用于大规模集成电路化学机械抛光的新材料制备及应用
在半导体技术中大量使用CMP（化学机械抛光）来进行平坦化，譬如多层布线的台阶问题，介质厚度不一会导致多层布线断条，所以采用CMP来平整介质层。
铜的表面处理实用技术 1、半导体活化材料化学镀铜镍技术 2、常温铜酸洗缓蚀剂 3、超大规模集成电路多层铜布线化学机械全局平面化抛光液 4、超大规模集成电路多层铜布线中铜与钽的化学机械全局平面化抛光液 5、导电铜粉的表面处理方法 6、导电铜粉的表面处理方法2 7、低碳钢丝快速酸性光亮镀铜工艺 8、电冰箱用铜管清洗工艺 9、电刷镀法刷镀铅—锡—铜减磨耐磨层的镀液 10、镀铜合金及其生产方法 11、镀铜添加剂及其制备方法和在焊丝镀铜中的应用 12、非金属流液镀铜法 13、非水体系储氢合金粉的化学镀铜工艺 14、复合电镀制备铜基复合材料用共沉积促进剂 15、钢、铝、铜材清洗剂 16、钢表面沉积铜方法 17、钢铁件光亮酸性镀铜前的预镀工艺 18、钢铁件光亮酸性镀铜前的预镀工艺 2 19、高档高速铜拉丝润滑剂 20、高速拉伸铜管用润滑剂及其制备方法 21、焊丝镀铜高防锈处理工艺 22、化学镀铜及其镀浴 23、碱性元素电解镀铜液 24、绝缘瓷套低温自催化镀镍镀铜工艺 25、亮锡－铜合金电镀液及其制备方法 26、普通玻璃真空镀铜合金制茶镜工艺 27、缩二脲无氰碱性镀铜方法 28、碳纤维均匀镀铜工艺 29、陶瓷玻璃常温化学镀铜、镍、钴 30、铁基置换法镀铜施镀助剂 31、铜表面阴极电解着色新工艺 32、铜电镀溶液及铜电镀方法 33、铜镀液和镀铜方法 34、铜管拉拔润滑油复合添加剂 35、铜和铜合金表面钝化处理方法 36、铜和铜合金管、棒、线拉伸用润滑剂 37、铜化学－机械抛光工艺用抛光液 38、铜缓蚀剂及其使用方法 39、铜或铜合金的腐蚀剂及腐蚀方法 40、铜或铜合金型材表面清洗剂 41、铜基材料表层的机械化学抛光方法 42、铜及其合金表面有机抗腐蚀剂和印刷电路板制作方法 43、铜及铜合金表面钝化的新方法 44、铜及铜合金表面铸渗工艺 45、铜及铜合金的表面处理剂 46、铜及铜合金的表面处理剂2 47、铜及铜合金的光亮酸洗溶液 48、铜拉丝润滑油复活剂 49、铜拉丝油及其制作工艺 50、铜铝型材表面润滑、防蚀剂的制备方法 51、铜锌合金表面的电抛光方法 52、铜质换热器酸洗缓蚀剂的配制方法 53、铜字防氧化表面处理方法 54、微多孔性铜覆膜及用于制备该铜覆膜的化学镀铜液 55、无氰镀铜锡合金电解液 56、无氰镀铜液及无氰镀铜方法 57、无氰连续镀铜生产技术 58、无引线瓷介电容局部化学镀镍或铜方法 59、稀土镍基贮氢合金粉的化学镀铜液配方及化学镀铜方法 60、一价铜无氰电镀液 61、一种超大型水泥表面镀铜的方法 62、一种化学镀铜镍技术 63、一种清除铜及铜合金表面锈蚀的综合防护处理剂 64、一种铜缓蚀剂及其生产方法 65、一种铜及铜合金表面抗腐蚀改性处理剂 66、乙二醇镀铜 67、用于基片电镀铜的方法 68、有机染料在铜表面染色的方法
杨华明 宋晓岚 邱冠周
（中南大学无机材料系，湖南长沙 410083）
本项目是科技部国际合作重点项目。
一、内容简介
（一）目的与意义
世界半导体产业进入大尺寸晶圆时代后，要求IC元件有最优的表面平整度，以满足微米及亚微米集成电路的制造工艺。化学机械抛光（CMP）是目前全局平坦化中最好的技术，也是解决多层绝缘介质层和多层金属布线全程平坦化的唯一有效的办法，加工工艺简单、成本低。
CMPA光液和微米级磨料全球仅有少数供货商，国内半导体厂之需求皆仰赖进口，相对于国外进口的CMPA光液产品，国产的CMPA光液产品除新鲜外，还有价格适宜、送货迅速、配套服务与专业的技术支持及时等优点。
（二）关键技术
1.锆英砂-Al2O3体系的高温熔盐相平衡规律及颗粒分级技术的研究
