关于bjt的结构特点说法错误的是

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关于BJT的结构特点说法错误的是(C)。

A. 基区很薄且掺杂浓度很低

B. 发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度

C. 基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度

D. 集电区面积大于发射区面积

根据结构不同,bjt一般可分成两种类型:npn型和pnp型。npn型bjt结构示意图、管芯剖面图及表示符号如图3所示。

半导体的三个区域分别称为发射区、基区和集电区;三个区域引出的三个电极分别叫做发射极e、基极b和集电极c;发射区与基区间的pn结称为发射结,基区与集电区间的pn结称为集电结。

bjt的结构特点有超高频性能,大电流驱动能力,有两种极性载流子,自由电子和空穴。电流驱动型器件。

发射极(e) 对应的杂质半导体区域为发射区 ,该区域掺杂浓度较高。基极(b) 对应的杂质半导体区域为基区 ,该区域宽度很薄,掺杂浓度很低。

集电极(c) 对应的杂质半导体区域为集电区 ,该区域面积大,掺杂浓度很低。发射结 :发射区和基区的PN结。集电结 :基区和集电区的PN结。




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