怎么判断简并半导体？什么是简并半导体？
一般情况下，ND<NC或NA <NV；费米能级处于禁带之中。当ND≥NC或NA≥NV时，EF将与EC或EV重合，或进入导带或价带，此时的半导体称为简并半导体。也即，简并半导体是指：费米能级位于导带之中或与导带重合；费米能级位于价带之中或与价带重合。
选取EF = EC为简并化条件，得到简并时最小施主杂质浓度：
选取EF = Ev为简并化条件，得到简并时最小受主杂质浓度：
半导体发生简并时：
（1）ND ≥ NC；NA ≥ NV；
（2）ΔED越小，简并所需杂质浓度越小。
（3）简并时施主或受主没有充分电离。
（4）发生杂质带导电，杂质电离能减小，禁带宽度变窄。
扩展资料
半导体芯片的制造过程可以分为沙子原料（石英）、硅锭、晶圆、光刻，蚀刻、离子注入、金属沉积、金属层、互连、晶圆测试与切割、核心封装、等级测试、包装等诸多步骤，而且每一步里边又包含更多细致的过程。
1、沙子：硅是地壳内第二丰富的元素，而脱氧后的沙子（尤其是石英）最多包含25%的硅元素，以二氧化硅（SiO2）的形式存在，这也是半导体制造产业的基础。
2、硅熔炼：12英寸/300毫米晶圆级，下同。通过多步净化得到可用于半导体制造质量的硅，学名电子级硅（EGS），平均每一百万个硅原子中最多只有一个杂质原子。此图展示了是如何通过硅净化熔炼得到大晶体的，最后得到的就是硅锭。
3、单晶硅锭：整体基本呈圆柱形，重约100千克，硅纯度99.9999%。
4、硅锭切割：横向切割成圆形的单个硅片，也就是我们常说的晶圆（Wafer）。
5、晶圆：切割出的晶圆经过抛光后变得几乎完美无瑕，表面甚至可以当镜子。
6、光刻胶（Photo Resist）：图中蓝色部分就是在晶圆旋转过程中浇上去的光刻胶液体，类似制作传统胶片的那种。晶圆旋转可以让光刻胶铺的非常薄、非常平。
7、光刻：光刻胶层随后透过掩模（Mask）被曝光在紫外线（UV）之下，变得可溶，期间发生的化学反应类似按下机械相机快门那一刻胶片的变化。掩模上印着预先设计好的电路图案，紫外线透过它照在光刻胶层上，就会形成微处理器的每一层电路图案。
8、溶解光刻胶：光刻过程中曝光在紫外线下的光刻胶被溶解掉，清除后留下的图案和掩模上的一致。
9、蚀刻：使用化学物质溶解掉暴露出来的晶圆部分，而剩下的光刻胶保护着不应该蚀刻的部分。
10、清除光刻胶：蚀刻完成后，光刻胶的使命宣告完成，全部清除后就可以看到设计好的电路图案。
再次光刻胶：再次浇上光刻胶（蓝色部分），然后光刻，并洗掉曝光的部分，剩下的光刻胶还是用来保护不会离子注入的那部分材料。
11、离子注入（Ion Implantation）：在真空系统中，用经过加速的、要掺杂的原子的离子照射（注入）固体材料，从而在被注入的区域形成特殊的注入层，并改变这些区域的硅的导电性。经过电场加速后，注入的离子流的速度可以超过30万千米每小时。
12、清除光刻胶：离子注入完成后，光刻胶也被清除，而注入区域（绿色部分）也已掺杂，注入了不同的原子。注意这时候的绿色和之前已经有所不同。
13、晶体管就绪：至此，晶体管已经基本完成。在绝缘材（品红色）上蚀刻出三个孔洞，并填充铜，以便和其它晶体管互连。
14、电镀：在晶圆上电镀一层硫酸铜，将铜离子沉淀到晶体管上。铜离子会从正极（阳极）走向负极（阴极）。
15、铜层：电镀完成后，铜离子沉积在晶圆表面，形成一个薄薄的铜层。
16、抛光：将多余的铜抛光掉，也就是磨光晶圆表面。
17、金属层：晶体管级别，六个晶体管的组合，大约500纳米。在不同晶体管之间形成复合互连金属层，具体布局取决于相应处理器所需要的不同功能性。芯片表面看起来异常平滑，但事实上可能包含20多层复杂的电路，放大之后可以看到极其复杂的电路网络，形如未来派的多层高速公路系统。