锆英砂-Al2O3体系的高温熔盐相平衡的测定，利用XRD技术研究平衡物种的组成，确定形成高性能的ZrSiO4-α-Al2O3磨料的条件；研究超细粉碎与控制分级技术，确定得到粒度分布均匀、分散性良好且具有一定规律棱角的研磨料的工艺条件；开发出一种天然资源的高价值利用的途径，利用天然的锆英砂生产高附加值的电子器件研磨料。
2.复合纳米颗粒的制备与稳定分散技术
研究内容包括：通过纳米SiO2-Al2O3、SiO2-CeO2、Al2O3-CeO2的控制生长基础研究，确定球状纳米复合颗粒的形成条件，以及Na＋的脱除工艺条件；研究纳米复合粉体的表面化学性质和溶液化学性质；研究复合颗粒体系的悬浮液在不同离子强度、pH值及溶液性质条件下的颗粒表面电荷变化规律；研究浆料体系的动力性质、电学性质以及浆料聚沉作用机理和聚沉动力学，确定抛光液的稳定化工艺条件。在SiO2系、SiO2-Al2O3系、SiO2-CeO2系纳米粗抛和精抛液理论的基础上，开发具有国际先进水平的多种用途的CMP抛光浆料产品。
3.分子模拟技术研究抛光液的配方
以计算化学为基础，利用cerius2.0和gaussian 98等软件在SGI工作站上进行模拟抛光液中各组分和硅晶圆表面的相互作用，指导抛光液配方的设计。
二、推广应用
在国内外首次由天然锆英砂制备微米级研磨料及纳米颗粒的均一稳定化技术，其技术关键为均一的ZrSiO4-α-Al2O3相形成及合适的破碎分级技术和纳米颗粒的制备及均一稳定化技术和工艺。在高温熔盐相图方面，成功地采用神经网络技术预测多元熔盐体系的相图，并在KBr-MnSO4-CsCl体系中得到应用；在细粒分级技术研究方面，能在实验室得到平均粒径为7.21μm且粒径分布集中的ZrSiO4-α-Al2O3颗粒，说明以锆英砂为原料完全可以制备高档次的研磨料，但是该产品的核心技术还在于相图的控制以得到组分均匀的产品。其思路是先通过实验得到二元相图，然后通过神经网络技术模拟锆英砂中的主要杂质Fe2O3、MgO、CaO、TiO2的影响及熔化类型进行预测，确定平衡固相物种及组成，从而达到分离杂质得到均一的ZrSiO4-α-Al2O3产品的目的。
三、鉴定、获奖、专利情况
本项目已申请国家发明专利4项，相关产品已在国内一些单位进行了试用，效果较为理想，在半导体领域具有重大的推广价值。
什么是以大规模集成电路为基本发展起来的新技术
微电子技术。大规模集成电路是在一个芯片上集合有1000个以上电子元件的集成电路，而以大规模集成电路为基础发展起来的新技术是微电子技术，不仅实现了微型化和高集成度，且在制造工艺和设计思想上也有很大的突破。
大规模和超大规模集成电路的区别
1、大规模集成电路:LSI （Large Scale Integration ），通常指含逻辑门数为100门~9999门（或含元件数1000个~99999个），在一个芯片上集合有1000个以上电子元件的集成电路。2、超大规模集成电路：VLSI（Very Large Scale Integration） 通常指含逻辑门数大于10000 门（或含元件数大于100000个)。是一种将...
什么的发展依赖于大规模集成电路技术的发展
专用芯片技术的发展依赖于大规模集成电路技术的发展。最早推出的固定功能的专用芯片是图像处理的压缩处理芯片，即将实现静态图像的数据压缩\/解压缩算法。专用芯片是改善多媒体计算机硬件体系结构和提高其性能的关键。为了实现音频、视频信号的快速压缩、解压缩和实时播放，需要大量的快速计算。只有不断研发高速专用...
大规模集成电路是什么
以计算机为例，大规模集成电路是是指集成度（每块芯片所包含的元器件数）大于10的集成电路。集成电路（英语：integrated circuit，缩写作 IC），或称微电路（microcircuit）、微芯片（microchip）、晶片\/芯片（chip）在电子学中是一种把电路（主要包括半导体设备，也包括被动组件等）小型化的方式，并时常制造...
