SPI flash W25Q64B的程序谁用过呀，可以共享一份吗
作者&投稿：粱迫 （若有异议请与网页底部的电邮联系）
FlashRom 是快速擦写只读存储器，也就是我们常说的“闪存”，单片机程序存储器就是Flash Rom，所谓“闪存”，就是一种非易失性的内存，属于EEPROM的改进产品。它的最大特点是必须按块对数据进行擦写操作，芯片容量大（W25Q16容量2M字节），而EEPROM则可以对单个字节进行操作，芯片容量较小（24c512容量65536字节）。前者容量是后者容量的32倍。另外Flash Rom比EEPROM具有更高的读写速度，芯片价格基本一致，W25Q16零售价3.5元。FlashRom除用于共业领域外，在消费电子产品中运用也非常广泛，比如常见的U盘，SD卡，CF卡等存储设备都是使用的FlashRom作为核心存储器件。
线等麻烦详细说明理由
更多内容可查看《STC51单片机入门(C语言)》，出版的纸版书名称为《51单片机轻松入门—基于STC15W4K系列》第24 章 2M字节Flash Rom存储器W25Q16/W25X16
认识Flash Rom
FlashRom 是快速擦写只读存储器，也就是我们常说的“闪存”，单片机程序存储器就是Flash Rom，所谓“闪存”，就是一种非易失性的内存，属于EEPROM的改进产品。它的最大特点是必须按块对数据进行擦写操作，芯片容量大（W25Q16容量2M字节），而EEPROM则可以对单个字节进行操作，芯片容量较小（24c512容量65536字节）。前者容量是后者容量的32倍。另外Flash Rom比EEPROM具有更高的读写速度，芯片价格基本一致，W25Q16零售价3.5元。FlashRom除用于共业领域外，在消费电子产品中运用也非常广泛，比如常见的U盘，SD卡，CF卡等存储设备都是使用的FlashRom作为核心存储器件。
Flash Rom的分类
NOR闪存 INTEL公司首批生产
NAND闪存 日立公司首批生产，比NOR闪存的写周期短90%，保存删除数据速度都较快，广泛用于SD卡、XD卡、SM卡、CF卡等存储卡上。
如果用来存储少量的数据，这时NOR闪存更适合一些，而NAND闪存则是高资料密度的理想解决方案。比如单片机的程序存储器就是Flash Rom中的NOR闪存，常见的存储卡或U盘使用的是NAND闪存。
认识W25X16/ W25Q16
这里以W25X16介绍为主，W25Q16兼容W25X16，并且性能更佳，W25Q16保持了与W25X系列功能与管脚的完全兼容，并增加了双/四输入输出等高效功能。W25Q的时钟频率达到了80MHz，等效读取(连续)速率为每秒320兆位(40兆字节), 这是标准50MHz串行闪存传输速率的六倍以上。与此同时，W25Q将每个读指令需要的时钟数目从40个减少到12个，进一步减少了70%的“随机读取”的指令负荷。W25Q16零售价3.5元。它们属与NOR型闪，用量较多的还是贴片封装，这样可以减小印制板面积。
file:///C:/DOCUME~1/ADMINI~1/LOCALS~1/Temp/msohtml1/01/clip_image002.jpg file:///C:/DOCUME~1/ADMINI~1/LOCALS~1/Temp/msohtml1/01/clip_image004.jpg
W25X16有16Mbit存储位，
因为1024bit就是1K, 16Mbit =16*1024*1024=16 777 216 bit，从手册存储器结构图可以看出W25X16的最大地址值是1FFFFFH，24位地址高3位固定为0（W25X64才需用到最高3位），只有21位有效地址，2的21次方=2097152字节，2097152个字节正好存储16 777 216bit，这里的地址都是以字节为最小单位的。
W25X16分为8192页，每页256字节，用“页编程指令”每次就可以编程256字节，用“扇区擦除指令”每次可擦除16页，用“块擦除指令”每次可擦除256页，用“整片擦除指令”可一次擦除整个芯片，W25X16有512个可擦除扇区或32个可擦除块。对于W25X16，1页=256字节，归纳一下，
1页=256字节
1扇区=16页=16*256字节=4096字节 (W25X16有512个扇区)。
1块=256页=256*256字节=65536字节 (W25X16有32块)。
它采用标准SPI接口与单片机进行通信，最大时钟速率75M。W25X16引脚排列如下图所示。
file:///C:/DOCUME~1/ADMINI~1/LOCALS~1/Temp/msohtml1/01/clip_image006.jpg
引脚号
引脚名称
输入输出类型（I/O）
功能
1
/CS
I
片选，低电平工作，高电平时DO脚高阻
2
DO
O
数据输出，下降沿输出
3
/WP
I
写保护，低电平保护状态寄存器不被改写
4
GND
地
5
DIO
I/O
