[选修3-物质结构与性质]原子序数依次增大的X、Y、Z、G、Q、R、T七种元素,核电荷数均小于36.已知X的 一

作者&投稿:凌崔 (若有异议请与网页底部的电邮联系)
原子序数依次增大的X、Y、Z、G、Q、R、T七种元素,核电荷数均小于36。~

解:
推断:
“已知X的一种1:2型氢化物分子中既咖么建又有派建,且所有原子共平面”——这种氢化物为C2H4——X为碳元素

“Z的L层上有2个未成对电子”——Z为24碳元素(重复),或26氧元素

“原子序数依次增大的X、Y、Z、G、Q、R、T七种元素”——Y为氮元素

“Q原子s能级与p能级电子数相等”——1s2 2s2 2p4 氧元素,或 1s2 2s2 2p6 3s2镁元素

“R单质是制造各种计算机,位电子产品的核心材料”——R为硅元素

“T处于周期表ds区,原子中只有一个未成对电子”——3d10 4s1 铜元素

(1)Y原子核外共有7种不同运动状态的电子,T原子有7种不同能级的电子。
(2)x<y<z
(3)SCN中碳原子杂化类型为sp
(4)合物甲:SiS2
与二氧化硅类似,1mol甲中含有4mol化学键
SiS2与氢氟酸反应生成 H2S和SiF4 其空间构型分别为V形和正四面体形
(5)硫酸铜和氨水反应:(两步反应)
开始反应时复分解反应:Cu2+ + 2 NH3·H2O=Cu(OH)2↓+2NH4+
由于氨水过量,还可以发生络和反应,生成铜氨络离子:Cu(OH)2+4NH3·H2O=[CU(NH3)4]2+ +2OH-+ 4H2O

不懂可以追问,望采纳。

另:题目中的G、Q有什么用啊?干脆没提过。。。

(1)X、Y、Z、W、R为前四周期原予序数依次增大的五种元素,X、Y、Z、W为同一周期相邻元素,X的一种核素用于鉴定文物年代,X为C,则Y为N,Z元素原子核外电子的运动状态共有8种,即核外有8个电子,Z为O,W为F,R元素与比它核电荷数大的另外两种元素位于第四周期同一族,即R为第ⅤⅢ族元素,为Fe.(1)X的一种核素用于鉴定文物年代,为质量数14的C原子,该原子为 146C,故答案为: 146C;(2)同周期,从左向右第一电离能增大,但N原子最外层p电子半满为稳定结构,第一电离能由大到小的顺序为F、N、O、C,故答案为:F、N、O、C;(3)F、O的电负性强,W的气态氢化物水溶液中存在氢键,氢键为F-H…O、O-H…F,故答案为:F-H…O、O-H…F;(4)Y的一种氢化物分子中共有18个电子,该化合物为N2H4,存在N-H和N=N键,存在极性键、非极性键,N2H4分子中氮原子的加成电子对=3+1=4,含有一个孤电子对,N原子轨道的杂化类型是sp3、,则F、G正确,故答案为:ABFG;(5)R为Fe,原子序数为26,价层电子排布式为3d64s2,位于d区,故答案为:3d64s2;d;(6)A中原子占据体心和顶点,为体心立方结构,原子数为1+8×18=2,B中占据顶点和面心,原子数为6×12+8×18=5,所以体心立方晶胞和面心立方晶胞中实际含有的Fe原子个数之比1:2;A、B晶胞的棱长分别为a cm和b cm,体积分别为a3cm3、b3cm3,晶胞的密度等于晶胞中铁原子的质量与体积的比,为2ma3:4mb3=b3:2a3,故答案为:体心立方;1:2;b3:2a3.

X的一种1:2型氢化物分子中既有σ键又有π键,所有原子共平面,说明该氢化物中含有双键或三键,氢化物中乙烯中含有σ键和π键,且是1:2型氢化物,所以x是C元素;Z的L层上有2个未成对电子,则L层上有6个电子,所以Z为O元素;Q原子s能级与P能级电子数相等,则Q的电子排布为1s22s22p63s2,所以Q为Mg元素;R单质是制造各种计算机、微电子产品 的核心材料,则R为Si元素;T处于周期表的ds区,原子中只有一个未成对电子,则T为Cu元素;X、Y、Z、G、Q、R、T原子序数依次增大,Y为N元素;G能形成氟化物,且其原子序数小于Mg,则G为Na元素;
(1)Y为N元素,其电子排布图为:,所以其原子核外共有7种不同运动状态的电子;Cu原子的电子排布式为1s22s22p63s23p63d104s1,所以Cu原子有7种不同能级的电子,
故答案为:7;7;
(2)C、N、O为同周期元素,同周期元素第一电离能从左到右依次增大,但是第IIA族与第IIIA族反常,第VA族与第VIA族反常,所以)C、N、O的第一电离能由小到大的顺序为:C<O<N,故答案为:C<O<N;
(3)已知CO2与CNO-为等电子体,则二者的空间结构和和杂化方式相同,已知为CO2直线形,C为sp杂化,所以CNO-中C为sp杂化,故答案为:sp;
(4)Z与R能形成化合物甲为SiO2,1molSiO2中含4molSi-O,SiO2与氢氟酸反应,生成物为SiF4和H2O,分子空间构型分别为正四面体和V形;
故答案为:4;正四面体和V形;
(5)不同晶体熔点的一般规律是:离子晶体的熔点>分子晶体的熔点,离子晶体中半径越小,所带电荷越多,熔点越高,NaF与MgF2为离子晶体,SiF4为分子晶体,故SiF4的熔点低;Mg2+的半径比Na+的半径小、电荷数高,晶格能MgF2>NaF,故MgF2的熔点比NaF高;
故答案为:NaF与MgF2为离子晶体,SiF4为分子晶体,故SiF4的熔点低;Mg2+的半径比Na+的半径小、电荷数高,晶格能MgF2>NaF,故MgF2的熔点比NaF高;
(6)向Cu的硫酸盐溶液中逐滴加入氨水至过量,开始生成氢氧化铜沉淀,后来沉淀溶解生成四氨合铜离子,其反应的离子方程式为:Cu2++2NH3?H2O=Cu(OH)2↓+2NH4+、Cu(OH)2+4NH3=[Cu(NH34]2++2OH-
故答案为:Cu2++2 NH3?H2O=Cu(OH)2↓+2NH4+、Cu(OH)2+4NH3=[Cu(NH34]2++2OH-
(7)C单质的晶胞如图所示,在顶点上8个原子,面心上2个原子,晶体内部为4个原子,所以一个C晶胞中原子数为:
1
8
×8+
1
2
×
6+4=8;
设晶体中最近的两个X原子之间的距离为xcm,晶胞的边长为acm,则a3=
12×8
NA
p
,由晶胞图可知a2+a2=(4x?sin
109°28′
2
2,所以2
3
12
pNA



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