为什么曾经说7nm是半导体工艺的极限，但现在又被突破了？
（1）机械设计及其自动化属于工程或工程经济类，专业符合要求。
（2）如果具有专科以上学历且工程类中级职称满三年，就可以报考。
（3）报考注册监理工程师，非全日制学历与全日制学历享受同等待遇。
可以
凡中华人民共和国公民，具有工程技术或工程经济专业大专（含）以上学历，遵纪守法并符合以下条件之一者，均可报名参加监理工程师执业资格考试：
（一）具有按照国家有关规定评聘的工程技术或工程经济专业中级专业技术职务，并任职满三年。
（二）具有按照国家有关规定评聘的工程技术或工程经济专业高级专业技术职务。
对从事工程建设监理工作并同时具备下列4项条件的报考人员可免试《工程建设合同管理》和《工程建设质量、投资、进度控制》2个科目。
（一） 1970年（含）以前工程技术或工程经济专业大专（含）以上毕业；
（二） 具有按照国家有关规定评聘的工程技术或工程经济专业高级专业技术职务；
（三） 从事工程设计或工程施工管理工作15年（含）以上；
（四） 从事监理工作1年（含）以上。
先前，媒体曾报导，7nm制程工艺最逼近硅基半导体工艺的物理极限。后来，媒体又报导，7nm工艺并非半导体工艺的极限，后面还依次有5nm工艺、3nm工艺，且5nm工艺、3nm工艺并没有突破硅材料半导体工艺的极限。极限本来是一个数学术语，广义的极限指的是“无限靠近且永远不能到达”的意思。于是，既然7nm工艺后还依次有5nm工艺、3nm工艺，那么，“为什么原来说7nm工艺是半导体工艺的极限，但现在又被突破了”，更准确的说法该是，“为什么原来说7nm工艺是半导体工艺的极限，但现在却又出现了5nm工艺，3nm工艺呢”。
芯片上集成了太多太多的晶体管，晶体管的栅极控制着电流能不能从源极流向漏极，晶体管的源极和漏极之间基于硅元素连接。随着晶体管的尺寸逐步缩小，源极和漏极之间的沟道也会随之缩短，当沟道缩短到一定程度时，量子隧穿效应就会变得更加容易。晶体管便失去了开关的作用，逻辑电路也就不复存在了。2016年的时候，有媒体在网络上发布一篇文章称，“厂商在采用现有硅材料芯片的情况下，晶体管的栅长一旦低于7nm、晶体管中的电子就很容易产生量子隧穿效应，这会给芯片制造商带来巨大的挑战”。所以，7nm工艺很可能，而非一定是硅芯片工艺的物理极限。
据业内人士分析，“台积电的3nm制程，很可能才是在摩尔定律下最后的工艺节点，并且台积电的3nm工艺会是关键的转折点，以衔接1nm工艺及1nm之下的次纳米新材料工艺”。前不久，台积电的创始人兼董事长张忠谋也表示，摩尔定律在半导体行业中起码还可存续10年，这其中就包括5nm工艺、3nm工艺，而台积电会不会研发，以及能否研发出2nm工艺，则需要再等几年才能确定。
最后要说的是，即便硅基芯片终有一天非常非常地接近物理极限，人们还可以寻找到其他如采用新材料等技术路径来驱动计算性能持续提升。在半导体行业，所谓工艺极限是特定而相对的，特定指的是7nm极限是在半导体FinFET工艺下的物理极限；而相对的意思是每次遇到瓶颈的时候，工业界都会引入新的材料或结构来克服传统工艺的局限性。10年前我们遇到了65nm的工艺极限，工业界引入了HKMG，用High-K介质取代了二氧化硅。
