为什么PN性半导体加压时,P区的空穴不会消失？不是被负极的电子都填补了吗？

为什么p区接正极，n区接负极，空穴就能越过壁垒？~

用上面这个图示方便理解：
由于扩散运动形成了上图中的PN结。就是红色虚线内侧一带。这个PN结形成的内电场的方向是向左。这个电场的效果是阻止扩散的进行。使PN二个半导体之间不再有电荷的定向移动。
如果我们外加一电场，P接正极、N接负极，则N区的多数载流子--电子就可以越过PN结，相当于这里增加了一个空穴，也常说是空穴越过了PN结从P区到达N区。你上面的文字就是这样叙述的。上面电子的这种定向移动我们叫做漂移运动。在外加电场的作用下，这种漂移运动不断进行，就形成了正向电流。
加反向电流的情况你可以自己分析。

（1）发光二极管和普通二极管一样具有单向导电性，
因为它们的核心部分都是一个PN结。
杂质半导体
N型半导体（N为Negative的字头，由于电子带负电荷而得此名）：掺入少量杂质磷元素（或锑元素）的硅晶体（或锗晶体）中，由于半导体原子（如硅原子）被杂质原子取代，磷原子外层的五个外层电子的其中四个与周围的半导体原子形成共价键，多出的一个电子几乎不受束缚，较为容易地成为自由电子。于是，N型半导体就成为了含电子浓度较高的半导体，其导电性主要是因为自由电子导电。
P型半导体（P为Positive的字头，由于空穴带正电而得此名）：掺入少量杂质硼元素（或铟元素）的硅晶体（或锗晶体）中，由于半导体原子（如硅原子）被杂质原子取代，硼原子外层的三个外层电子与周围的半导体原子形成共价键的时候，会产生一个“空穴”，这个空穴可能吸引束缚电子来“填充”，使得硼原子成为带负电的离子。这样，这类半导体由于含有较高浓度的“空穴”（“相当于”正电荷），成为能够导电的物质。

PN结的形成
PN结是由一个N型掺杂区和一个P型掺杂区紧密接触所构成的，其接触界面称为冶金结界面。[3]
在一块完整的硅片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成N型半导体，另一边形成P型半导体，我们称两种半导体的交界面附近的区域为PN结。
在P型半导体和N型半导体结合后，由于N型区内自由电子为多子空穴几乎为零称为少子，而P型区内空穴为多子自由电子为少子，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差。由于自由电子和空穴浓度差的原因，有一些电子从N型区向P型区扩散，也有一些空穴要从P型区向N型区扩散。它们扩散的结果就使P区一边失去空穴，留下了带负电的杂质离子，N区一边失去电子，留下了带正电的杂质离子。开路中半导体中的离子不能任意移动，因此不参与导电。这些不能移动的带电粒子在P和N区交界面附近，形成了一个空间电荷区，空间电荷区的薄厚和掺杂物浓度有关。
在空间电荷区形成后，由于正负电荷之间的相互作用，在空间电荷区形成了内电场，其方向是从带正电的N区指向带负电的P区。显然，这个电场的方向与载流子扩散运动的方向相反，阻止扩散。
另一方面，这个电场将使N区的少数载流子空穴向P区漂移，使P区的少数载流子电子向N区漂移，漂移运动的方向正好与扩散运动的方向相反。从N区漂移到P区的空穴补充了原来交界面上P区所失去的空穴，从P区漂移到N区的电子补充了原来交界面上N区所失去的电子，这就使空间电荷减少，内电场减弱。因此，漂移运动的结果是使空间电荷区变窄，扩散运动加强。
最后，多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。在P型半导体和N型半导体的结合面两侧，留下离子薄层，这个离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。PN结的内电场方向由N区指向P区。在空间电荷区，由于缺少多子，所以也称耗尽层。
（2）PN结的单向导电性：
从PN结的形成原理可以看出，要想让PN结导通形成电流，必须消除其空间电荷区的内部电场的阻力。很显然，给它加一个反方向的更大的电场，即P区接外加电源的正极，N区结负极，就可以抵消其内部自建电场，使载流子可以继续运动，从而形成线性的正向电流。而外加反向电压则相当于内建电场的阻力更大，PN结不能导通，仅有极微弱的反向电流（由少数载流子的漂移运动形成，因少子数量有限，电流饱和）。当反向电压增大至某一数值时，因少子的数量和能量都增大，会碰撞破坏内部的共价键，使原来被束缚的电子和空穴被释放出来，不断增大电流，最终PN结将被击穿（变为导体）损坏，反向电流急剧增大。

