器)两项技术，并拥有一个SRAM接口。
第二种闪存称为NAND闪存。它由日立公司于1989年研制，并被认为是NOR闪存的理想替代者。NAND闪存的写周期比NOR闪存短90%，它的保存与删除处理的速度也相对较快。NAND的存储单元只有NOR的一半，在更小的存储空间中NAND获得了更好的性能。鉴于NAND出色的表现，它常常被应用于诸如CompactFlash、SmartMedia、 SD、 MMC、 xD、 and PC cards、USB sticks等存储卡上。
·闪存的市场现状分析
目前的闪存市场仍属于群雄争霸的末成熟时期。三星、日立、Spansion和Intel是这个市场的四大生产商。
由于战略上的一些错误，Intel在第一次让出了它的榜首座椅，下落至三星、日立和Spansion之后。
AMD闪存业务部门Spansion同时生产NAND和NOR闪存。它上半年的NOR闪存产量几乎与Intel持平，成为NOR闪存的最大制造商。该公司在上半年赢利为13亿美元，几乎是它整个公司利润额(25亿美元)的一半以上。
总体而言，Intel和AMD在上半年成绩喜人，但三星和日立却遭受挫折。
据市场调研公司iSuppli所做的估计，今年全球的闪存收益将达到166亿美元，比2003年(116.4亿美元)上涨46%。消息者对数码相机、USB sticks和压缩式MP3播放器内存的需求将极大推动闪存的销售。据预测，2005年闪存的销售额将达到175亿美元。不过，iSuppli估计，2005年至2008年闪存的利润增涨将有所回落，最高将达224亿美元。
·新的替代品是否可能？
与许多寿命短小的信息技术相比，闪存以其16年的发展历程，充分显示了其“老前辈”的作风。九十年代初，闪存才初入市场；至2000年，利益额已突破十亿美元。英飞凌科技闪存部门主任，彼得曾说：“就闪存的生命周期而言，我们仍处于一个上升的阶段。”英飞凌相信，闪存的销售仍具有上升空间，并在酝酿加入对该市场的投入。英飞凌在今年初宣布，其位于德累斯顿的200毫米DRAM工厂已经开始生产512Mb NAND兼容闪存芯片。到2004年底，英飞凌公司计划采用170纳米制造工艺，每月制造超过10,000片晶圆。而2007年，该公司更希望在NAND市场成为前三甲。
此外，Intel技术与制造集团副总载Stefan Lai认为，在2008年之前，闪存将不可替代。2006年，Intel将首先采用65纳米技术；到2008年，目前正在研发的新一代45纳米技术将有望投放市场。Stefan Lai觉得，目前的预测仍然比较浅显，或许32纳米、22纳米技术完全有可能实现。但Stefan Lai也承认，2008年至2010年，新的技术可能会取而代之。
尽管对闪存替代品的讨论越来越激励，闪存仍然受到市场的重视。未来的替代品不仅必须是类似闪存一样的非易失性存储器，而且在速度和写周期上略胜一筹。此外，生产成本也应该相对低廉。由于现在制造技术还不成熟，新的替代品不会对闪存构成绝对的威胁。下面就让我们来认识一下几种可能的替代产品：
·Nanocrystals(纳米晶体)
摩托罗拉的半导体部门Freescale正在研制一种增加闪存生命周期的产品。这种产品以硅纳米晶体(Silicon Nanocrystals)为介质，用硅原子栅格代替了半导体内部的固态层。纳米晶体不是一个全新的存储技术。它只是对闪存的一种改进，使它更易扩展。它的生产成本可以比原来低大约10-15%，生产过程更加简单。它的性能与可靠性都能够与目前的闪存相媲美。
摩托罗拉花了十年时间研发这种技术，并打算大规模生产此类产品。去年六月，该公司已经成功地使用此技术推出了一款此类芯片。硅纳米晶体芯片预计会在2006年全面投放市场。
→更多相关内容请参见纳米晶体
·MRAM(Magnetic RAM磁荷随机存储器)
MRAM磁荷随机存储器是由英飞凌与Freescale两家公司研发的一种利用磁荷来储存数据的存介质。MRAM的写次数很高，访问速度也比闪存大大增强。根据计算，写MRAM芯片上1bit的时间要比写闪存的时间短一百万倍。
·磁荷随机存储器
两家公司都认为，MRAM不仅将是闪存的理想替代品，也是DRAM与SRAM的强有力竞争者。今年六月，英飞凌已将自己的第一款产品投放市场。与此同时，Freescale也正在加紧研发，力争在明年推出4M bit芯片。
