在电子技术中:论电流方向来说N沟道MOS管与PNP晶体管这种流向是不是一样的?

作者&投稿:汲信 (若有异议请与网页底部的电邮联系)
P沟道MOS管与PNP三极管的区别是什么?~

三极管有固定输出如1.5V 3.3V 5V 等,而且输出功率较小,常用在信号线上,而MOS管就不一样了,可以用芯片控制G极,可以产生不同电压也就是可以由芯片控制让S极输出不同电压,而且MOS管的功率较大,常用在供电电路上,板子上粗线为供电线,细线为信号线。

mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。
PNP型三极管,由2块P型半导体中间夹着1块N型半导体所组成的三极管,称为PNP型三极管。也可以描述成,电流从发射极E流入的三极管。

三极管有固定输出如1.5V 3.3V 5V 等,而且输出功率较小,常用在信号线上,而MOS管就不一样了,可以用芯片控制G极,可以产生不同电压也就是可以由芯片控制让S极输出不同电压,而且MOS管的功率较大,常用在供电电路上,板子上粗线为供电线,细线为信号线。
mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。
PNP型三极管,由2块P型半导体中间夹着1块N型半导体所组成的三极管,称为PNP型三极管。也可以描述成,电流从发射极E流入的三极管。

理想的mos管,不管nmos还是pmos,沟道打开的时候,电流可从源到漏,也可从漏到源。但是实际的mos管,由于制造工艺的原因,在硅底层扩散形成结的时候会同时形成一个寄生二极管。由于这个寄生二极管的存在,当沟道关闭后,mos管源漏之间仍然能够单向导电。因此,为了让mos管正常工作,必须保证该寄生二极管处于反偏。具体来说,对于nmos,寄生二极管方向是从源到漏,因此电路上电流应该从漏到源,即漏极电位高于源极才能正常工作;而pmos则相反。可简单归纳为“n正驱(栅极电位高于硅基底)反通(漏极高于源极),p反驱正通”

一般来说,场管的G相当于三极管的B,D相当于C,S相当于E,N沟道相当于NPN,P沟道相当于PNP,这样电流流向就可以参考三极管的了。但实际很多场管电流可以从D流到S,也可从S流到D,例如同步整流的降压式变换器,高端的NMOS就是D流向S,而低端的NMOS却是S流向D的。三极管则没有这种用法。

有可比性吗,N沟道MOS管是在漏源之间加正电压,在栅源之间也加正电压。PNP晶体管 的电流方向是发射极流向集电极。

虽然忘了一些,不过场效应管是电压元件吧,用同样的电路可能不行吧,输出的电流会变得吧


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并差琥珀: 嗯,可以这么理解. 同时你也可以从驱动信号的特性上去理解.一般的MOS管都是增强型,而现实中驱动信号往往会表现为正电压,这时候用N沟道MOS管会方便很多,因为它只要正电压就可以驱动了.而P沟道需要负电压才能开启,实际使用起来会比N沟道麻烦一些.

含山县15112781370: 模拟电路的作品目录 -
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