原子层沉积ALD工艺原理和设备

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揭开原子层沉积(ALD)的神秘面纱:精密薄膜制造的艺术



在半导体制造的舞台上,ALD(原子层沉积)技术无疑是璀璨的明星。作为全球领先的设备供应商ASM的标志性工艺,ALD正以其独特的魅力推动着半导体设备市场蓬勃发展。其卓越的特性让ALD在缩小器件尺寸、降低功耗上独树一帜,以下是其核心优势的深入剖析:




  • 精确控制,纳米级精度 - ALD通过精确调控生长周期,实现对薄膜厚度的亚纳米级精确控制,为微电子世界提供了无可比拟的精细度。

  • 共形适应,无缝覆盖 - 不论基底形状如何,ALD都能确保大面积且均匀的薄膜沉积,确保了复杂结构的完美贴合。

  • 超平滑表面,完美贴合 - ALD的涂层具有极低的粗糙度,能紧贴基材曲率,避免了传统工艺中的缺陷,如针孔。

  • 自我限制,高效沉积 - 表面自限制反应机制确保每个周期沉积的薄膜均匀一致,台阶覆盖率高,提升了工艺的稳定性和效率。



ALD的工艺流程如诗如画,两种(或更多)前驱物交替作用,精准控制每个步骤,从反应气体A的饱和吸附到惰性气体的清洗,再到反应气体B的化学反应,每一步都如同精雕细琢的艺术品。



温度掌控与能量供应 - ALD工艺温度广泛,从50℃到500℃,甚至能在常压下进行,但更常见的是在低压(0.1-10 Torr)下。热原子沉积和等离子体增强型原子层沉积(PEALD)是根据能量供应方式的不同划分的两个类别,各有其独特优势和适用场景。



喷淋式热原子沉积设备,如ASM的杰作,通过热能激发化学反应,而PEALD则在低温下借助等离子体的催化作用,实现了高效且低热预算的薄膜制备。



在光伏领域,ALD被广泛应用,如制备Al2O3和SiNX薄膜,而在先进逻辑和存储器技术中,它更是高K金属栅极、精细间隔电介质、MIM电容器和高深宽比间隙填充的得力助手,为微电子器件的性能提升做出了重要贡献。



总的来说,原子层沉积技术以其精密、高效和适应性强的特性,为现代电子工业的进步提供了坚实的技术支撑,成为推动半导体行业前行的关键力量。




peald工艺原理
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原子层沉积技术(ALD)在钙钛矿电池中的应用
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ald设备是什么
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ald设备是什么
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