但是，一些评论者担心MRAM是否能达到闪存存储单元的尺寸。根据英飞凌的报告，目前闪存存储单元的尺寸为0.1µm²，而16M bit MRAM芯片仅达到1.42 µm²。另外，MRAM的生产成本也是个不小的问题。
更多相关内容请参见磁荷随机存储器。
·OUM(Ovonic Unified Memory Ovonyx标准化内存)
OUM是由Intel研发的，利用Ge、Sb与Te等化合物为材料制成的薄膜。OUM。OUM的写、删除和读的功能与CD-RW与DVD-RW相似。但CD/DVD使用激光来加热和改变称为硫系化合物(chalcogenides)的材料；而OUM则通过电晶体控制电源，使其产生相变方式来储存资料。
OUM的擦写次数为10的12次方，100次数据访问时间平均为200纳秒。OUM的速度比闪存要快。尽管OUM比MRAM的数据访问时间要慢，但是低廉的成本却是OUM的致胜法宝。
与MRAM不同，OUM的发展仍处于初期。尽管已制成测试芯片，它们仅仅能用来确认概念而不是说明该技术的可行性。Intel在过去四年一直致力于OUM的研发，并正在努力扩大该市场。
更多相关内容请参见OUM 。
闪存在使用过程中的一些问题
读写闪存时，是否可以运行其它应用程序？
可以。
闪存可擦写多少次？闪存里的数据能保存多久？
闪存可擦写1,000,000次，闪存里数据可保存10年
一台电脑可同时接几个闪存？
理论上一台电脑可同时接127个闪存，但由于驱动器英文字母的排序原因， 以及现有的驱动器需占用几个英文字母，故闪存盘最多只可以接23个（除开 A、B、C）， 且需要USB HUB的协助。
闪存在DOS状态下能否使用
闪存支持WINDOWS虚拟DOS方式（启动Windows后在附件中进入）。支持启动功能的优盘在通过闪存盘成功启动电脑的状态下，能够以DOS命令方式操作。
WINDOWS NT4.0下闪存盘如何使用？
不能。因为WINDOWS NT4.0操作系统不支持USB设备，而闪存盘是基于USB的设备。
闪存可以在什么驱动程序下使用？
A9 Windows98、Windows ME、Windows 2000、Windows XP、MAC OS、Linux.
闪存是否需要驱动程序？
在Mac OS 、Windows 2000以上版本上不需要，在Win 98上需要驱动程序
闪存可以在Windows 98 / Windows 2000 / Mac OS下被格式化吗？
可以。
闪存的内容能否加密？
可以。
闪存在局域网里是否可以共享？
可以。
闪存可以存储哪些类型的数据？
所有电脑数据都可以存储，包括文件、程序、图象、音乐、多媒体等。
安装闪存时是否需要关闭电脑？
不需要，闪存是即插即用型产品，可以进行插拔。
闪存可以防水吗？
闪存是电子类产品，掉入水中后可能会造成闪存盘内部短路而损坏。
插拔闪存时，有哪些注意事项
当闪存盘指示灯快闪时，即电脑在读写闪存盘状态下，不要拔下闪存；当插入闪存后，最好不要立即拔出。特别是不要反复快速插拔，因为操作系统需要一定的反应时间，中间的间隔最好在5秒以上。
闪存是否会感染病毒？
闪存像所有硬盘一样可能感染病毒
闪存用于桌面电脑时，并且USB接口在电脑的后面时，有什么办法使之更方便？
通过一条USB转接电缆（具有 A-Type Plug and A-Type Receptacle）与电脑连接
闪存上的文件出现乱码或文件打不开
使用闪存专用工具做格式化
双击闪存盘盘符时，电脑提示闪存盘需格式化
当闪存分区表遭到破坏或是闪存性能不稳定时，会出现上述现象。出现这种问题，一般可以使用闪存专用工具做格式化
闪存写保护不起作用，在写保护关锁状态，数据也能够顺利写入。
切换闪存写保护开关，需要在断开与电脑的联接的状态下进行。如果是在与电脑联接状态下切换了写保护开关，需要重新插拔一次闪存，才能切实使切换起作用。
·总结
除了上文提到的MRAM和OUM，其它可替代的产品还有MRAM (FeRAM)、 Polymer memory (PFRAM)、 PCRAM、 Conductive Bridge RAM (CBRAM)、 Organic RAM (ORAM)以及最近的Nanotube RAM (NRAM)。目前替代闪存的产品有许多，但是哪条路能够成功，以及何时成功仍然值得怀疑。
对大多数公司而言，闪存仍是一个理想的投资。不少公司已决定加大对闪存的投资额。此外，据估计，到2004年，闪存总产值将与DRAM并驾齐驱，到2006年将超越DRAM产品。因为，在期待新一代产品的同时，我们也不应该忽视目前已有的市场。