5年前我们遇到了22nm的工艺极限，工业界发明了FinFET和FD-SOI，前者用立体结构取代平面器件来加强栅极的控制能力，后者用氧化埋层来减小漏电。现在7nm是新的工艺极限，工业界使用了砷化铟镓取代了单晶硅沟道来提高器件性能。当然这里面的代价也是惊人的，每一代工艺的复杂性和成本都在上升，现在还能够支持最先进工艺制造的厂商已经只剩下Intel、台积电、三星和GlobalFoundries了。至于7nm以下，就要依赖极紫外(EUV)光刻机了。
7nm不是工艺极限，而是物理极限。要做个小于7nm的器件并不难，大不了用ebeam lith。但是Si晶体管小于7nm，隔不了几层原子，遂穿导致漏电问题就无法忽略，做出来也没法用。
芯片上集成了太多太多的晶体管，晶体管的栅极控制着电流能不能从源极流向漏极，晶体管的源极和漏极之间基于硅元素连接。随着晶体管的尺寸逐步缩小，源极和漏极之间的沟道也会随之缩短，当沟道缩短到一定程度时，量子隧穿效应就会变得更加容易。
晶体管便失去了开关的作用，逻辑电路也就不复存在了。2016年的时候，有媒体在网络上发布一篇文章称，“厂商在采用现有硅材料芯片的情况下，晶体管的栅长一旦低于7nm、晶体管中的电子就很容易产生量子隧穿效应，这会给芯片制造商带来巨大的挑战”。所以，7nm工艺很可能，而非一定是硅芯片工艺的物理极限。
现在半导体工业上肯定是优先修改结构，但是理论上60mV/decade这个极限是目前半导体无法越过的。真正的下一代半导体肯定和现在的半导体有着完全不同的工作原理，无论是TFET还是MIFET或者是别的什么原理，肯定会取代目前的半导体原理。
扩展资料
难点以及所存在的问题
半导体制冷技术的难点半导体制冷的过程中会涉及到很多的参数，任何一个参数对冷却效果都会产生影响。实验室研究中，由于难以满足规定的噪声，就需要对实验室环境进行研究。半导体制冷技术是基于粒子效应的制冷技术，具有可逆性。所以，在制冷技术的应用过程中，冷热端就会产生很大的温差，对制冷效果必然会产生。
其一，半导体材料的优质系数不能够根据需要得到进一 步的提升，这就必然会对半导体制冷技术的应用造成影响。
其二，对冷端散热系统和热端散热系统进行优化设计，依然处于理论阶段，没有在应用中更好地发挥作用，这就导致半导体制冷技术不能够根据应用需要予以提升。
其三，半导体制冷技术对于其他领域以及相关领域的应用存在局限性，所以，半导体制冷技术使用很少，对于半导体制冷技术的研究没有从应用的角度出发，就难以在技术上扩展。
其四，市场经济环境中，科学技术的发展，半导体制冷技术要获得发展，需要考虑多方面的问题。重视半导体制冷技术的应用，还要考虑各种影响因素，使得该技术更好地发挥作用。
因为半导体在以前还是很难去制造的，所以现在突破给人很奇妙的感觉
因为以前的技术只能到达这个程度，所以现在被突破说明技术又有了进步
三星曾经很牛的猎户座是怎么衰落的——Exynos处理器极简史与小结_百度...
魔改公版”的方向。另外，三星在通信处理技术（例如基带）方面也远远不及高通和华为，这严重限制了 Exynos 处理器的综合竞争力。最后，就是那拉胯的自家晶圆代工品质了。三星在 14nm 节点，看似领先了台积电，实则后继乏力，并逐渐落后。进入 7nm 时代后，又进一步落后——各种翻身机会皆被浪费。
蹭马龙流量“六边形战士”究竟如何?摩托罗拉edge s pro首发评测_百度知...