数据输入/输出
6
CLK
I
时钟
7
/HOLD
I
保持，低电平保持
8
VCC
电源，2.7-3.6V
说明：
5脚（DIO）:在普通方式下，这个引脚是串行输入引脚(DI)，数据、地址和命令通过此引脚送到芯片内部，在CLK引脚的上升沿捕获。当使用了“快读双输出指令”时，这个引脚就变成了DO引脚，这种情况下，芯片就有了2个DO引脚，所以叫做双输出，这时芯片的通信速度相当于翻了一倍，所以传输速度更快。
7脚（/HOLD）:保持引脚，当/CS片选为低电平，且HOLD为低电平时，DO引脚处于高阻态，而且会忽略DIO和CLK引脚上的信号，把HOLD拉高，器件恢复正常工作，当芯片与多个其它芯片共享单片机上的同一个SPI接口时，此引脚就显得非常有用，通常此引脚接高电平保证芯片正常工作。
什么都不用做，直接连接就是了。w25的端口兼容5伏的。用个1117--3.3V的就能共用5V，或5V的用两个二级管降压后得3.6V也和3.3V很接近可以用。
W25X16内部状态寄存器（上电复位时，各位都被清零）
7
6
5
4
3
2
1
0
SPR
保留位（0）
TB
BP2
BP1
BP0
WEL
BUSY
BUSY忙位：
只读位，在芯片执行“页编程”，“扇区擦除” 、“块擦除”、 “芯片擦除”、 “写状态寄存器”指令时，该位自动置1，此时除了“读状态寄存器”指令，其它指令都无效，当编程、擦除和写状态寄存器指令执行完毕后，该为自动变0，表示芯片可以接收其它指令了。
WEL写保护位：
只读位，写操作允许标志位，当执行完写使能指令后，该位为1表示允许写操作，为0表示禁止写，当芯片掉电后或执行写禁止、页编程、扇区擦除、块擦除、芯片擦除和写状态寄存器命令后自动进入写保护状态。
BP2、BP1、BP0块保护位：
可读写位，用于块区保护，可用写状态寄存器命令修改这几位，为这3位为0时，块区无保护，当SPR位为1或/WP脚为低时，这3位无法更改。
file:///C:/DOCUME~1/ADMINI~1/LOCALS~1/Temp/msohtml1/01/clip_image008.jpg
TB 底部顶部块保护位：
可读写位，用于底部顶部块保护，可用写状态寄存器命令修改这1位，当这1位为0时，底部顶部块区无保护，当SPR位为1或/WP脚为低时，这1位无法更改。
SPR状态寄存器保护位：
可读写位，意义如下表
SPR
/WP
状态寄存器
0
0
可读写
0
1
可读写
1
0
无法读写
1
1
可读写
W25X16包括15个基本指令，通过这15个基本指令与SPI总线就完全可以控制芯片，指令在/CS拉低后开始传送，DIO引脚上数据的第一个字节就是指令码，在CLK引脚的上升沿采集DIO数据，高位在前。
指令的长度从1个字节到多个字节，有时还会跟随地址字节、数据字节、伪字节，有时候还会是它们的组合，在/CS引脚的上升沿完成指令的传输，所有的读指令都可以在任意时钟位完成，而所有的写、编程和擦除指令在一个字节的边界后才能完成，否则，指令将不起作用，这个特征可以保护芯片不被意外写入，当芯片正在被编程、擦除或写状态寄存器的时候，除“读状态寄存器”指令，其它所有指令都将被忽略直到擦写周期结束。
指令名称
字节1
字节2
字节3
字节4
字节5
字节6
下一个字节
写使能
06H
写禁止
04H
读状态寄存器
05H
(S7～S0)
写状态寄存器
01H
S7～S0
读数据
03H
A23～A16
A15～A8
A7～A0
(D7～D0)
下一个字节
继续
快读
0BH
A23～A16
A15～A8
A7～A0
伪字节
D7～D0
下一个字节
快读双输出
3BH
A23～A16
A15～A8
A7～A0
伪字节
I/O=(D6,D4,D2,D0) O=(D7,D5,D3,D1)
每4个时钟1个字节
页编程
02H
A23～A16
A15～A8
A7～A0
(D7～D0)
下个字节
直到256个字节
块擦除(64K)
D8H
A23～A16
A15～A8
A7～A0
扇区擦除(4K)
20H
A23～A16
A15～A8
A7～A0
芯片擦除
C7H
掉电
B9H
释放掉电/器件ID
ABH
伪字节
伪字节
伪字节
(ID7～ID0)
制造器件ID
90H
伪字节
伪字节
00H
(M7～M0)
(ID7～ID0)
JEDEC ID
9FH
(M7～M0)
(ID15～ID8)
(ID7～ID0)
说明：数据高位在前，带括号的数据表示数据从DO引脚读出。
写使能06H:
写使能指令将会使状态寄存器WEL位置位，在执行每个“页编程”、“扇区擦除”、“块擦除”、“芯片擦除”和“写状态寄存器”命令之前，都要先置位WEL,/CS脚先拉低之后，“写使能”指令码06H从DIO引脚输入，在CLK上升沿采集，然后再拉高/CS引脚。
file:///C:/DOCUME~1/ADMINI~1/LOCALS~1/Temp/msohtml1/01/clip_image010.jpg
