霍尔效应中EH与KIB的关系是什么？
霍尔电压（一般称霍尔电势）的大小和方向与下述因素有关：
1、激励电流I。
2、与激励电流垂直的磁感应强度分量B。
3、器件材料（决定灵明度系数K）。
4、霍尔电势的方向还与半导体是P型还是N型有关，两者方向相反。
设霍尔电势为EH
则：EH=KIB
注：B为与电流垂直的磁感应强度分量。
当电流垂直于外磁场通过半导体时，载流子发生偏转，垂直于电流和磁场的方向会产生一附加电场，从而在半导体的两端产生电势差，这一现象就是霍尔效应，这个电势差也被称为霍尔电势差。霍尔效应使用左手定则判断。
扩展资料：
在半导体上外加与电流方向垂直的磁场，会使得半导体中的电子与空穴受到不同方向的洛伦兹力而在不同方向上聚集，在聚集起来的电子与空穴之间会产生电场，电场力与洛伦兹力产生平衡之后，不再聚集。
此时电场将会使后来的电子和空穴受到电场力的作用而平衡掉磁场对其产生的洛伦兹力，使得后来的电子和空穴能顺利通过不会偏移，这个现象称为霍尔效应。而产生的内建电压称为霍尔电压。
霍尔器件通过检测磁场变化，转变为电信号输出，可用于监视和测量汽车各部件运行参数的变化。例如位置、位移、角度、角速度、转速等等，并可将这些变量进行二次变换；可测量压力、质量、液位、流速、流量等。
霍尔器件输出量直接与电控单元接口，可实现自动检测。如今的霍尔器件都可承受一定的振动，可在零下40摄氏度到零上150摄氏度范围内工作，全部密封不受水油污染，完全能够适应汽车的恶劣工作环境。
参考资料来源：百度百科——霍尔效应
微生物与自然界中物质循环的转换关系
Eh与氧分压有关,也与pH有关。不同种类微生物所要求的Eh不同。Eh影响酶活性,也影响呼吸作用。四、辐射指通过空气或外层空间以波动方式从一个地方传播或传递到另一个地方的能量。(一)紫外线(非电离辐射)10-380nm致死主要是细胞中很多物质对紫外线吸收。杀菌作用随剂量增加而增加。紫外线穿透力弱,应用于空气消毒...
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丛功齐铭： 1、霍尔电压E=KIB,K为灵敏度系数,I为工作电流,B为与霍尔片及I垂直的磁感应强度的分量.也就是说,霍尔电压与电流及磁感应强度的乘积成正比.2、工作电流为交变电流时,如果外磁场是恒定磁场,霍尔电压为与工作电流同频率的电压信号.3、如果外部磁场也是交变磁场,霍尔电压的波形为两个信号的乘积的波形,如果工作电流和外磁场是同频正弦波,电压为包含直流分量的倍频的正弦波(相位90°时,不含直流分量).
昂昂溪区19742998828： 霍尔定律是什么?怎么写公式? - ？
丛功齐铭： 霍尔效应的公式: UH=KHISB KH为霍尔元件的霍尔系数,UH为霍尔电势差,IS为流过霍尔元件的电流,B为垂直于霍尔片的磁感应强度.
昂昂溪区19742998828： 霍尔效应实验中k值是怎么换算单位的??急求? - ？
丛功齐铭： 霍尔效应用公式表示为: E=KBIcosθ. E为霍尔效应电压,单位为伏特(V); I是霍尔器件的工作电流,单位为安培(A); B是外部磁场的磁感应强度,单位为特斯拉(T) θ为I与B的垂直角度的偏差,单位可以是角度(°)或弧度(rad). K为霍尔器件的灵敏度,是常数;其单位为:V/(A.T). 一般开关型的霍尔灵敏度是指原件本身的磁开启和关闭点,表示的单位大多为两种,高斯(Gauss)与毫特斯拉(mT),10Gauss=1mT 线性霍尔的灵敏度是指单位磁场变化时其输出电压的变化,一般用毫伏/高斯(mV/Gauss)或者毫伏/毫特斯拉(mV/mT)表示,换算参照开关型
昂昂溪区19742998828： 高中物理:霍尔效应什么是霍尔效应?能不能简单介绍一下!谢谢 - ？
丛功齐铭：[答案] 霍尔效应是一种磁电效应,是德国物理学家霍尔1879年研究载流导体在磁场中受力的性质时发现的. 根据霍尔效应,人们用半导体材料制成霍尔元件,它具有对磁场敏感、结构简单、体积小、频率响应宽、 输出电压变化大和使用寿命长等优点,因此...
昂昂溪区19742998828： 霍尔原件的物理原理和应用 - ？
丛功齐铭： 来之不易,希望采纳 一、 霍尔效应原理 (一)经典霍尔效应 霍尔效应是载流试样在与之垂直的磁场中由于载流子受洛仑兹力作用发生偏转而在垂直于电流和磁场方向的试样的两个端面上出现等量异号电荷而产生横向电势差U的现象.电势差...
昂昂溪区19742998828： 有关霍尔元件的问题 - ？
丛功齐铭： 一、霍尔元件的工作原理: 霍尔元件应用霍尔效应的半导体. 二、霍尔元件的特性: 1、霍尔系数(又称霍尔常数)rh 在磁场不太强时,霍尔电势差uh与激励电流i和磁感应强度b的乘积成正比,与霍尔片的厚度δ成反比,即uh =rh*i*b/δ,式中的...
昂昂溪区19742998828： 霍尔传感器原理;? - ？
丛功齐铭： 简介: 当一块通有电流的金属或半导体薄片垂直地放在磁场中时,薄片的两端就会产生电 位差,这种现象就称为霍尔效应.两端具有的电位差值称为霍尔电势 U,其表达式为 U=K·I·B/d 其中 K 为霍尔系数,I 为薄片中通过的电流,B 为外加磁场(洛伦慈力 Lorrentz) 的磁感应强度,d 是薄片的厚度.由此可见,霍尔效应的灵敏度高低与外加磁场的磁感应强 度成正比的关系. 霍尔传感器的外形图和与磁场的作用关系如右图所示.磁场由磁钢提供,所以霍尔 传感器和磁钢需要配对使用. 霍尔传感器检测转速示意图如下.在非磁
昂昂溪区19742998828： 霍尔传感器的原理? - ？
丛功齐铭： 所谓霍尔效应,指的是这样一种物理现象:如果把通有电流i的导体放在垂直于它的磁场中,则在导体的两侧p1、p2会产生一电势差uh,它与电流i及磁感应强度b成正比,与导体厚度d成反比,即:uh=k(ib/d),式中k为霍尔系数.霍尔系数越大,表明霍尔效应越显著.人们常利用某些半导体材料(如锗、锑化铟)显著的霍尔效应来制成直流和低频磁场/电压变换器.
昂昂溪区19742998828： 霍尔效应及公式是什么 - ？
丛功齐铭： 霍尔效应:在物质中任何一点产生的感应电场强度与电流密度和磁感应强度之矢量积成正比的现象. 公式如图
昂昂溪区19742998828： 霍尔效应中,只有达到稳定状态时,电子所受洛伦兹力才是等于evb嘛 - ？
丛功齐铭： 运动电子在磁场中所受洛伦兹力始终是等于evB的,这个和是否达到稳定状态没有关系.达到稳定状态是指,霍尔元件内部的电场已经增加到了能和洛伦兹力相平衡的程度,使得电子不再发生偏转.
