上海半导体设计能力已达7nm,光刻机国际先进水平,何时能追赶国际巨头?

作者&投稿:氐影 (若有异议请与网页底部的电邮联系)
~ 上海政府宣布芯片设计实力提升至国际先进
半导体作为中国重点发展的关键领域,国内企业在封测环节表现出色,然而在设计和制造方面仍有较大挑战。目前,国内最先进的量产工艺仍停留在28nm,与国际先进水平的10nm和7nm工艺存在显著差距。高性能芯片的开发对工艺技术的要求尤为严格。

上海市政府在推动科技创新中心建设上取得了显著进展。副市长吴清和上海市经信委总工程师张英在新闻发布会上透露,上海集成电路产业已取得显著成就,2018年的销售额达到1450亿元,占比全国五分之一。上海正致力于打造全球集成电路创新高地。

在半导体设计方面,部分企业已经展现出强大的研发能力,紫光展锐在手机基带芯片市场占据世界第三的位置,其设计技术达到了7纳米的国际先进水平。这标志着中国在芯片设计领域的进步。

在半导体制造领域,中芯国际和华虹集团在国内市场名列前茅。中芯国际的28纳米工艺已实现量产,14纳米工艺的研发也已接近完成,显示了中国在制造技术上的突破。

在关键装备材料领域,中微和上微凭借其在刻蚀机、光刻机等战略产品上的研发,已经达到了或接近国际先进水平,这为提升整个行业的竞争力提供了强有力的技术支持。总的来说,上海在芯片设计和制造能力上取得的进步,显示了中国在追赶国际先进水平上的决心和实力。


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