FLYback变压器中反射电压是怎么计算出来的?还有占空比的具体算法是怎么样的?

作者&投稿:俎闹 (若有异议请与网页底部的电邮联系)
Flyback应用Input:AC 90~230,Output:DC5V8A,Fsw=60KHz,AUX=12V 使用EE core,请问变压器要怎样计算~

EE多少?
EE28还是什么?
都没讲清楚……
用途也没说……
温升啊,什么的……

无非两方面,减小发热,增大散热。

首先VOR(反射电压) 和输入整流后的DC最小(Vmin)电压就决定了你的占空比,在恒定功率参数不变的情况下面,电压越高,输入电流会越小,而占空比也会相对变小,当然这个我说过了是在输出负载不变的情况下面
反射电压取多高要看你前面MOS的耐压有多高,假定 你前面的MOS管用的是700V 那么在高压的时候你因该要知道 VOR+Vdcmax +漏感引起的电压尖峰 (假设反射电压130V)那么就有380+130+50=560V 这个时候你的MOS电应力在550V了 应该要考虑其他一些因素,并且需要给MOS留一定的余量,为什么要留一定的余量 在因在264V 满载启动的瞬间是有一个电压尖峰存在,而电压尖峰太高容易将MOS瞬间击穿,导致MOS损坏
我给你一个公式 你看了就应该知道:

首先做一个反击电源我们需要知道一些参数和假设一些参数
例如做一个15W的电源:MOS耐压在650V 频率:(这个要看你是固定频率还是变频)65K D:0.35 输入电压在欧规:180-264 KRP系数决定电源工作在何种模式(0.1-1)输出12V

首先求T=1/F =15.3US 求Ton=(TXD)15.3*0.35=5.35US Vor=100V (自己根据前面MOS管设定)
求平均输入电流:Iave=P/Vin*效率 15/(160*0.84)=0.1116A
求峰值输入电流:Ipk= Iave/(1-0.5*KRP)*D 0.1116/(1-0.5*0.8)0.36 =0.537A
求有效电流我这里就不写了 因为那个根号不好描述
求初级匝数 NP=Vin*Ton/Bmax*AE (这里的B值指的磁饱和 一直在0.1-0.3之间取值)AE代表你的磁芯AE面积 NP=160*5.35/(0.27*31)=102匝 NS= NP*(Vo+Vf)/Vor=13匝
求LP=Vin*Ton/Ipk*Krp 160*5.35/0.537*1=1.594MH
你可以通过测试去验证 Bmax的值 这个值在低压满载最好不要超过0.3 因为会比较容易饱和
如果你还有不懂的可以加百度M我 给我留言 我可以详细给你解释


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