半导体中阱的作用

作者&投稿:扈华 (若有异议请与网页底部的电邮联系)
~ 半导体中阱的作用,半导体中阱就叫做P阱区;如果在P型衬底上扩散N型区,就叫做N阱区;n阱工艺:N阱CMOS工艺采用轻掺杂P型硅晶圆片作为衬底,在衬底上做出N阱,用于制作PMOS晶体管,用激光朝量子阱闪一下,可以使中间的半导体层里产生电子和带正电的空穴


多晶硅属于导体还是绝缘体?
它是半导体啊,也就是根据条件的变化,能同时显现出导体与绝缘体两种性质。当栅极加电压之后,会发生载流子本征激发,能导电。对外界,由于制造工艺中的侧墙生长作用,硅栅外部生长绝缘氧化膜,能减少漏电流产生。同时,对于P阱和N阱以及金属线,材质上的不用可以很好地起到隔绝电迁移的作用。

半导体物理中 热缺陷 形成的原理?
热缺陷是由于晶体中的原子(或离子)的热运动而造成的缺陷,从几何图形上看是一种点缺陷,热缺陷的数量与温度有关,温度愈高,造成缺陷的机会愈多。晶体中热缺陷有2种形态,一是肖脱基(Schotty)缺陷,2是弗仑克尔(Frenkel)缺陷。1)肖脱基缺陷 由于热运动,晶体中阳离子及阴离子脱离平衡位置,跑到晶体表面...

半导体和导体的导电机理
晶体能够导电是其中的电子在外电场的作用下做定向运动。电子在外电场下做加速运动,于是电子的能量就发生改变。从而电子从能量较低的带跃迁到高的带。半导体,就是能量较低的带里全部填充电子,能量高的带没有电子,因为满所以就好比大家在一起挤着不能动,那么就没有电流。但是有了外力,电子就跃迁,...

为什么掺杂会是金属性变为半导体
电阻率、载流迁移率反映了材料的导电能力,而非平衡载流子的寿命则反映了半导体材料在外界作用(如光或电场)下的内部载流子从非平衡状态到平衡状态的过渡特性。位错密度是衡量半导体单晶材料晶格完整性的一种指标。在半导体材料的制备过程中,提纯是关键步骤之一。提纯可以通过物理方法(如真空蒸发、区域精制...

等离子体在半导体材料中的应用
化合物半导体材料,以砷化镓(GaAs)为例,有以下几个特点,一是发光效率比较高,二是电子迁移率高,同时可在较高温度和在其它恶劣的环境下工作,特别适合于制作超高速、超高频、低噪音的电路,它的另一个优势是可以实现光电集成,即把微电子和光电子结合起来,光电集成可大大的提高电路的功能和运算的速度。 宽带隙半导体材...

要成为半导体 元素 ,必要条件要什么?
利用PN结的单向导电性,可以制成具有不同功能的半导体器件,如二极管、三极管、晶闸管等。此外,半导体材料的导电性对外界条件(如热、光、电、磁等因素)的变化非常敏感,据此可以制造各种敏感元件,用于信息转换。常用的半导体材料分为元素半导体和化合物半导体。元素半导体是由单一元素制成的半导体材料...

基于量子半导体材料的器件有哪些
量子点太阳能电池(Quantum Dot Solar Cells): 利用量子点的量子效应改善太阳能电池的效率,提高对太阳光谱的吸收。量子阱传感器(Quantum Well Sensors): 利用量子阱的电子结构变化来检测外部环境中的各种物质,广泛应用于传感技术。量子点显示器(Quantum Dot Displays): 利用量子点的发光特性,制造...

霍尔元件简介
霍尔元件是由多种半导体材料如Ge、Si、InSb、GaAs、InAs、InAsP及多层半导体异质结构量子阱材料制成的磁传感器,它们基于霍尔效应工作。霍尔效应是指电流通过导体或半导体时,磁场在垂直于电流方向产生横向电位差的现象。1879年,美国物理学家霍尔发现了金属的霍尔效应,而半导体中的霍尔效应更为显著。霍尔元...

半导体的应用
半导体在电子技术中有广泛的应用。以下是一些主要的半导体应用: 电子器件: 半导体是制造各种电子器件的关键材料,比如晶体管、二极管、集成电路(IC)、光电子器件等。晶体管作为开关或放大器在各种电子设备中被广泛使用,而集成电路将数百甚至数千个器件集成在一个芯片上,用于各种计算和控制功能。 光电子学: 半导体用...

响尾蛇是怎么样红外成像制导的,制导系统是不是在前部?
量子阱红外光电导体:由于该技术在1996年才进入市场,所以在这一年没有收益。不过在1997年,该技术的传感器市场达0.035亿美元,系统为0.175亿美元。响尾蛇毒性很大,它的眼睛对可见光几乎失去了作用,然而它却能敏捷地捕捉田鼠及其他小动物。经过人们的研究发现,原来这种捕捉能力应归结于响尾蛇的热感受器——“热眼”。“...

