MOS管的参数怎么读懂
说明书用来说明各种产品的性能。这对于在不同厂商之间选择相同规格的器件很有用。在一些情况下，不同厂商所提供的参数所依据的条件可能有微妙的区别，尤其在一些非重要参数例如切换时间。另外，数据说明书所包含的信息不一定和应用相关联。因此在使用说明书和选择相同规格的器件时需要特别当心以及要对数据的解释有确切的了解。本文以100 V逻辑电平 MOS管为例。
说明书用来说明各种产品的性能。这对于在不同厂商之间选择相同规格的器件很有用。在一些情况下，不同厂商所提供的参数所依据的条件可能有微妙的区别，尤其在一些非重要参数例如切换时间。另外，数据说明书所包含的信息不一定和应用相关联。因此在使用说明书和选择相同规格的器件时需要特别当心以及要对数据的解释有确切的了解。本文以100 V逻辑电平 MOS管为例。
数据说明书由以下八个部分组成：
*快速参考数据
*极限值
*热阻
*静态特性
*动态特性
*反向二极管极限值及特性
*雪崩极限值
*图形数据
下面叙述每一部分
快速参考数据
这些数据作为迅速选择的参考。包括器件的关键参数，这样工程师就能迅速判断它是否为合适的器件。在所包括的五个参数中，最重要的是漏源电压 VDS是和开启状态下的漏源阻抗RDS(ON)。VDS是器件在断开状态下漏极和源极所能承受的最大电压。RDS(ON) 是器件在给定栅源电压以及25 ˚ C的结温这两个条件下最大的开启阻抗( RDS(ON)由温度所决定，见其静态特性部分)。这两个参数可以说明器件最关键的性能。漏极电流值(ID) 和总耗散功率都在这部分给出。这些数据必须认真对待因为在实际应用中数据说明书的给定的条件很难达到（见极限值部分）。在大多数应用中，可用的dc电流要比快速参考说明中提供的值要低。限于所用的散热装置，大多数工程师所能接受的典型功率消耗要小于20W(对于单独器件)。结温(TJ)通常给出的是150 ˚ C或者175 ˚ C。器件内部温度不建议超过这个值。
极限值
这个表格给出六个参数的绝对最大值。器件可以在此值运行但是不能超出这个值，一旦超出将会对器件发生损坏。漏源电压和漏栅电压有同样的值。给出的数据为可以加在各相应端所使用的最大电压。栅源电压, VGS, 给出在栅极和源极之间允许加的最大电压。一旦超过这个电压值，即使在极短的时间内也会对栅极氧化层产生永久性损害。给出的两个直流漏极电流值ID,一个是在背板温度为25 ˚ C 时，另一个是在背板温度为100˚ C时。再且这些电流值不代表在运行过程中能够达到。当背板温度在所引述的值时，这些电流值将会使得结温达到最大值。因此最大电流降额作为背板温度的函数，所引用的两个值曲线是降额曲线上的两个点（见图一）。引述的第三个电流值是脉冲峰值, IDM. 功率MOS 器件总的来说都有很强的峰流通过能力。连接管脚和芯片上的内部接线决定该极限值。IDM 所能应用的脉冲宽度取决于热考虑 (见计算电流的部分)。总消耗功率, Ptot, 以及最大结温在快速参考数据中也已说明。Ptot的值在等式1中以商的形式给出(见安全运行区部分)。所引述的条件是衬底温度保持在25˚ C。例如，BUK553-100A 的 Ptot 值为75 W,消耗这个功率使衬底温度保持在25 ˚ C 是极大的挑战。衬底温度越高，能耗散的总耗散功率越低。
很显然如果衬底温度等于最大允许的结温时，没有功率可被耗散掉。如图2的降额曲线，此器件的结温为175˚ C。
引述的存储温度通常在-40 /-55 ˚ C 和+150 /+175 ˚ C之间。存储温度和结温是由我们质量部门经过广泛的可靠性测量后所指定的。超过所给出的温度将会使可靠性降低。
热阻
给出两个非绝缘封装的热阻值。从结点到背板的值(Rthj-mb)表明当耗散一个给定的功率时，结温将会比背板温度所高出多少。以BUK553-100A 为例,它的Rthj-mb 等于2 K/W, 耗散的功率为10 W,结温将会高于背板20 ˚ C。另一个数值是从结点到外界的环境，这是一个更大的数值，它说明当器件不安装散热器且在流通空气中运行时结温是如何升高的。以BUK553-100A为例, Rthj-a = 60 K/W, 在流通空气中功率的耗散为1W将会产生使结温高于外界空气环境温度60 ˚ C的情况。
绝缘封装时，背板(硅芯片安装在上面的金属层)完全压缩在塑料中。因此无法给出结点到背板的热阻值，取代之是结点到散热片的Rthj-hs,它表现出散热片复合的作用。当比较绝缘封装和非绝缘封装型号的热阻时必须特别小心。例：非绝缘BUK553-100A 的 Rthj-mb 为2 K/W。绝缘BUK543-100A的Rthj-hs为5 K/W。它们有同样的晶体但是所封装不同。初比较时，非绝缘的型号似乎可以承受更大功率( 即电流 )。然而BUK553-100A 在结点到散热片的热阻测量中,这还包括背板和散热片之间的额外热阻。一些绝缘措施用在大多数情况中,例如云母垫圈.其背板到散热片的热阻为2 K/W。因此结点到散热片的总热阻为Rthj-hs(非绝缘型) = Rthj-mb + Rthmb-hs =4 K/W.可以看出实际中绝缘和非绝缘型的型号区别并不大。
静态特性
这个部分的参数描述击穿电压,开启电压,泄漏电流,开启阻抗的特性。漏源击穿电压比漏源电压的极限值要大。它可以用曲线跟踪仪测量,当栅极端和源极端短路时,它是漏极电流为250uA时的电压。栅极开启电压VGS(TO),表示的是使器件达到导通状态时栅极(相对于源极)所需要的电压。对于逻辑电平器件来说,栅极开启电压通常在1.0 和2.0 V间;对于标准器件则是2.1到4V之间。
(图.3)的表示漏极电流为 VGS 的函数说明典型的传输特性。(图.4)表示栅极开启电压随着结温而变化。在次开启传导时，（图5）表示在VGS电平低于门槛时漏极电流怎样随着栅源电压变化。断电状态时泄漏电流是漏源和栅源在各自所能承受最大电压情况下所规定的。注意到尽管栅源泄漏电流以十亿分之一安培为单位表示，它们的值遵循兆分之一安培而变化。