　　PN结的重要特性就是整流性，这要看你所加电压的方向，在PN结上外加一电压 ，如果P型一边接正极 ，N型一边接负极，电流便从P型一边流向N型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，电流可以顺利通过。如果N型一边接外加电压的正极，P型一边接负极，则空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过。这就是PN结的单向导电性。
　　PN结加反向电压时 ，空间电荷区变宽 ， 区中电场增强。反向电压增大到一定程度时，反向电流将突然增大。如果外电路不能限制电流，则电流会大到将PN结烧毁。反向电流突然增大时的电压称击穿电压。基本的击穿机构有两种，即隧道击穿（也叫齐纳击穿）和雪崩击穿，前者击穿电压小于0.6V，有负的温度系数，后者击穿电压大于0.6V，有正的温度系数。 PN结加反向电压时，空间电荷区中的正负电荷构成一个电容性的器件。它的电容量随外加电压改变。
　　根据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同，利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管。如利用PN结单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管，利用击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管；利用高掺杂PN结隧道效应制作隧道二极管；利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管。使半导体的光电效应与PN结相结合还可以制作多种光电器件。如利用前向偏置异质结的载流子注入与复合可以制造半导体激光二极管与半导体发光二极管；利用光辐射对PN结反向电流的调制作用可以制成光电探测器；利用光生伏特效应可制成太阳电池。
　　因此，PN结不管是加正向电压还是反向电压，其空穴和电子都不会消逝，只是其转移的过程。

加正向电压还是负的？

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平昌县18357329118： 试述半导体pN结的单向导电性 - ？
昌咳四环： 1、平衡时,PN结的P型半导体和n型半导体之间会形成空间电荷区,这是由于p型半导体的空穴和n型半导体的电子会向对方内部扩散,扩散后留下带负电的电离受主杂质和带正电的电离受主杂质.二者之间会产生一个电场,这个电场会阻碍电...

平昌县18357329118： P结为什么是负电子?N结为何是正电子? - ？
昌咳四环： 半导体的PN结中,P区的多数载流子为空穴,少数载流子为电子,而N区的多数载流子为电子,少数载流电子为空穴.图中所加的是反向电压,当加上图中所示的电源后,P区(不是P结,下同)的少数载流子——电子,向电源正极移动,N区的少数载流子——空穴,向电源负极移动,形成了反向漏电流.所以P区有带负电的电子,N区有带正电的空穴(不是正电子).

平昌县18357329118： p型半导体为什么把空穴作为载流子 - ？
昌咳四环： p型半导体是添加三价杂质元素(in)使硅原子共价键缺了1个价电子,价电子缺少的地方就成为空穴,空穴能从相邻原子接受电子,空穴成了多数载流子.p型半导体也有自由电子,与空穴相比少得多,所以称自由电子为少数载流子,相应的因为空穴比电子多,故称其为多数载流子.

平昌县18357329118： P型半导体的空穴是怎么来的? 在线等 - ？
昌咳四环： 掺入的硼(B)为离子,在其代替硅原子后,使半导体整体表现为空穴多于电子,也就是说,P型半导体中硅的电子没有消失,只不过硅里面增加了具有空穴的掺杂离子.同理,N型半导体也是一样的.

平昌县18357329118： N型半导体的多数载流子是电子,而P型半导体是空穴.所以说N型半导体带负电,P型带正电,对吗 - ？
昌咳四环： 不对,载流子指可移动的电荷,半导体内还有不可移动的电荷,比如带正电的原子核,这样就能与N型半导体的多数载流子是电子平衡,维持电中性条件了还有空穴是一个概念性的东西,实际是不存在的.

平昌县18357329118： 当pn结n型区的电导率远远大于p型区的电导率时,pn结电流主要是空穴流还 - ？
昌咳四环： N区电子为多子,P区电子为少子,在浓度差作用下电子会从N区向P区扩散,使P区失去空穴,留下带负电的杂质离子;而N区失去电子,留下带正电的杂质离子;从而产生空间电荷区,也就是PN层.PN结内产生内电场,在内电场作用下,电子会从P区向N区移动,而空穴会从N区向P区移动,即少子漂移

平昌县18357329118： “半导体二极管中P区的多数载流子【空穴】”,请问这里面的空穴是什么. - ？
昌咳四环： 空穴就是指什么都没有,与之对应的是电子...也就是说,简单地讲,在半导体中的各个原子并非紧密排列的,原子之间有很多空隙,二极管P区中这些空隙大部分是空的,所以称空穴为多数载流子;在二极管N区这些空隙大多充满电子,所以称电子为多数载流子

平昌县18357329118： 各位老师看看我对二极管的理解对不对 加正向电压时 p区和n区得到了源源不断的空穴和自由电子 继而 - ？
昌咳四环： 你只要记住正向导通,反向截止就行了!以后工作中也只用这,现在背的再熟除了折磨自已一点用也没有!

平昌县18357329118： 怎样理解PN结中＂载流子耗尽＂这句话 - ？
昌咳四环： N型半导体中电子为多数载流子,空穴为少数载流子,这在P型半导体中恰好相反.当他们形成PN结时,N区中的电子和P区中的空穴分别向对面扩散,相遇则发生中和,也就是载流子耗尽,最终在PN结中部形成耗尽区,在平衡状态下耗尽区中的自由载流子浓度很低.

平昌县18357329118： PN结两边加正偏,空间电荷区为什么会变窄?(从电荷的移动方向分析)？
昌咳四环： 理论基础:导体是内部具有较多可以自由移动的电荷的物体. 绝缘体是内部没有或者有很少可以自由移动的电荷的物体. +代表空穴带正电 -代表电子带负电 两竖线之间表示无自由移动电子或空穴部分,相当于绝缘体 没加电压时:P ++| |-- N 当P加...