半导体特性曲线
半导体的伏安特性曲线描绘了当PN结两端施加电压与通过二极管的电流之间的关系。这个曲线可以分为两个主要部分：
正向特性：当电压（u）为正时，我们称其为正向特性，此时电流会随着电压的增加而增加，形成典型的一致关系，如图所示。
反向特性：当电压为负（u<0）时，我们称之为反向特性。这一阶段，如果电压值小于某个特定阈值（U（BR）），电流通常很小。然而，当反向电压超过这个阈值时，电流会突然剧增，这就是所谓的反向击穿现象。
势垒电容（Cb）是由于PN结耗尽层宽度变化所等效的电容。当PN结加反向电压时，势垒电容会随电压的改变而变化，这就使得一些变容二极管得以利用这种特性制作。
在PN结的平衡状态下，少子的数量保持稳定，这种状态下的少子被称为平衡少子。然而，当PN结处于正向偏置时，从P区扩散到N区的空穴和从N区到P区的自由电子数量增多，这些非平衡少子是二极管导电的关键因素。
扩散电容（Cd）源于扩散区内的电荷积累和释放过程，它与电容器的充放电过程类似。最后，PN结的结电容（Cj）是由势垒电容和扩散电容两者之和构成的。
扩展资料
半导体（semiconductor），指常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。
为什么要测伏安特性?
其可来研究导体电阻的变化规律。伏安特性曲线图用纵坐标表示电流I、横坐标表示电压U，以此画出的I-U图像叫做导体的伏安特性曲线图。伏安特性曲线为针对导体的，也就是耗电元件，图像常被用来研究导体电阻的变化规律，物理学常用的图像法之一。用实验研究负载两端电压跟通过负载的电流大小关系为初高中电学实验...
电压源和理想电压源有什么不同?
3、伏安特性不同 理想电压源的伏安特性(也叫外特性曲线)是一根与I轴平行的直线。从能量观点考虑，理想电压源纯粹是一个供能元件，供给外电路耗能元件R以能量，是一个无限大容量的电源。实际电压源伏安特性曲线图常用纵坐标表示电流I、横坐标表示电压U，以此画出的I-U图像叫做导体的伏安特性曲线图。这种...
高中物理选修3—1中 导体的伏安特性曲线 这个内容在高考中经常涉及到吗...
这个问题如果考的简单就考伏安特性曲线的基本知识，你应该会，如果考的难点就考察导体在电路中的“工作点”问题。“工作点”问题是难点而且这两年的考题中出现几次了。解决工作点问题主要是在u-i图像中找到“元件限制”线和“电路限制”线，交点就是工作点。
图是某导体的伏安特性曲线,由图可知( )A.导体的电阻是250ΩB.导体的...
A、B、根据图象，由欧姆定律可得，导体电阻R＝UI＝50.2Ω＝25Ω，故A错误，B错误；C、当导体两端电压是10V时，通过导体的电流I=UI＝1025A=0.4A，故C正确；D、当通过导体的电流是0.1A时，导体两端的电压U=IR=0.1A×25Ω=2.5V，故D错误；故选：C ...
ct励磁特性与伏安特性区别?
励磁特性通常也叫伏安特性 2、什么是伏安特性 在电学中伏就是电压，安就是电流，伏安特性就是电流与电压的特性，也叫做关系，伏安特性曲线图常用纵坐标表示电流I、横坐标表示电压U，以此画出的I-U图像叫做导体的伏安特性曲线图，伏安特性曲线是针对导体的，也就是耗电元件，用来研究导体电阻的变化规律，
什么是电弧静态伏安特性?电弧静态伏安特性曲线呈非线性状态的原因是什...
用纵坐标表示电流I、横坐标表示电压U，这样画出的I-U图像叫做导体的伏安特性曲线。当没有起弧时，电压高，没有电流；起弧后，电压降低，电流增大。这样就是电弧的伏安特性了。电弧放电受多种因素的影响，本身很不稳定，是非线性的（线性的就是参数固定不变），一量燃弧周边的介质温度很高，有的电离...
如图所示为甲、乙两个导体的伏安特性曲线,从图象可知( ) A.当甲乙串 ...
A、当甲乙串联在同一电路中，电流相同，由图看出，乙导体两端的电压较大．故A错误． B、D，图线的斜率等于电阻的倒数，甲图线的斜率大于乙图线的斜率，则甲电阻较小，乙电阻较大．故B错误，D正确． C、当甲乙并联在同一电路中，电压相同，由图线判断出来流过甲导体的电流较大．故C错误．...
某导体的伏安特性曲线如图所示,则通过该导体的电流为2A时,导体的电阻为...
由图可知，电流为2A时，电压为5V；则同欧姆定律可知：电体的电阻R=52=2.5Ω；故选：A．
电流表内外接的伏安特性曲线怎么画
电流表的伏安特性？是否想问别的？用横轴表示电压U,纵轴表示 电流I , 画出的I-U关系图像叫做导体的伏安特性曲。
画出电阻为5Q的金属导体的伏安特性曲线,当导体的电阻增大为10Q时,图线...
