三极管中所说的发射结和集电结分别指的是什么？
半导体晶体管中将P型区和N型区的结合面称为PN结。半导体三极管的基区与发射区的结合面（基极与发射极）称为发射结；基区与集电区的结合面（基极与集电极）称为集电结。
Vcb是指C极和B极的反向耐压，这个和三极管型号有关
Vbc这个是B极和C极的正向压降，0.5~0.7V这个参数很少用到
Vbe就是经常使用的放大偏置压降。0.5~0.7V
Vce是指整个三极管的耐压。C极和E极之间的耐压
发射区与基区见的PN结称为发射结，集电区和基区之间的PN结称为集电结。
在BJT三级管中，含有发射极e、集电极c和基极b，三者对应的杂质区域分别称为发射区、集电区和基区。
.拓展资料：
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。
三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
参考资料：百度百科-三极管
1、发射区向基区发射电子
电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。
2、基区中电子的扩散与复合
电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。
3、集电区收集电子
由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。
详细说明交流加我旺旺号：风帆丽影8 本人也是从事电子行业与爱好者
在BJT三级管中，含有发射极e、集电极c和基极b，三者对应的杂质区域分别称为发射区、集电区和基区。而发射区与基区见的PN结称为发射结，集电区和基区之间的PN结称为集电结。
以上内容参考华中科技大学版《电子技术基础》模拟部分
三极管中的管脚 定义 有 E C B 这代表什么意思?
E发射极，C集电极，B基极 三极管的基本结构是两个反向连结的pn接面。可有pnp和npn两种组合。三个接出来的端点依序称为发射极（emitter,E）、基极（base,B）和集电极（collector,C），名称来源和它们在三极管操作时的功能有关。在没接外加偏压时，两个pn接面都会形成耗尽区，将中性的p型区和n型区...
怎么判断三极管的发射极正偏
N)电势要比集电极(P)电势高，对于NPN三极管而言，如果要使NPN三极管导通，那么基极与发射极(发射结)正偏，即：基极(P)电势要比发射极(N)电势高。还需要基极(P)电势要比集电极(N)电势低。对于NPN晶体管基极电压为-0.几伏，就为反偏，基极与发射极电压0.1V以上都为正偏。PNP管正好相反。
三级管的发射结和集电结那个压降大?
集电结的压降大于发射结的压降。对于截止状态，由要让三极管截止，基极和发射极之间的电压必须小于导通电压，因此发射结的压降也很小，小于集电结的压降。对于饱和状态，三极管的发射结和集电结都处于正偏状态，两个结的压降都很小，但由于存在管压降，集电结的压降相对发射结的压降略小一点。
三极管的集电极及发射极的分别
如为反测，黑表笔接的是N端，晶体管属PNP型。 4. 确定集电极和发射极对集电极和发射极作正测。在正测时，对NPN管黑表笔接的是集电极，对PNP管，黑表笔接的是发射极。这是因为不论正测或反测，都有一个PN结处于反向，电池电压大部分降落在反向的PN结上。发射结正偏，集电路反偏时流过的电流较...
三极管的集电区.发射区 . 基区分别有什么作用?
1、发射区向基区发射电子 电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。2、基区中电子的...
...管输出特性的三个工作区域及不同工作状态下发射结和集电结的状态...
1）在放大区中，发射结电压为正向偏置并约固定在0.7V，而集电结则为反向偏置；2）在饱和区中，发射结电压为正向偏置并约固定在0.7V，而集电结则为正向偏置；3）在截止区中，发射结电压为正向偏置但是电压低于其导通电压0.7V，而集电结则为反向偏置；以NPN管为例，简单说就是 在放大区，Uc ...
发射结电压0.7V是什么意思?哪个极电压高0.7V?
此处说发射结电压0.7V指的是按二极管的正向导通时恒压降模型来定义的。即认为，三极管发射结导通时压降为0.7V，或说要使发射结正偏，需使基极电压大于发射极电压0.7V。但在实际应用中，根据应用环境，三极管发射结跟二极管PN结类似，随着导通程度的不同，压降会有所不同。近似理论分析时，一般都...
三级极管的三种工作状态
三级极管的三种工作状态：1、截止区：三极管工作在截至状态，当发射结电压Ube小于0.6-0.7V的导通电压，发射结没有导通，集电结处于方向偏执，没有放大作用。2、放大区：三极管的发射极加正向电压，集电极加方向电压导通后，Ib控制Ic，Ic与Ib近似于线性关系，在基极加上一个小信号电流，引起集电极大...
三极管发射结正偏是什么啊?
发射结正偏:基极电压大于发射极电压 集电结反偏：三极管在正常工作状态时,加在集电极上的电压方向与其电流方向相反.在放大电路中be结正偏，bc结反偏，三极管工作在放大区，在数字电路中bc结0偏或反偏，三极管交替工作在饱和区和截止区。正偏：当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消...
发射结正偏和集电结反偏有什么区别?
NPN型晶体管的集电结反偏，指的是集电极（N型半导体）接高电位，基极（P型半导体）接低电位，集电结加反向电压，集电结处于截止状态；（2）晶体管的发射结正偏集电结反偏时，晶体管处于放大状态。例如：基极的电位为0.7V，发射极的电位为0V，集电极的电位为3.7V，此时，发射结所加的正向电压为...
解放复方： 基极与发射极之间的PN结称为发射结,基极与集电极之间的PN结称为集电结.
威宁彝族回族苗族自治县15024945466： 三极管的集电结和发射结的正偏反偏电压是怎么说的? - ？
解放复方： 晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管.而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管,两者除了电源极性不同外,其工作原理都是相同的,下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理. ...
威宁彝族回族苗族自治县15024945466： 三极管的基极、集电极、发射极的作用各是什么? - ？
解放复方： 发射极就是发射电子,基极就是控制电子(使流向集电极的电流受基极输入信号的控制),集电极就是收集电子. 三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件.三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近...
威宁彝族回族苗族自治县15024945466： 三极管的基本原理 - ？
解放复方： NPN型三极管是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c.cbe三极之间的电压关系是:如果是正常工...
威宁彝族回族苗族自治县15024945466： 三极管中正偏反偏都怎么回事? - ？
解放复方： 说到三极管的发射结正偏,集电节反偏,得先说一下PN结,对于三极管来说,发射结和集电结分别是两个PN结,只是半导体的结构不同有PNP型和NPN型之分,对于它们来说,只要你明白了PN结的正偏和反偏,三极发射结和集电结一定会知...
威宁彝族回族苗族自治县15024945466： 晶体三极管分为什么型和什么型 它由两个pn结组成,分别叫做什么结 - ？
解放复方： 晶体三极管分为NPN型和PNP型, 它由两个pn结组成, 发射区与基区之间形成的PN结称为发射结, 而集电区与基区形成的PN结称为集电结.
威宁彝族回族苗族自治县15024945466： NPN型半导体三极管中,哪部分是发射结,哪部分是集电结,感谢 - ？
解放复方： 不论NPN还是PNP,B-E之间内部等效的二极管是发射结,B-C内部是集电结.
威宁彝族回族苗族自治县15024945466： 三家管的发射结( )集电结( )时,工作在放大区;发射结()集电结( )或( )时,工作在饱和极 - ？
解放复方： 三集管的发射结( 正偏 )集电结( 反偏 )时,工作在放大区;发射结(正偏)集电结( 正偏 )或( )时,工作在饱和区,发射结( 处于反偏 )或( )集电结( )时,工作在截止区.
