美光内存路线图:10nm级工艺多达六种 单条64GB何时到来?
在半导体行业中,内存和闪存的制造工艺一直以模糊的描述为主,如10nm-class。然而,美光作为DRAM内存巨头,正展现出独特的技术策略。美光已经成功开发出第一代10nm级工艺1xnm,并扩大生产第二代1ynm,包括12Gb LPDDR4X和16Gb DDR4等产品。
目前,美光正在验证第三代1znm工艺,预计在2020财年投入量产,目标是生产16Gb LPDDR5和DDR5。不同于传统工艺,美光计划在1nm级工艺上停留更久,准备了至少三种新的10nm级版本,如1nm、1nm和1nm,甚至可能增加更多版本。每一代都将采用沉浸式四重曝光技术,提升技术复杂度。
美光还在评估EUV极紫外光刻技术,预期这将简化工艺,但具体应用时间未定。尽管逻辑芯片对EUV的需求较高,但DRAM内存行业预计在5nm工艺全面部署EUV之前,会相对滞后。威刚和英睿达(美光的消费级品牌)已展示了32GB DDR4 UDIMM,使用了1ynm 16Gb DDR4颗粒,甚至计划生产单条64GB容量的RDIMM服务器内存。
总之,美光的10nm级工艺路线图不仅体现了其技术实力,也预示着内存行业的未来趋势,多版本和先进技术的结合将塑造其在市场中的领先地位。
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司马云维柳: 半导体激光打标机可能开机麻烦些 首先开启冷水箱,温度在22度左右 然后开始Q开光 电流逐渐调大 银玛有co2光纤半导体激光机