写禁止04H:
时序与写使能相同，执行完“页编程”、“扇区擦除”、“块擦除”、“芯片擦除”和 “写状态寄存器”命令之后WEL位会自动变0，即自动进入写禁止状态。
读状态寄存器05H
当/CS拉低之后，开始把05H从DIO引脚送入芯片，在CLK的上升沿数据被芯片采集，当芯片认出采集到的数据是05H时，芯片就会把“状态寄存器”的值从DO引脚输出，数据在CLK的下降沿输出，高位在前。
读状态寄存器指令在任何时候都可以用，甚至在编程、擦除、写状态寄存器的过程中也可以用，这样就可从状态寄存器的BUSY位判断编程、擦除、写状态寄存器周期是否结束，从而让我们知道芯片是否可以接收下一指令，如果/CS不被拉高，状态寄存器的值将一直从DO脚输出，当/CS拉高后，该指令结束。读状态寄存器时序如下图所示。
file:///C:/DOCUME~1/ADMINI~1/LOCALS~1/Temp/msohtml1/01/clip_image012.jpg
写状态寄存器01H
在执行写状态寄存器指令以前，需要先按“写使能时序”执行完“写使能”指令，然后再次将/CS拉低，把01H从DIO引脚送入芯片，然后再把需要的状态寄存器的值送入芯片，拉高/CS，指令结束，如果此时没把/CS脚拉高，或者是拉得晚了，值将不会被写入，指令无效。
file:///C:/DOCUME~1/ADMINI~1/LOCALS~1/Temp/msohtml1/01/clip_image014.jpg
读数据03H
读数据指令允许读取一个或多个字节，先将/CS拉低，把03H从DIO引脚送入芯片，然后再把24位地址送入芯片，这些数据在时钟的上升沿被芯片采集，芯片收到24位在CLK引脚的下降沿从DO引脚输出，高位在前。当读完这个地址的数据后，地址自动增加，然后通过DO引脚把下一个地址的数据输出，也就是说，只要CLK在工作，通过一条指令就可把整个芯片储存区的数据全部读出来，把/CS脚拉高，“读数据”指令结束，当芯片在执行编程、擦除和读状态寄存器指令的周期内，“读数据”指令无效。
file:///C:/DOCUME~1/ADMINI~1/LOCALS~1/Temp/msohtml1/01/clip_image016.jpg
页编程02H
在执行页编程指令以前，需要先擦除整个待写入区域，保证待写入区域全为1，然后按“写使能时序”执行完“写使能”指令，再把/CS拉低，将02H从DIO引脚送入芯片，然后再把24位地址送入芯片，然后接着送要写入的字节到芯片，在写完数据后，把/CS拉高。写完一页后必须把地址改为0，不然的话，如果时钟还在继续，地址将自动变为页的开始地址，如果写入的字节不足256个字节的话，其它写入的字节都是无意义的，如果写入的字节大于256字节，多余的字节加上无用的字节覆盖刚刚写入的256字节，所以需要保证写入的字节小于或等于256字节。如果写入的地址处于写保护状态，“页编程”指令无效。
file:///C:/DOCUME~1/ADMINI~1/LOCALS~1/Temp/msohtml1/01/clip_image018.jpg
file:///C:/DOCUME~1/ADMINI~1/LOCALS~1/Temp/msohtml1/01/clip_image020.jpg
扇区擦除20H
扇区擦除指令将一个扇区(4096字节)擦除，擦除后扇区字节都为FFH，在执行扇区擦除指令以前，需要先按“写使能时序”执行完“写使能”指令，然后再次将/CS拉低，把20H从DIO引脚送入芯片，然后再把24位扇区地址送入芯片，然后拉高/CS，指令结束，如果此时没及时把/CS脚拉高，指令将不起作用。如果擦除的地址处于写保护状态，“扇区擦除”指令无效。
file:///C:/DOCUME~1/ADMINI~1/LOCALS~1/Temp/msohtml1/01/clip_image022.jpg
块擦除D8H
块擦除指令将一个块(65536字节)擦除，擦除后扇区字节都为FFH，在执行块擦除指令以前，需要先按“写使能时序”执行完“写使能”指令，然后再次将/CS拉低，把D8H从DIO引脚送入芯片，然后再把24位扇区地址送入芯片，然后拉高/CS，指令结束，如果此时没及时把/CS脚拉高，指令将不起作用。如果擦除的地址处于写保护状态，“块擦除”指令无效。
芯片擦除C7H
芯片擦除指令将整个芯片储存区擦除，擦除后整个芯片储存区字节都为FFH，在执行芯片擦除指令以前，需要先按“写使能时序”执行完“写使能”指令，然后再次将/CS拉低，把C7H从DIO引脚送入芯片，然后拉高/CS，指令结束，如果此时没及时把/CS脚拉高，指令将不起作用。任何一个块处于写保护状态，“块擦除”指令无效。
城梅苯磺： spi一次只能输出一个字节(8bit)的数据,而w25q64内部空间的寻址需要3个字节,所以分三次发送三个字节的地址了.比如要寻址0x123456的数据的话,第一次就是发送的0x12,第二次是0x34,第三次就是0x56.