18、晶圆测试：内核级别，大约10毫米/0.5英寸。图中是晶圆的局部，正在接受第一次功能性测试，使用参考电路图案和每一块芯片进行对比。
19、晶圆切片（Slicing）：晶圆级别，300毫米/12英寸。将晶圆切割成块，每一块就是芯片的内核（Die）。
20、丢弃瑕疵内核：晶圆级别。测试过程中发现的有瑕疵的内核被抛弃，留下完好的准备进入下一步
21、封装
参考资料来源：百度百科-半导体
参考资料来源：百度百科-简并半导体
第一章 能带和热平衡载流子浓度
有效杂质浓度是经过补偿之后，半导体中的净杂质浓度。当半导体被掺入杂质时，半导体变成非本征的（extrinsic），而且被引入了杂质能级。杂质原子成为晶格中的缺陷，破坏了晶格的周期性，带隙内出现了原先被禁止的能级，换句话说，杂质原子将在带隙中引入一个或多个能级。非简并半导体：费米能级至少比Ev高3...
非简并性系统和简并性系统的区别
对于半导体，简并与非简并的特性主要表现在导带底Ec与费米能级Ef大小关系上，人们一般约定：Ec-Ef<=0 简并，这需要掺杂浓度很高很高，或者温度很低，一般的金属都是简并材料；0< Ec-Ef<=2KT 弱简并，有时弱简并态也归为非简并态；Ec-Ef>2KT 非简并，这时费米能级一般在禁带中间左右。本征...
物理学中的兼并态和非兼并态是什么意思啊?
量子力学中经常出现这种概念，简单的说就是系统可能有多个能级，而有的能级对应的状态波函数不止一个，这种现象叫简并。如果某个能级对应一个波函数，称为非简并，若对应多个波函数称为简并，对应波函数的个数称为简并度。
半导体物理名词解释
3. 电子与空穴的角色: - 施主与受主: 杂质原子引入的施主\/受主能级，影响半导体特性。 - 禁带与导带: 半导体的电子行为关键在于价带与导带的边界——禁带。4. 半导体类型辨识: - N\/P型半导体: 通过掺杂元素赋予的电子\/空穴特性，决定半导体类型。5. 载流子行为: - 简并与非简并: 费...
量子力学中简并的概念
都需要认真考虑到这些因素。2、简并的概念也是研究许多价能带理论时的重要内容之一。价带简并的特殊性质有助于在半导体中引入局域化态，从而促进了固体领域的深入研究和应用。此外，简并现象还被应用在物理学、化学、材料科学等方面的研究中，对相关领域的发展也起着重要的推动作用。
p型半导体费米能级位置
费米分布反映了Pauli不相容原理，故是一种 量子分布函数；即是简并载流子必须遵从的统计分布函数。当能量E比Ef大于3kT时，费米分布即退化为经典的 Boltzmann分布：f(E) ≈ exp[－(E－Ef)\/kT]。对于掺杂浓度不是很高的非简并半导体，载流子浓度不是很大，则载流子仅占据能带极值附近的一些状态，故...
请问施主、受主能级的基态简并度为什么取2和4?
深入探索施主与受主能级的基态简并度：神秘的2与4之谜 在半导体世界中，施主与受主能级的基态简并度这一概念至关重要，它揭示了电子行为的独特规律。首先，让我们聚焦于施主能级。施主能级的设计理念在于，它有能力接纳一个电子，不论其自旋方向如何。然而，这一接纳并非无条件的，而是受限于能级本身的...
在杂质半导体中
网上查到的，有一个说选C的，剩下看到的都选的B.B:在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度,而少数载流子的浓度主要取决于温度.还查到一段（没看太懂）：你说的高低掺杂应当是简并与非简并的问题,在非简并情况下,即低掺杂下,分布函数可以简化为玻尔兹曼分布,此时多子浓度随温度...
