什么叫P型硅片和N型硅片？
P型和N型硅都是通过掺杂过程得到的。在P型硅中，硅被掺入三价元素（如硼），这些元素有三个价电子可以形成共价键，但缺少一个电子来填满硅的价带，因此形成了“空穴”，电子可以跳入这个空穴，使得空穴向反方向移动，形成了电流。而在N型硅中，硅被掺入五价元素（如磷），这些元素有一个额外的电子可以跳跃到导电带，增加了电流。
在太阳能电池中，N型单晶硅片被认为具有比P型硅片更高的效率，原因包括：
N型硅片具有较低的杂质和缺陷浓度，这可以减少电子-空穴对的复合，从而提高电池的效率。
N型硅片对光辐射和热效应的耐受性更强，这意味着它们在实际操作条件下的性能退化较少。
N型硅片的载流子寿命较长，这可以进一步提高电池的效率。
一文搞懂了,N\/PMOS结构及其工作原理和测试连接
分类与优势<\/ 根据导电沟道的不同，MOSFET可分为P沟道(PMOS)、N沟道(NMOS)以及两者结合的CMOS。按栅极电压类型区分，有耗尽型和增强型之分，耗尽型需要特别说明，而增强型是最常见的，其绝缘层仅包含SiO2。增强型NMOS：深入解析其结构与工作原理<\/ 增强型NMOS基于低掺杂的P型硅片，通过扩散工艺制造N...
P型硅片掺杂是什么?
硼，即B，P应该就是positive，而N型硅掺的则是磷，即P，意为negative。
...是不是一定要先有p型半导体跟n型半导体? P型硅中是怎么形成...
是的。P型半导体是在单晶硅（锗）中参入微量三价元素，如的硼、铟、镓或铝等，就变成以空穴导电为主的半导体，即P型半导体。在P型半导体中，空穴(带正电)叫多数载流子;电子(带负电)叫少数载流子。如果在硅或锗等半导体材料中加入微量的磷、锑、砷等五价元素，就变成以电子导电为主的半导体，即N...
硅片为什么要切去一边,切出来的边叫啥
1. 微电子器件可以在晶圆上制造多个，需要切割成单个芯片。单晶硅的生长具有特定的晶向要求，而沿着某一特定方向切割可以更顺利地进行，这个方向被称为解理面。切割边缘有助于指示解理方向。2. 硅片分为N型和P型，规范的切边还可以告知硅片是N型还是P型电特性。3. 现代微电子生产自动化，如光刻曝光...
P型硅片上和硅片表面不是同一个意思吗?重叠了呀
故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。要产生较多的空穴浓度就需依赖掺杂或缺陷。在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体硅片。
PERC、N型双面、黑硅—主流高效电池技术对比简析
在产能方面,N型电池与P型电池的相比还有差距。 三、多晶黑硅电池 多晶硅片中具有若干不同晶向的晶体,因此单晶广泛应用NaOH溶液各向异性制绒工艺并不适用于多晶制绒。目前通行的多晶硅制绒工艺主要是HF\/HNO3混合溶液的缺陷腐蚀制绒法,此方法制绒后的硅片反射率约为18%,高于常规单晶制绒后11%的反射率,不利于多晶...
简述pn结的形成及原理
简述pn结的形成及原理为扩散作用。PN结具有单向导电性，是电子技术中许多器件所利用的特性，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。PN结是由一个N型掺杂区和一个P型掺杂区紧密接触所构成的，其接触界面称为冶金结界面，在一块完整的硅片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体，另一边形成P型...
什么是太阳能电池的背结?
中和”n型的磷，相对p掺杂的浓度会更高，铝背场质量会更好；最后，去背结的同时会把背面刻蚀的相对平整，便于背面的金属化。还有比较普遍的扩散工艺是双面扩散，在硅片的两面四边都会掺入磷(N层)，与原硅片衬底(P型)形成PN结。通常把镀PECVD膜的那一面叫正面，背面的PN结就叫背结。
功率器件有几种工艺多层外延
功率器件的制造涉及多种工艺，包括多层外延工艺。多层外延是半导体器件制造中的一项关键工艺，用于制造高性能功率半导体器件，如功率MOSFET、IGBT（绝缘栅双极晶体管）等。通常，多层外延工艺包括以下几个步骤：1. 外延生长：这是多层外延工艺的起始步骤。在外延生长过程中，通过在晶片表面沉积多层半导体材料，如...
