三星8nm工艺和台积电7nm工艺有什么区别?

作者&投稿:泰浩 (若有异议请与网页底部的电邮联系)
三星8nm工艺和台积电7nm哪个更好?~

三星代工工艺一直没有台积电好 相同工艺是这样 当时代工苹果6s a9芯片三星14nm还被台积电16nm吊打

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三星8nm工艺和台积电7nm工艺区别为:沟道长度不同、单位密度不同、功耗不同。

一、沟道长度不同

1、三星8nm工艺:三星8nm工艺的芯片中晶体管的沟道长度比台积电7nm工艺的芯片中晶体管的沟道长度要短。

2、台积电7nm工艺:台积电7nm工艺的芯片中晶体管的沟道长度比三星8nm工艺的芯片中晶体管的沟道长度要长。

二、单位密度不同

1、三星8nm工艺:三星8nm工艺所能达到的单位密度比台积电7nm工艺所能达到的单位密度要高。

2、台积电7nm工艺:台积电7nm工艺所能达到的单位密度比三星8nm工艺所能达到的单位密度要低。

三、功耗不同

1、三星8nm工艺:三星8nm工艺的芯片功耗比台积电7nm工艺的芯片功耗要高。

2、台积电7nm工艺:台积电7nm工艺的芯片功耗比三星8nm工艺的芯片功耗要低。



台积电7nm并不是真正意义上7nm,仍是用的传统的DUV工艺,三星8nm是用的EUV,台积电想先攻克7nm再弄EUV,三星想先攻克EUV技术再弄7nm,所以才有了8nm EUV和7nmDUV,两个都不是真正的7nmEUV,可以说都是10nm的改良版,不过是从不同的方向,谁强谁弱不好说,期待明年的真正的7nmEUV吧

8nm是10nm的改进版,本质是10nm++++,只不过三星会营销而已。
7nm算是一个新的工艺节点。
望采纳,谢谢。


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