影响材料光催化性能的因素有哪些

作者&投稿:叔乖 (若有异议请与网页底部的电邮联系)
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影响材料光催化性能的因素有材料本身能带结构、形貌、缺陷、尺寸等,反应条件主要包括光源和pH值等。

光催化是利用光来激发二氧化钛等化合物半导体,利用它们产生的电子和空穴来参加氧化—还原反应。当能量大于或等于能隙的光照射到半导体纳米粒子上时,其价带中的电子将被激发跃迁到导带,在价带上留下相对稳定的空穴,从而形成电子—空穴对。

由于纳米材料中存在的缺陷和悬键,这些缺陷和悬键能俘获电子或空穴并阻止电子和空穴的重新复合。这些被俘获的电子和空穴分别扩散到微粒的表面,从而产生了强烈的氧化还原势。

1、催化剂能带结构。光催化核心的概念是光催化剂吸收光能后,产生具有还原能力的电子e-和具备氧化能力的空穴h+,e-和h+再将接触到的其他物质(H2O、污染物、重金属离子、CO2等)还原、氧化掉。当然,光催化剂的氧化还原能力是有其限制的,光催化剂的氧化还原能力取决于其导带、价带位置,导带越负,还原能力越强;价带越正,氧化能力越强。

2、催化剂形貌。催化剂由于制备方法、反应时间、温度等不同会得到不同的形貌,例如花状、球状、片状等等。形貌不同,比表面积不同,与反应物接触面积也不同。一般来讲,比表面积越大,吸附性能越好,催化性能也越好,但现在很多文献有讲,光催化剂催化性能与比表面积并没有必然联系。

3、晶面。光催化反应发生在半导体表面,因而半导体表面表面原子结构对催化剂催化性能有很大影响。催化剂不同晶面具有不同的原子排列和结构,会表现出不同的催化性能,可以通过调控催化剂晶面来提高其催化性能。如Dan Wu等发现{001}晶面占主体的BiOBr比{010}晶面占主体的BiOBr在使细菌失活方面表现出更好的光催化性能。

4、催化剂尺寸。光催化剂粒径尺寸与其催化性能息息相关。当催化剂尺寸达到纳米级后,存在量子尺寸效应,并且随着尺寸的减小,半导体的禁带宽度变大,氧化还原能力变强。同时,尺寸变小,电子空穴对到达催化剂表面时间越短,能越快与吸附在催化剂表面物质发生反应。

但同时需要考虑的是,尺寸越小,禁带宽度越大,对光的吸收能力也就越弱。以g-C3N4为例,双氰胺、三聚氰胺等直接高温烧出来的g-C3N4尺寸较大,催化性能并不好,ShubinYang等将粗品g-C3N4剥离为纳米片状,大大提升了其光催化性能。

5、催化剂晶型结构。晶型结构对催化性能影响典型代表莫过于TiO2了,TiO2有三种晶型结构-锐钛矿型、金红石型以及板钛矿型,常见的为锐钛矿型和金红石型,晶型结构不同导致它们具有不同的禁带宽度。

金红石型TiO2 3.0 eV,锐钛矿型TiO2 3.2eV,并且相较于金红石型TiO2,锐钛矿型TiO2具有更大的比表面积,更多的晶格缺陷,对电子的捕获能力也更强,有利于电子空穴对的分离,从而具备更强的光催化性能。

6、催化剂缺陷。缺陷对半导体材料的电子结构、光吸收性能、表面吸附性能等都有影响。缺陷会在半导体能带中引入新的能级,从而增强对光的吸收能力;可以增强对H2O和O2、CO2等的吸附,可以生成更多的活性自由基或者将CO2还原;除此之外,缺陷可以作为电子捕获中心,有利于电子空穴对的分离。

7、pH。pH对光催化性能影响明显的莫过于染料降解了,不同染料在溶液中pH不同,染料所带电荷与催化剂表面电荷的同异将直接影响吸附性能,进而影响到后续的催化降解。如S.Sakthivel等提到TiO2(Degussa P25) 的零电荷点为6.8,ZnO 零电荷点为9.0±0.3。

零电荷点以下,催化剂带正电,反之,带负电,当染料与催化剂带电相反,就会由于静电作用,有更多染料吸附在催化剂上,利于催化降解。除此之外,碱性条件下,溶液中有更多的OH-,更利于形成·OH,从而对催化性能造成影响。

8、光源。光源对催化性能影响主要体现在光照波长与光照强度两个因素。光照波长很好理解,比如汞灯/紫外灯和氙灯,汞灯发射光线主要为紫外线,而氙灯模拟太阳光,主要是可见光,TiO2只有在紫外线下才能被激发产生电子空穴对,才会有较好的光催化性能。

而光强对催化性能的影响结合高中物理知识就可以理解,光催化反应中,受光照激发产生电子空穴对的催化剂是有限的,光强较弱时,随光强增强,有更多催化剂加入反应,但当光强增强到一定值,没有多余催化剂产生电子空穴对,对催化性能几乎没影响。与之相反,光强过强,会导致反应体系温度升高,造成催化剂团聚,反而降低催化性能。




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