采用大规模或超大规模集成电路的计算机属于第几代计算机
美国ILLIAC-IV计算机是第一台全面采用大规模集成电路作为逻辑元件和存储器的计算机，它的出现标志着计算机技术进入了第四代。第四代电子计算机主要采用大规模和超大规模集成电路作为基础电子元件。其主要特点包括：使用大规模集成电路，内存储器普遍采用半导体存储器，并具备虚拟存储能力；硬件和软件技术日趋成熟...
中国第一块大规模集成电路诞生于何时?
1982年10月，国务院成立以万里副总理为组长的“电子计算机和大规模集成电路领导小组”，重点负责整治因多头引进、重复布点造成的混乱现象。提出“六五”期间国家集成电路工业“建立南北两个基地和一个点”的发展战略。之后中国第一块大规模集成电路诞生时，美国才刚刚推出1KB动态随机存储器（DRAM）。据专家...
大规模集成电路是什么
第三代（ 1966 ～ 1971 ），以中小规模集成电路为主要部件，内存用磁芯、半导体，外存用磁盘。软件上广泛使用操作系统，产生了分时、实时等操作系统和计算机网络。第四代（ 1971 至今），以大规模、超大规模集成电路为主要部件，以半导体存储器和磁盘为内、外存储器。在软件方法上产生了结构化程序设计和...
微型计算机是如何发展的?
1977年，英特尔公司成功研制出8位微型计算机MCS-80型，这是微型计算机的第二代，它的外围电路实现了大规模集成电路化，构成一个最小配置的微型计算机系统只需要三四块组件。此后，微型计算机的发展达到了全盛时期。而微型计算机的制造厂家的研制目标已不再停留在单个的微型计算机上，而是指向微型计算机系统的...
使用超大规模集成的电路制造的计算机应属于第几代?
使用超大规模集成的电路制造的电脑应该属于第四代。超大规模集成电路（Very Large Scale Integration Circuit，VLSI）是一种将大量晶体管组合到单一芯片的集成电路，其集成度大于大规模集成电路。集成的晶体管数在不同的标准中有所不同。从1970年代开始，随着复杂的半导体以及通信技术的发展，集成电路的研究、...
...大规模集成电路 和 超大规模集成电路,简单说是什么意思?能不能这...
大规模集成电路：LSI (Large Scale Integration )，通常指含逻辑门数为100门～9999门（或含元件数1000个～99999个），在一个芯片上集合有1000个以上电子元件的集成电路。集成电路（integrated circuit，港台称之为积体电路）是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管...
纪家伤科： 抛光粉化学机械抛光 抛光粉抛光是为了使材料表面达到平整化的方式.传统的材料平面化技术较多,如热流法、回蚀法、旋转式玻璃法、电子环绕共振法、低压CVD、选择淀积、淀积一腐蚀一淀积、等离子增强CVD等,这些技术材料平面化工...
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纪家伤科： 1965年美国孟山都公司在世界上首先提出了二氧化硅溶胶和凝胶应用于硅晶圆片的抛光加工的专利.从此,半导体用抛光液(slurry)成为了半导体制造中的重要的、必不缺少的辅助材料.半导体硅片抛光工艺是衔接材料与器件制备的边沿工艺...
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纪家伤科： 单片集成电路工艺 利用研磨、抛光、氧化、扩散、光刻、外延生长、蒸发等一整套平面工艺技术,在一小块硅单晶片上同时制造晶体管、二极管、电阻和电容等元件,并且采用一定的隔离技术使各元件在电性能上互相隔离.然后在硅片表面蒸发...
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纪家伤科： 硅微粉可分为:普通硅微粉、电工级硅微粉、电子级硅微粉、熔融硅微粉、超细硅微粉、“球形”硅微粉. ⒈普通硅微粉 主要用途用于环氧树脂浇注料、灌封料、电焊条保护层、金属铸造、陶瓷、硅橡胶、涂料及其它化工行业. ⒉电工级硅微...
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纪家伤科： 超声应用 超声效应已广泛用于实际,主要有如下几方面: ①超声检验.超声波的波长比一般声波要短,具有较好的方向性,而且能透过不透明物质,这一特性已被广泛用于超声波探伤、测厚、测距、遥控和超声成像技术.超声成像是利用超声...
瓯海区17642698441： 解释为什么干氧工艺适用于大规模集成电路的氧化工艺 - ？
纪家伤科： 大规模集成电路的工艺对氧化层的质量要求比较高.干氧工艺产生的氧化层生长速率低,但是很致密.可以生长出高质量的氧化层.