U\/I等于R当R扩大一倍U也就扩大一倍，也就是说UI夹角的正切值扩大一倍，反之
於狠鼻渊： 1.三极管饱和状态 三极管饱和后,C、E间的饱和电阻RcEs=UcEs/Ics,UcEs很小,Ics最大,故饱和电阻RcEs很小.所以说三极管饱和后C、E问视为短路2.三极管截止状态 三极管截止后,C、E间的截止电阻Rce=UcE/Ic,UcEs很大,等于电源 电压,Ics极小,C、E间电阻RcE很大,所以,三极管截止后C、E间视为开路3.三极管放大状态 基极电流必须为:0<IB<IBs
文峰区13657138697： 半导体二极管伏安特性曲线说明了什么问题?二极管阻值会如何变化 - ？
於狠鼻渊： 伏安特性曲线直观地显示了加在二极管两端电压与电流的关系,有了电压与电流的关系曲线那么曲线上任意一点坐标x与y的比值即反映出二极管内阻的变化.
文峰区13657138697： 半导体的伏安特性曲线是图10 - 1 - 10中的( ) 图10 - 1 - 10 - ？
於狠鼻渊：[答案] 解析:半导体的电阻随温度的升高而减小,所以半导体的伏安特性曲线中,曲线上点的切线的斜率必须随电流的变大而增大,满足这点的只有图象B.答案:B
文峰区13657138697： 如图所示,a、b分别表示一个电池组和一只半导体器件伏安特性曲线.电池组的内阻是______,将该半导体器件接在该电池组两端,电池组的输出功率将是 - ... - ？
於狠鼻渊：[答案] 电池组的伏安特性曲线的斜率绝对值等于电池的内阻的倒数,故:r=|△U△I|=20−04−0=5Ω当输出电流为零时,路端电压等于电源的电动势,故:E=20V两图线的交点表示将该半导体器件接在该电池组两端时电路的工作状态,...
文峰区13657138697： 半导体放电管的特性曲线分为哪几个阶段 - ？
於狠鼻渊： 半导体放电管的主要参数:VT:通态压降 VDRM:断态电压 VS:转折电压 IDRM:断态电压下流过的最大泄漏电流 IH:维持电流 IS:最大转换电流 当外加电压低于VDRM时,漏电流很小,处于断开状态.不影响被保护组件的正常工作.当外加电压大于VS时,半导体放电管很快进入导通状态,压降很小,起到了保护作用.外加电压恢复正常后,电流很快就降到低于维持电流IH,放电管自然恢复,回到阻断状态.该器件的优点是导通电压小,几乎无热耗,可重复使用,能承受较大的冲击电流,响应快,使用安全、可靠,其性能优于其它瞬间过压保护元器件.
文峰区13657138697： 线性电阻和非线性电阻的伏安特性曲线 - ？
於狠鼻渊： 去百度文库,查看完整内容>内容来自用户:f362119273线性电阻和非线性电阻的伏安特性曲线 一、实验目的:1.测绘电阻的伏安特性曲线 2.学会用图线表示实验结果 3.了解晶体二极管的单向导电特性 二、实验仪器:毫安表、微安表、伏特...
文峰区13657138697： 半导体特性曲线测试仪有什么用途 - ？
於狠鼻渊： ◆半导体特性曲线测试仪是用图示的方法来测量并显示半导体器件的伏安特性(即电压-电流特性)的仪器,在测量及选用半导体器件时有着广泛的用途:①测量二极管的伏安特性,显示其反向击穿电压,饱和压降,不同电压下的等效电阻等;②测量三极管、场效应管的伏安特性,显示其放大倍数,特性族曲线,线性工作区,饱和区,截止区特性等;③测量非线性器件的动态特性,如单结管,晶闸管等.
文峰区13657138697： 半导体二极管有哪些特性? - ？
於狠鼻渊： 阳极:由P区引出的电极为阳极.阴极:由N区引出的电极为阴极.点接触型二极管,通过的电流小,结电容小,适用于高频电路和开关电路.面接触型二极管,结面积大,电流大,结电容大,适用于低频整流电路.平面型二极管,结面积...
文峰区13657138697： 画出线性电阻的伏安特性曲线.并说明温度对金属导体、半导体电阻值的影响. - ？
於狠鼻渊：[答案] 线性电阻的伏安特性曲线为过原点的直线,如图所示; 金属导体的电阻随温度的升高而增大,而半导体电阻随温度的升高而减小; 答:伏安特性曲线如图所示,金属导体的电阻随温度的升高而增大,而半导体电阻随温度的升高而减小;
文峰区13657138697： 求半导体三极管的特性,并且给出曲线图？
於狠鼻渊： 三极管的特性曲线★输入特性:它与PN结的正向特性相似.由于三极管的两个PN结相互影响,所以电压 对输入特性有影响,但 >1 V后的输入特性基本重合. ★输出特性:★分四个区域:放大区,饱和区,截止区,击穿区. ★放大区特点:发射结正向偏置,集电结反向偏置; ,基本不受 的影响. ★饱和区特点:发射结正向偏置,集电结正向偏置;管压降 很小, (硅管). 受控于 , 已不成立, 的大小由外电路参数决定. ★截止区特点:发射结、集电结均反偏;集电极电流近似为零;管压降比较高.