摩托罗拉edge s pro采用了高通次旗舰级5G芯片骁龙870,或许是曾经全球首发它的摩托罗拉edge s与之产生了不错的化学反应,所以本次的摩托罗拉edge s pro继续沿用。 该芯片的性能非常强大,具体规格方面,7nm工艺制作工艺,CPU Kryo 585八核架构,主频最高达3.2GHz,在性能大幅提升的同时,图片处理能力、AI能力也得以突破。
有谁能具体解释一下台积电,台联电
但台积电领先了竞争对手一步。台积电成立于1987年，现在拥有7座200mm晶圆厂和2座300mm晶圆厂。目前它的最好生产技术是130nm - 使用了low-k 绝缘材料的8层铜互连技术，晶体管的门宽为80nm。这与其它对手来说毫不逊色，并且早在2000就开始 投产了，其中成功生产的产品有VIA C3。
比亚迪研发7nm芯片和7nm光刻机,能取代富士康吗?
现在也只能做出70NM的光刻机。所以说，比亚迪想研发出7NM的芯片和光刻机，不是没有可能，但需要巨大的资金投入和长期的研究积累，而比亚迪还有其他业务，不可能将所有资源都投入到半导体产业中。我国的半导体产业要想获得全面的发展，需要整个产业链中的所有公司和中科院等相关科院机构共同协作，才能推动芯片...
如果比亚迪研发7nm芯片和7nm光刻机,能取代富士康吗?
7nm光刻机和芯片难度 即使到现在,我们目前国内正在销售的光 科技 是上海微电子的90nm光 科技 ,而能够达到荷兰ASML公司的光刻机并不存在,甚至于还处于一种“ 探索 ”之中。 光刻机的难度是什么?光刻机的难度是种种技术的累积,荷兰ASML公司总裁曾经信誓旦旦的说:我们中国永远复制不出高端光刻机,最新光刻机...
联想emc联想存储产品和EMC存储产品的比较
此前AMD曾多次强调7nm Zen 2架构芯片早已完成流片,正在和部分核心合作伙伴在EPYC平台上进行早期验证。而英特尔7nm芯片最快预计要到2021年才上市,如果AMD的使用台积电7nm工艺的第二代EPYC霄龙服务器处理器能在2019年如期量产,这意味着AMD在制式方面将至少能保持两年的优势,并对英特尔利润丰厚的数据中心业务造成严重威胁。
为什么光刻机对我国那么重要?
而这也就是如今中国为什么这么迫切需要荷兰的7nm紫外光刻机的原因了。其实形象点说芯片制造就如同盖房子，需要一层层地进行堆叠，才能把房子做出来，而要想有一个好房子，那么平稳的地基是必不可少的，而它就是晶圆。而光刻机加工就是要将芯片制作所用的线路和功能都做出来，不过这里要知道...
两大本土晶圆厂宣布14nm,国内代工跨进新阶段
来到内部，一方面，正如最近的新闻所说，以华为为代表的一些国内厂商因为忌惮美国的“禁令”，已经开始陆续向以中芯国际和华虹等国内厂商寻求帮助。以华为为例，除了相对较落后的工艺外，他们对14nm、7nm和5nm等先进工艺有更多的需求。再 加上 大数据、AI和5G等应用的兴起，要求更多更高性能的芯片，国内...
全球首款2纳米制程芯片问世:每平方毫米3.3亿晶体管,IBM打造
具体来说，2nm 芯片的潜在优势包括如下：从更具体的细节来看，IBM 2nm 芯片每平方毫米容纳 3.33 亿个晶体管，对比之下，台积电 5nm 芯片每平方毫米容纳 1.713 亿个晶体管，三星 5nm 芯片每平方毫米容纳 1.27 亿个晶体管。作为曾经一家主要的芯片制造商，IBM 现在将其芯片生产外包给了三星，但...
三星手机哪个好用?求推荐。
三星s10+这款手机蛮好用的，很值得推荐。这款手机搭载了强悍性能的高通855旗舰处理器，所以这部手机用上几年也不成问题。其次这款手机还有一块3400毫安时的大电池，所以这款手机续航效果也很不错。这是新发布的一款手机，口碑和销量都非常好，在国内市场表现也很不错。这款旗舰机搭载的是骁龙855处理器...