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楚雄彝族自治州15531424011： 怎么判断作芯片选择需要多少位地址? - ？
夷炕亨威： 这要看你的芯片是多少地址位,如果存储器由512k X 8位的SRAM组成,那么就需要1位.因为存储区的地址位为20为 A19~A0 芯片的地址位为 19位(2^19=512k) 所以低19位 A18~A0用来做芯片内部寻址,高位A19用来做芯片选择.有存储容量可计算得需要8片芯片,存储器的字长为64位而芯片的字长为8为,高位A19有64位,64除以8=8 即一位地址位就能完成8芯片选择的任务.

楚雄彝族自治州15531424011： 某以8088为CPU的微机 - ？
夷炕亨威： 在下只知道两个 微机RAM应该是512K *8 BIT 62256 应该是32K * 8 BIT 应该要16片芯片. 21256 应该是262144 * 1BIT 应该要16片芯片 其他的两个大小是多少不知道,所以没法帮你,自己弄个芯片大小上来吧,这些芯片都太老了.

楚雄彝族自治州15531424011： 8K X 8为芯片组成512K X 8位存储空间 问:需要几个芯片,芯片组,片内地址线,与8088相连有几根片选地址线？
夷炕亨威： 首先要求是你的CPU有16位的数据总线,芯片要4片,16k需要13根地址线,这么接完后,每个地址对应了16位的数据,一共16k个地址

楚雄彝族自治州15531424011： 若组成64K*8的存储器,需几个RAM芯片?几个芯片组?几个芯片组选择地址线 - ？
夷炕亨威： 如果是64K*8Byte,也就是512K字节的话,可以用一片628512; 如果是64K*8Bit,64K字节的话,可以用8片6264;地址范围为: 0000H~1FFFH 2000H~3FFFH 4000H~5FFFH 6000H~7FFFH 8000H~9FFFH A000H~BFFFH C000H~DFFFH E000H~FFFFH

楚雄彝族自治州15531424011： 关于微机原理问题,使用RAM芯片组成所需的存储容量,需多少片芯片及多少寻址线问题 - ？
夷炕亨威： 如果512K*4bit的芯片2片就够了 不过您可能抄错题目了,应该是512*4bit的芯片,那就要2*16片了8kB译码需要2(13)即13根地址线,每个芯片9根

楚雄彝族自治州15531424011： 一个512*4的RAM芯片组成64K*8的存储器需要多少根芯片组选择地址线? - ？
夷炕亨威： 128根芯片组选择地址线,其中两个512*4的RAM芯片共用一根芯片组选择地址线. 芯片组选择地址线即共用的片选线.

楚雄彝族自治州15531424011： 已知一个字长16位的存储器 具有18位的地址线 - ？
夷炕亨威： 2^18=262144(256K地址),因为字长是16位=2字节,所以能存储524288字节的信息.存储器由32K*8位的RAM?你的描述很奇怪,到底的32K的RAM?还是32K*8=256K的RAM?(524288 /32768)/8 =2,需要32K*8位的RAM芯片2片.存储器的逻辑很简单,只需要把两片RAM的18根地址总线并连在一起,两片8位数据总线相加为16数据总线(如:一片高8位,另一片是低8位)就行了.