漏源导通电阻具有重要意义。它是当逻辑电平场效应管栅源电压5 V时的值；标准器件时栅源电压为10 V时的值。在10 V以上增加栅源电压时，标准MOS管的导通电阻没有明显减少。减少栅极电压然而可以增加导通电阻。对于逻辑电平场效应管来说，BUK553-100A，在栅极电压为5 V的情况下给出导通电阻，然而当栅极电压到达10 V时, 导通电阻将明显减少，这是由于其输出特性图.6 和导通电阻特性图.7决定。导通电阻是温度敏感参数，在25 ˚ C和150 ˚ C间，它的值近似变为两倍。RDS(ON) 栅源导通电阻与温度的对应关系的图在每份数据说明书中都包含，如图8。因为MOSFET正常运行Tj温度高于25 ˚ C,当估算MOSFET的耗散功率时，考虑RDS(ON)时会变大是很重要的。
动态特性
包括跨导,电容以及转换时间。正向跨导 Gfs,是增益参数，它表示在器件饱和状态下，栅极电压的变化引起的漏极电流的变化(MOSFET的饱和特性参考输出特性的平面部分。图.9表示漏极电流函数的Gfs是怎样变化的。
电容被大多数制造厂商分成输入电容，输出电容以及反馈电容。所引述的值是在漏源电压为25V情况下的。仅表明了一部分性质因为MOSFET电容值是依赖于电压值的，当电压降低时电容设备升高。图.10表明电容随电压的变化情况。电容数值的作用是有限的。输入电容值只给出一个大概的驱动电路所需的充电说明。可能栅极充电信息更为有用。如图11给出的例子。它表明为达到一个特定的栅源电压栅极所必须充的电量。
1.开启电压VT
·开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；
·标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；
·通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。
2. 直流输入电阻RGS
·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比
·这一特性有时以流过栅极的栅流表示
·MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。
3. 漏源击穿电压BVDS
·在VGS=0（增强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS
·ID剧增的原因有下列两个方面：
（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿
（2）漏源极间的穿通击穿
·有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID
4. 栅源击穿电压BVGS
·在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。
5. 低频跨导gm
·在VDS为某一固定数值的条件下 ，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导
·gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力
·是表征MOS管放大能力的一个重要参数
·一般在十分之几至几mA/V的范围内
6. 导通电阻RON
·导通电阻RON说明了VDS对ID的影响 ，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数
·在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间
·由于在数字电路中 ，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似
·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内
7. 极间电容
·三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容CGS 、栅漏电容CGD和漏源电容CDS
·CGS和CGD约为1～3pF
·CDS约在0.1～1pF之间
8. 低频噪声系数NF
·噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的
·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化
·噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝（dB）
·这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小
·低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数
·场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小
水管中的开关上os都代表什么
水管上的开关是可以开闭的，o就是open的意思，意为打开，与之相对的s即为关闭的意思，当开关上的箭头方向指向o时，说明水管是打开的，水流可以通过，而指向s时，则说明水管关闭，水流无法通过，一般来说，水管中的开关是常开的。
水龙管上的os是什么意思
水龙管是我们生活中常见的管道设施之一，其作用是将水从水源处输送到我们需要的地方。在水龙管上，os的意思是操作系统，也就是控制和管理计算机硬件和软件资源的核心程序。水龙管上的os可以让监控和控制水流的机器更加智能化，可以自主完成调节和运行的功能，提高了工作效率和安全性。随着人工智能技术的不断...