卫滨区15142698138： 求助若没有W25Q64之类FALSH,是否可以用SD卡代替FLASH来存字库 - ？
城梅苯磺： SD卡存储字库本身是完全没有问题,只是相对于spi flash的话SD卡的读速度会慢很多特别是在性能较差的8位机上更明显,因为sd卡一次读写操作512字节而hzk16一个汉字字模32字节用spiflash可以一次只读取32字节即可的,但sd卡就不行.
卫滨区15142698138： altera平台如何读取华邦w25q64bv的器件id - ？
城梅苯磺： 支持一下感觉挺不错的
卫滨区15142698138： 华邦 25系列ic的命名定义 - ？
城梅苯磺： W: Winbond 华邦最前面还有个＂W＂25Q : Family Descriptor 25Q =spiFlash Serial Flash Memory with 4KB sectors, Dual/QUAD I/O64B : Density 64,64B,64C,64D,64F =64MbitV : Supply Voltage V=2.7v to 3.6v＂D＂A :Package Type DA =PDIP8 ...
卫滨区15142698138： 为什么有些芯片有很多NC脚?？
城梅苯磺： 有几种情况: 一是芯片本身用不了那么多脚,就空着了,焊在PCB上可以起固定作用. 二是同系列同封装芯片中配置不一样功能不同,在低端芯片上有些引脚就没有用,但为了保证芯片之间的兼容,这些引脚就作为NC脚存在了. 三是同一型...
卫滨区15142698138： W25Q64BV的芯片用什么烧录器 - ？
城梅苯磺： 这个芯片,x5-plus 是可以支技的. 打开机器和软件, 点选择芯片,输入 w25q64bv ,选择对应的脚数. 加载文件 选择烧录步骤我不知道,你不懂的是哪一步?
卫滨区15142698138： SPI Flash,什么是SPI Flash - ？
城梅苯磺： 串行外围设备接口SPI(serial peripheral interface)总线技术是Motorola公司推出的一种同步串行接口,Motorola公司生产的绝大多数MCU(微控制器)都配有SPI硬件接口,如68系列MCU.SPI 用于CPU与各种外围器件进行全双工、同步串行通讯...
卫滨区15142698138： 这个是BIOS芯片吗? - ？
城梅苯磺： 华邦8M 串行flash(BIOS)芯片Supply Voltage:2.7V-3.6V Dissipation Power:Standard Operating Temperature:-40°C to 85°C Brand Name:Winbond Model Number:W25Q64FVSSIG is_customized:Yes Type:SPI FLASH Application:Flash memory
卫滨区15142698138： STM32开发板上的SPI Flash作用是什么?应怎么选择 - ？
城梅苯磺： 1,可以存储数据.比如图片,字库等. 2,以前比较适合avr和51用的就是ATMEL的AT45DB161这个了,只需要很小的内存即可实现读写操作.不过由于atmel的芯片被人炒过一段时间,同时由于单片机内存越来越大,目前可供使用的flash就很多了,比如我们的25X16,就是很典型的.这种flash最大的特点就是不怕断货,因为大家的封装都是pin2pin兼容的,不向161,基本买不到替代的,奸商想炒作也没那么容易,缺点就是一般需要4K的内存才能方便的进行读写操作.另外,不同厂家的spiflash,速度也有比较大区别,这个选型的时候注意一下,满足要求即可.
卫滨区15142698138： 华硕主板BIOS 芯片w25q64bvalg能用w25q64fvalg代换吗 - ？
城梅苯磺： 遇到这种情况最大的可能是你改了CPU的主频或者外频之类造成主板自检不过,最简单的方法是将BIOS电池放光电或者反向短路10秒左右清空BIOS,如果主板自带一键清空COMS的按钮或者有跳针设置当然更加方便.清了之后再重启DEL或者F2进入BIOS应该就可以了.