什么是非简并半导体
非平衡载流子就是由 于热激发或掺杂引起 的多于平衡时的载流 子
半导体物理
对于非简并的n型半导体，如果把导带中的所有可能被电子占据的能级都归并到导带底（Ec）这一条能量水平线上（设归并到一起的能级的密度为Nc），那么电子占据各条能级的几率就都将一样（等于exp[－(Ec－Ef)\/(kT)]），于是就可直接写出导带电子的浓度与Fermi能级的关系为no=Nc exp[-(Ec-Ef)\/kT]...
慎薇枯草： 1、 简并半导体的载流子浓度:对于n型半导体,施主浓度很高,使费米能级接近或进入导带时,导带底附近底量子态基本上已被电子占据,导带中底电子书目很多, 的条...
林芝县17140007606： 什么情况下的半导体被称为简并半导体? ？
慎薇枯草： 当ND≥NC或NA≥NV时,EF将与EC或EV重合,或进入导带或价带,此时的半导体称为简并半导体
林芝县17140007606： 简并半导体的简并化半导体 - ？
慎薇枯草： 一般情况下,ND选取EF = EC为简并化条件,得到简并时最小施主杂质浓度: 选取EF = Ev为简并化条件,得到简并时最小受主杂质浓度: 半导体发生简并时:(1)ND ≥ NC;NA ≥ NV;(2)ΔED越小,简并所需杂质浓度越小.(3)简并时施主或受主没有充分电离.(4)发生杂质带导电,杂质电离能减小,禁带宽度变窄.
林芝县17140007606： 掺杂浓度多少属于合适? ？
慎薇枯草： 掺杂浓度在10 cm以上的半导体在室温下通常就会被视为是一个“简并半导体”(degenerated semiconductor).重掺杂的半导体中,掺杂物和半导体原子的浓度比约是千分之一,而轻掺杂则可能会到十亿分之一的比例.在半导体制程中,掺杂浓度都会依照所制造出元件的需求量身打造,以合于使用者的需求.
林芝县17140007606： 为什么激光器都是简并半导体? - ？
慎薇枯草： 简并半导体(degenerate semiconductor)是杂质半导体的一种,它具有较高的掺杂浓度,因而它表现得更接近金属.对一般的掺杂情况(杂质浓度小于10的18次方 )常温下,通常的半导体都属非简并半导体.但在某些情况下,费米能级可以接近导带底(或价带顶),甚至会进入导带(或价带)中.
林芝县17140007606： 用简并半导体构成的pn结和一般pn结,它们的特性有哪些明显区别 - ？
慎薇枯草： PN结采用不同的掺杂工艺知,将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就形成空间道电荷区称PN结.PN结具有单向导电性. PN结(PN junction) 一块单晶半导体中回 ,一部分掺有受主杂质是P型半导体,另一部分掺有施主杂质是N型半导体时.答
林芝县17140007606： 半导体制造和半导体封装的区别是什么 - ？
慎薇枯草： 半导体制造简介: 半导体的制造是一个复杂且耗时的过程. 首先要利用设计自动化软件开始电路设计,然后将集成电路设计的版图转印到石英玻璃上的铬膜层形成光刻板或倍缩光刻板;另一方面,由石英砂提炼出的初级硅经过纯化后拉成单晶...
林芝县17140007606： 我需要半导体,记忆材料方面的专业词汇 - ？
慎薇枯草： amorphous semiconductor 非晶形半导体, 无定形半导体 binary semiconductor 二元(化合物)半导体 compensated semiconductor 补偿半导体 complementary symmetry metal oxide semiconductor 互补对称金属氧化物半导体 compound ...
林芝县17140007606： 简并半导体的介绍都有哪些? ？
慎薇枯草： 但在某些情况下,费米能级可以接近导带底(或价带顶),甚至会进入导带(或价带)中
林芝县17140007606： 原子本身简并度怎么判断呀?如2p是三度简并是如何得到的? - ？
慎薇枯草：[答案] 简并度是指电子轨道能量相同的轨道数,nd轨道m=2,l为0,正负1,正负2..简并度是5.