harmony os怎么读, harmony os怎么念?
鸿蒙harmonyos的读音：[ˈhɑːrməni][oʊ][es]。鸿蒙OS1.0：华为鸿蒙系统2019年8月9日，华为在东莞举行华为开发者大会，正式发布操作系统鸿蒙OS。鸿蒙OS是一款全场景分布式OS，可按需扩展，实现更广泛的系统安全，主要用于物联网，特点是低时延。鸿蒙OS实现模块化耦合，对应不...
谁能说下电脑BIOS COMS里的常用的单词和解释?
7.芯片组参数设置(Advanced Chipset Features Setup)芯片组参数设置---SDRAM CAS Latency TimeSDRAM Cycle Time Tras\/TrcSDRAM CAS Latency Time\/SDRAM Cycle Length(SDRAM CAS等待时间\/SDRAM周期长度) 控制SDRAM在读取或写入之前的时间,单位是CLK(Clock Cycle,时钟周期),减少等待时间能够增加突发传输的性能。如果内存...
os是什么意思啊
操作员站（Operator Station）**：操作员站（OS）主要负责输入参数和过程监控，完成人机界面（HMI）的功能。工程师站（Engineer Station）**：工程师站（ES）主要用于调试和诊断工程项目，监控并完善项目程序。国产掌上游戏机（ONE STATION）**：OS（ONE STATION）是一款国产的2.5英寸掌上游戏机。
苹果手机的操作系统中文iOS怎么读
IOS可以被视作一个网际互连中枢：一个高度智能的管理员，负责管理的控制复杂的分布式网络资源的功能。IOS是Cisco路由软件的初始品牌名称。随着Cisco技术的发展，IOS不断扩展，成为Cisco Central ENgineering（中央工程部门）所称之为的“一系列紧密连接的网际互连软件产品”。尽管在其品牌名识别中，IOS可能仍然...
谁有华擎P4I65PE主板的BIOS说明书啊
用户如果使用IDE硬盘驱动器,该项功能可以自 动读出硬盘参数,并将它们自动记入标准CMOS设定中,它 最多可以读出四个 IDE硬盘的参数。 以上介绍了Award BIOS Setup的常用选项的含义 及设置办法。更改设置后,请选 Save and Exit Setup项 来保存修改的内容,以便使所修改的内容生效。 编后:AWARD BIOS是一种常用的BIOS...
DOS下的常用指令都有那些啊?
(3)选用[\/S]参数,将把DOS系统文件IO.SYS、MSDOS.SYS及COMMAND.COM复制到磁盘上,使该磁盘可以做为DOS启动盘。若不选用\/S参数,则格式化后的磙盘只能读写信息,而不能做为启动盘; (4)选用[\/4]参数,在1.2MB的高密度软驱中格式化360KB的低密度盘; (5)选用[\/Q]参数,快速格式化,这个参数并不会重新划分磁盘...
bios怎么读
BIOS的发音为baɪɒs（bai-os）。BIOS（Basic Input\/Output System）是安装在计算机主板上的固件，它是计算机系统的基本软件接口。BIOS起到一个桥梁的作用，连接着计算机硬件和操作系统。BIOS最初出现在早期计算机时代，旨在协调和控制硬件的工作。它的主要任务是进行系统的自检，初始化和识别硬件...
“OS”是什么的缩写?
操作系统(Operating System，简称OS)是管理计算机系统的全部硬件资源以及软件资源；控制程序运行；改善人机界面；为其它应用软件提供支持等，使计算机系统所有资源最大限度地发挥作用，为用户提供方便的、有效的、友善的服务界面。操作系统通常是最靠近硬件的一层系统软件，它把硬件裸机改造成为功能完善的一台虚拟...