虎林市15596884596: 什么是半导体的阱区 -
乘凌眠痛: 半导体一般可分为本征半导体,N型半导体以及P型半导体 分别代表无杂质掺杂,掺杂N型杂质(P,As)和掺杂P型杂质(B,Ga). 如果在N型衬底上扩散P型区,就叫做P阱区; 如果在P型衬底上扩散N型区,就叫做N阱区;

虎林市15596884596: 有哪位知道量子阱是什么意思?在二极管中的,多谢了!!! -
乘凌眠痛: 量子阱(Top quantum well) 量子阱有着三明治一样的结构,中间是很薄的一层半导体膜,外侧是两个隔离层.用激光朝量子阱闪一下,可以使中间的半导体层里产生电子和带正电的空穴.通常情况下,电子会与空穴结合,放出光子.科学家将量子阱的上层制造得特别薄,厚度不足30埃,这样就可迫使中间层产生的电子与空穴结合时,以变化的电场而不是光子的形式释放能量.电场的作用使邻近的量子点中产生新的电子和空穴,从而令它们结合并放出光子.图:http://www.oursci.org/magazine/200404/news/061502.htm

虎林市15596884596: 量子阱的应用 -
乘凌眠痛: 量子限制效应使量子阱中形成分立能级.在双势垒量子阱结构中,只有当发射极电子的能量与量子阱中能级相等且横向动量守恒时,共振隧穿才能发生.而进一步加大电场,使量子阱分立能级低于发射极带边,隧穿电流急剧减小,出现负微分电...

虎林市15596884596: 发光二极管因为有了量子阱发光效率似乎增加了.为什么? -
乘凌眠痛:[答案] 量子阱(Top quantum well) 量子阱有着三明治一样的结构,中间是很薄的一层半导体膜,外侧是两个隔离层.用激光朝量子阱闪一下,可以使中间的半导体层里产生电子和带正电的空穴.通常情况下,电子会与空穴结合,放出光子.科学家将量子阱的...

虎林市15596884596: 什么叫做阱偏效应,如何解释 -
乘凌眠痛: 而对于mos-ic而言,在工作时,其中各个mosfet的衬底电位是时刻变化着的,若对器件衬底的电位不加以控制的话,那么就有可能会出现场感应结以及源-衬底结出现正偏的现象;一旦发生这种现象时,器件和电路的沟道导电作用即告失效.所以,对于ic中的mosfet,需要在衬底与源区之间加上一个适当高的反向电压,以使得场感应结始终保持为反偏状态,该所加的电压就称为衬偏电压,这样一来即可保证沟道始终能够正常导电.简言之,衬偏电压就是为了防止mosfet的场感应结以及源结和漏结发生正偏、而加在源-衬底之间的反向电压.

虎林市15596884596: 量子阱的概念解释 -
乘凌眠痛: 量子阱的基本特征是由于量子阱宽度(与电子的德布罗意波长可比的尺度)的限制,导致载流子波函数在一维方向上的局域化,量子阱中因为有源层的厚度仅在电子平均自由程内,阱壁具有很强的限制作用,使得载流子只在与阱壁平行的平面内...

虎林市15596884596: 谁能详述量子阱效应?? -
乘凌眠痛: 量子阱有着三明治一样的结构,中间是很薄的一层半导体膜,外侧是两个隔离层.用激光朝量子阱闪一下,可以使中间的半导体层里产生电子和带正电的空穴.通常情况下,电子会与空穴结合,放出光子.科学家将量子阱的上层制造得特别薄,厚度不足30埃,这样就可迫使中间层产生的电子与空穴结合时,以变化的电场而不是光子的形式释放能量.电场的作用使邻近的量子点中产生新的电子和空穴,从而令它们结合并放出光子. 以上是别人的,不是我自己的. 经典物理学认为,粒子不可能贯穿能量较低的势阱,但量子力学的有关实验发现,粒子还是有小概率通过的.

虎林市15596884596: 白炽灯,日光灯,LED灯三者的差异,有什么不同 -
乘凌眠痛: 最主要是原理不同,白炽灯靠电流加热灯丝发光,日光灯是靠在镇流器灯的配合下,击穿管内贡蒸汽发出紫外线,激发荧光粉发光,led是一种半导体器件,电子与空穴在芯片中复合淫灭,变成光子,从而发光.他们一个比一个省电(即光效一个比一个高,白炽灯为10,荧光灯为40至70,led为70—110,单位流明每瓦),不过成本一个比一个贵.

虎林市15596884596: 微宇LED的发光原理是什么? -
乘凌眠痛: LED(Light Emitting Diode),发光二极管,是一种固态的半导体器件,它可以直接把电转化为光.LED的心脏是一个半导体的晶片,晶片的一端附在一个支架上,一端是负极,另一端连接电源的正极,使整个晶片被环氧树脂封装起来.半导体晶片由三部分组成,一部分是P型半导体,在它里面空穴占主导地位,另一端是N型半导体,在这边主要是电子,中间通常是1至5个周期的量子阱.当电流通过导线作用于这个晶片的时候,电子和空穴就会被推向量子阱,在量子阱内电子跟空穴复合,然后就会以光子的形式发出能量,这就是LED发光的原理.而光的波长也就是光的颜色,是由形成P-N结的材料决定的.

虎林市15596884596: 量子阱是怎么形成的 -
乘凌眠痛: 量子阱(QW)是指由2种不同的半导体材料相间排列形成的、具有明显量子限制效应的电子或空穴的势阱.在由2种不同半导体材料薄层交替生长形成的多层结构中,如果势垒层足够厚,以致相邻势阱之间载流子波函数之间耦合很小,则多层结构将形成许多分离的量子阱,称为多量子阱(MQW).

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