逻辑判断的NMOS PMOS在multisim里有什么元器件代替
作者&投稿：吕映 （若有异议请与网页底部的电邮联系）
做如下一个电路，用DC扫描分析，（simulate | analysis | DC sweep）描V3，输出V1电流，适当设置开始电压、终止电压和步长。
可以改变长宽
植魏氯化： 从A连接出去的两个器件为nmos,pmos,构成CMOS器件,作用是反相器,此题中,A与B相连,那么AB输出应该是一致的,全为1或全为0,输入高压,pmos截止,nmos导通,输入低压,pmos导通,nmos截止 A B La 1 1 0 0 0 1逻辑关系为:La=(A乘B的非)且A=B 如果AB不相连则 A B:La 0 0 1 0 1 1 1 0 不定 1 1 0
红塔区18225796654： 逻辑学推理中用的字母都有哪些?它们分别表示什么意思?如SAP、SIM等. - ？
植魏氯化： 在普通逻辑中,一般用S、P、M等大写字母代表概念,称之为概念变项;用小写字母p、q、r代表具体判断(命题),称之为判断变项(或命题变项).但A、E、I、O四个字母不是变项,而是表示逻辑形式的常项,具体规定是:A = 所有……是……E = 所有……不是……I = 有的……是……O = 有的……不是……例如SAP,就是“所有S都是P”SIM,就是“有的S是M”参见《逻辑学》(高等教育出版社2010年4月出版,杨树森)第8-9页,第84-86页. 要真正搞懂它们,建议认真看一本逻辑入门教材,任何一本都能找到您提的问题的答案.
红塔区18225796654： C语言m=a>b,如果a不大于b为什么m=0…什么时候0为数字?什么时候为逻辑假?? - ？
植魏氯化： 你把它用作数值运算时就是数值运算,你把它用作逻辑判断的时候就是逻辑假. C语言中其实没有真正的布尔类型,!操作用在数字上判断真窢粻促救讵嚼存楔担盲假其实就是判断是否等于0. 用在指针上就是判断指针是否为 NULL,而NULL其实也就是 typedef 了个 NULL 为0.
红塔区18225796654： 数字电路与逻辑设计作业题 - ？
植魏氯化： 1.B周期是62.B没有内部时钟,需要外加时钟
红塔区18225796654： 问题:有关于ASIC库设计中的CMOS基本逻辑电路.如何计算其逻辑作用力,如AOI221逻辑作用力具体如何求 - ？
植魏氯化： 这个图就是aoi221的各个管子的比例,姑且定义输出Y=bar(AB+CD+E),bar代表非,那么对于一个反相器而言,pmos和nmos的尺寸比为2:1(一般认为pmos迁移率是nmos的一半,所以尺寸如此设定可以达到平衡设计的要求).你可以把任何aoi...
红塔区18225796654： 给定三个整数m,a,b,请写出判断m是否在a和b之间的逻辑表达式,并且编写程序打印出 - ？
植魏氯化： 思想:先判断a、b大小,然后再比较a与m,b与m大小
红塔区18225796654： ttl电路和cmos电路的区别 - ？
植魏氯化： TTL电路是晶体管-晶体管逻辑电路的英文缩写 (Transister-Transister-Logic ) ,是数字集成电 路的一大门类.它采用双极型工艺制造,具有高速度低功耗和品种多等特点. CMOS是:金属-氧化物-半导体(Metal-Oxide-Semiconductor)结构的...
红塔区18225796654： 贴片电容的读法 - ？
植魏氯化： 如国产型号CC3216 CH 151 K 101 WT CC3216--CC贴片电容,3216长3.2mm宽1.6mm CH-温度特性 151--容量15*10的1次方即150Pf K--误差 101--耐压10*10的1次方即100V WT--包装(可能是指封装材料)
红塔区18225796654： 贴片电阻阻值读法 - ？
植魏氯化： 贴片元件标法基本上第一个为英文字母,代表贴片元件类型,后面一般有三位数,前两位为有效数字,最后一位数为有效位乘以10的次方数,例:C102,则表示为电容,容量为10*10的2次方,单位为PF. 你所讲的不清楚,不知是不是只是元件的位号,与值没有关系...
红塔区18225796654： TTL和CMOS有啥区别? - ？
植魏氯化： 一、CMOS,全称Complementary Metal Oxide Semiconductor,即互补金属氧化物半导体,是一种大规模应用于集成电路芯片制造的原料.采用CMOS技术可以将成对的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)集成在一块硅片上.该技术...