鄢宗思力： 说明书用来说明各种产品的性能.这对于在不同厂商之间选择相同规格的器件很有用.在一些情况下,不同厂商所提供的参数所依据的条件可能有微妙的区别,尤其在一些非重要参数例如切换时间.另外,数据说明书所包含的信息不一定和应用相关联.因此在使用说明书和选择相同规格的器件时需要特别当心以及要对数据的解释有确切的了解.本文以100 V逻辑电平 MOS管为例.
蒙城县13356206424： 怎么看MOS管是高电平导通还是低电平导通 在电路图纸中怎么看一直不明白 - ？
鄢宗思力： 可以通过看电路图纸中画的MOS形状来判断MOS管是高电平导通还是低电平导通.如果箭头指向栅极,那么MOS管就是高电平导通.如果箭头未指向栅极,那么MOS管就是低电平导通. P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管...
蒙城县13356206424： MOS管主要参数有哪些? ？
鄢宗思力： 银联宝电子的MOS管主要参数: 1.开启电压VT •开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压; •标准的N沟道MOS管,VT约...
蒙城县13356206424： 如何彻底读懂并理解MOSFET的Datasheet - ？
鄢宗思力： 所有功率MOS制造厂商都会提供每种型号产品的详细说明书. 说明书用来说明各种产品的性能.这对于在不同厂商之间选择相同规格的器件很有用.在一些情况下,不同厂商所提供的参数所依据的条件可能有微妙的区别,尤其 在一些非重要参...
蒙城县13356206424： 选择MOS管,看哪些参数,怎么选择,谢谢了,详细点 - ？
鄢宗思力： 1、负载电流IL ——它直接决定于MOSFET的输出能力; 2、输入—输出电压——它受MOSFET负载占空比能力限制; 3、开关频率FS——参数影响MOSFET开关瞬间的耗散功率; 4、 MOS管最大允许工作温度——这要满足系统指定的可靠性目标.
蒙城县13356206424： CMOS逻辑电路的MOS参数 - ？
鄢宗思力： 1.开启电压VT ·开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压;·标准的N沟道MOS管,VT约为3~6V;·通过工艺上的改进,可以使MOS管的VT值降到2~3V.2. 直流输入电阻RGS ·即在栅源极之间加...
蒙城县13356206424： 如何从电路中看出moss的型号? - ？
鄢宗思力： 要从电路中看出MOS管的型号,可以通过以下几种方法:查看电路板上的标识:有些电路板上会标注MOS管的型号,可以直接从标识上找到.查看MOS管的封装:MOS管的封装形式也会有一定的特征,例如TO-220、TO-92等,可以通过封装形式来初步判断MOS管的型号.查看MOS管的标志代码:有些MOS管上会有特定的标志代码,通过查阅相关资料或数据手册,可以找到对应的型号.使用测试仪器:使用万用表或测试仪器对MOS管进行测试,可以得到一些参数,如漏极电流、漏极电压等,然后通过这些参数来推测MOS管的型号.需要注意的是,以上方法只能初步推测MOS管的型号,准确的型号还需要通过查阅相关资料或数据手册来确认.来源:中芯巨能
蒙城县13356206424： MOS管上的参数识别 - ？
鄢宗思力： 9437,94年37周生产的.电容参数到网上下IRF9530的DATASHEET就一目了然了.丝印肯定不会标的
蒙城县13356206424： MOS管的高电平低电平到底指什么样的电压为高低? - ？
鄢宗思力： MOS管PDF中都有一个Vth的参数,这个参数是MOS开通的门限电压,当MOS管GS两端电压低于此电压时为低,高于此电压时开始导通,当高于Vmiller(这个PDF中不一定有)电压后完全导通.
蒙城县13356206424： MOS管是什么? - ？
鄢宗思力： MOS管一般又叫场效应管,与二极管和三极管不同,二极管只能通过正向电流,反向截止,不能控制,三极管通俗讲就是小电流放大成受控的大电流,MOS管是小电压控制电流的. MOS管的输入电阻极大,兆欧级的,容易驱动,但是价格比三极管要高,一般适用于需要小电压控制大电流的情况,电磁炉里一般就是用的20A或者25A的场效应管. 拓展资料: MOS电容的特性能被用来形成MOS管.Gate,电介质和backgate保持原样.在GATE的两边是两个额外的选择性掺杂的区域.其中一个称为source,另一个称为drain.假设source 和backgate都接地,drain接正电压.