愚翟金港： 半导体技术,可以分成设计和工艺两大部分.作为学了7年的专业,我觉得中国就是个能吹牛的国家... 设计技术不想说,民用平均差距在20年.华为、海思什么虽然在通讯领域崛起,赶超思科,但是其他领域如PC等,不仅是IP的积累、经验积累,都大幅.
港北区18092879345： 为什么说7nm是 CPU的极限 - ？
愚翟金港： 据说,当达到这个水平之后,量子效应就会非常明显,目前的技术就无法控制了.于是这个尺寸就是硅锗材料cpu的工艺极限了. 下一代cpu,需要选择其他的材料和技术了.
港北区18092879345： 为什么说7nm工艺对半导体来说是个大挑战 - ？
愚翟金港： 7纳米制程节点将是半导体厂推进摩尔定律(Moores Law)的下一重要关卡.半导体进入7纳米节点后,前段与后段制程皆将面临更严峻的挑战,半导体厂已加紧研发新的元件设计架构,以及金属导线等材料,期兼顾尺寸、功耗及运算效能表现.
港北区18092879345： 为什么芯片5nm是极限 - ？
愚翟金港： 因为 目前的芯片工作的模式还是经典逻辑电路.当制程小于5nm, 量子效应占主导地位.譬如量子遂穿,测不准,纠缠,经典逻辑就工作不了了由热心网友提供的答案2:纳米是长度的单位之一 纳米和国际单位制中的长度单位米的换算关系 ...
港北区18092879345： 芯片从12nm到14nm有何真正的意义 - ？
愚翟金港： 是从14nm到12nm谢谢,如果你学过数电,很容易就能明白工艺的重要性,制程越好,发热越低,溢出越少,体积越小.目前最先进的工艺,是7nm,正在朝5nm发展.
港北区18092879345： 为什么手机芯片工艺可以7nm,而电脑cpu只能14nm?？
愚翟金港： 这个问题确实是太混淆视听了,必须说说,因为电脑CPU基本上英特尔占主导地位,它也曾是世界上最大的半导体公司,现在的第二大,它的CPU研发制造技术至少在现在还是独步天下,所以面对题主的问题:1、你必须相信英特尔,至少现在...
港北区18092879345： 10nm的台式处理器会是14nm台式处理器的工艺升级而不是架构升级吗?7nm才是架构升级吗? - ？
愚翟金港： 10nm,14nm,7nm 这些都是工艺标准,都是工艺提升.是否架构是另外一回事.打个比方:14nm可以做酷睿系列 Coffee Lake架构,也可以做skylake架构 甚至可以做ZEN架构
港北区18092879345： 技术水平怎么样 - ？
愚翟金港： 半导体技术,可以分成设计和工艺两大部分.作为学了7年的专业,我觉得中国就是个能吹牛的国家...设计技术不想说,民用平均差距在20年.华为、海思什么虽然在通讯领域崛起,赶超思科,但是其他领域如PC等,不仅是IP的积累、经验...
港北区18092879345： 迈向7nm工艺与3D IC,有多难 - ？
愚翟金港： 硅晶片的制造极限是0.5nm,这是几乎无法达到的. 因为从微观原子角度来说,0.5nm就只是一个硅原子了. 7nm就是14个硅原子组成一个结构,技术角度来说,现在的光刻技术还无法达到.或无法大规模使用如此精细的制造工艺.
港北区18092879345： 7nm之后的工艺制程还能实现吗 - ？
愚翟金港： 4纳米制程比之22纳米可以样面积的硅圆晶片集成更多的元件,可以降低成本,可以让工作电压更低,可以降低发热,提升频率. 通常我们所说的CPU的“制作工艺”,是指在生产CPU过程中,集成电路的精细度,也就是说精度越高,生产工艺越先进.