太阳能电池片经过几道工序生产?
把P型硅片放在管式扩散炉的石英容器内,在850---900摄氏度高温下使用氮气将三氯氧磷带入石英容器,通过三氯氧磷和硅片进行反应,得到磷原子。经过一定时间,磷原子从四周进入硅片的表面层,并且通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散,形成了N型半导体和P型半导体的交界面,也就是PN结。这种方法制出的PN结均匀性好,...
宋栏金必： N型是电子导电,P型是空穴导电. 单晶硅中掺磷是N型,掺磷越多则自由电子越多,导电能力越强,电阻率就越低; 单晶硅中掺硼为P型,掺硼越多则能置换硅产生的空穴也越多,导电能力越强,电阻率就越低.
石台县18143582024： N型可控硅和P型可控硅的区别? - ？
宋栏金必： N型可控硅和P型可控硅的主要区别就是它们的芯料不同,N型可控硅的芯料是N型材料的,P型可控硅的芯料是P型材料的;N型可控硅是在N材料上渗入P材料形成三个PN结制成,P型可控硅是在P型基材上渗入N型材料形成三个PN结组成.在电路中它们的连接方式有所不同.
石台县18143582024： 请专家咨询:什么是太阳能P型电池和N型电池?两者的异同和关系.最好科普一点.谢谢! - ？
宋栏金必： 1、国内主流产品是P型单晶硅做太阳能电池,而国外三洋,sunpower等企业采用N型单晶来做电池;2、P型和N型都可以做电池片,只是P型晶体...
石台县18143582024： 您好 多晶硅N型是什么超标? P型是指哪方面的? - ？
宋栏金必： 使P型半导体有空穴做为载流子N型和P型分别是指,在纯净的硅中掺杂5价和3价的元素,使N型半导体有自由电子做为载流子
石台县18143582024： 太阳能电池PN节怎么辨认？
宋栏金必： 简要来说,太阳能电池一般采用太阳能级单晶硅或多晶硅片作为太阳能电池,硅片经过光照能够产生电势差,也就是光伏效应.就和发电机的正负极一样,硅片在生产过程中通过参加不同的杂质使其变为不同的类型,P型和N型,P型硅片通过光...
石台县18143582024： N型太阳能电池 - ？
宋栏金必： 熊猫电池,成本太高,转化效率不高,不合算.天威英利在做,噱头纯粹是噱头.不过国外确实有公司在做,具体情况不很清楚.
石台县18143582024： 解释一下P型半导体和N型半导体 以及 PN结？
宋栏金必： 1、P型半导体:又称空穴型半导体,其内部空穴数大于自由电子数,即空穴是多数载流子,自由电子是少数载流子.例如在硅材料中加入三价元素硼,就形成了P型半导体. 2、N型半导体:又称电子型半导体,其内部自由电子数大于空穴数,即自由电子是多数载流子,空穴是少数载流子.例如在硅材料中加入五价元素磷,就形成了N型半导体. 3、PN结:在硅或锗单晶基片上,加工成P型区和相邻的N型区,其P型区和N型区相结合的部位有一个特殊的薄层,这个薄层就称为PN结.PN结具有单向导电性.
石台县18143582024： 什么是N型半导体 什么是P型半导体? - ？
宋栏金必： 在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体,掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体. ( 两种半导体接触在一起的点或面构成PN结,在接触点或面上N型半导体多余壳粒趋向P型半导体,并形成阻挡层或接...
石台县18143582024： 晶体硅电池为什么不用N型硅片 - ？
宋栏金必： 第一价格高,N型衬底电池片转换效率高,价格不菲,P型硅做的好效率也不底;第二,N型掺磷元素,磷与硅相溶性差,拉棒时磷分布不均,P型硅掺硼元素,硼与硅分凝系数相当,分散均匀度容易控制.
石台县18143582024： P型半导体是什么N 型半导体是什么? - ？
宋栏金必： 型半导体中空穴导电,空穴带正(Positive)电荷; N型半导体中电子导电,电子带负(Negative)电荷; 在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体,掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体. ( 两种半导体接触在一起的点或面构成PN结,在接触点或面上N型半导体多余壳粒趋向P型半导体,并形成阻挡层或接触电位差.当P型接正极,N型接负极,N型半导体多余壳粒和PN结上壳粒易往正移动,且阻挡层变薄接触电位差变小,即电阻变小
