10N60-ASEMI中小功率MOS管10N60
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10N60在TO-220AB封装里的栅极阈值电压VGS(TH)为4V，是一款中小功率MOS管。10N60的脉冲正向电流ISM为40A，连续漏极电流(ID)为10A，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。10N60的功耗(PD)为155W，静态漏源导通电阻(RDS(ON))为0.85Ω。10N60的电性参数是：二极管正向电压(VSD)为1.5V，反向恢复时间(Trr)为600nS，输出电容(Coss)为180pF，其中有3条引线。
10N60参数描述
型号：10N60
封装：TO-220AB
特性：中小功率MOS管
电性参数：10A 600V
栅极阈值电压VGS(TH)：4V
连续漏极电流(ID)：10A
功耗(PD)：155W
二极管正向电压(VSD)：1.5V
静态漏源导通电阻(RDS(ON))：0.85Ω
脉冲正向电流ISM：40A
反向恢复时间(Trr)：600nS
输出电容(Coss)：180pF
贮存温度：-55~+150℃
引线数量：3
10N60属于TO-220AB封装系列。它的本体长度为15.87mm，加引脚长度为28.8mm，宽度为10.16mm，高度为4.7mm，脚间距为2.54mm。
陆仲复方： 10N60 :N沟道MOSFET功率,10A 600V.10N60是耐压600V,电流10A的N沟道场效应管. 13N50是耐压500V,电流13A的N沟道场效应管. 只要你的实际应用电压不超过400V,就可以代换.电流不用考虑了. 场效应晶体管简称场效应管....
南江县19639058659： 那位电子高手能教小弟一下,常用的N沟道MOSFET管有哪些?通过电流大于2A,贴片和插件的都行. - ？
陆仲复方： 对于功率型MOS管来说,2A电流简直是小儿科.通过电流2A,加上设计裕量,起码要用额定电流在4A以上的MOS才行.比如说4N60,6N60,8N60,10N60.这些都是高耐压的管子,耐压值都是600V,前面那个数字是额定电流,8是8A.还有其他的,比如IRF产品里面,IRFZ44N,IRFZ46N,IRF540,IRF640,IRF3205等等,这些通过电流的能力都是20-60A之间,足够你用了.以上型号都可以在淘宝上轻易买到,很多二线城市的电子市场也有.
南江县19639058659： 大功率的MOS管是不是都可以替代小功率MOS管呢?比如说:10N60替换8N60. - ？
陆仲复方： 一般情况下都可以,要注意其耐压,只能高不能低,但某些地方需要注意其频率,导通电压等.
南江县19639058659： 如何选择开关电源上的MOS管 - ？
陆仲复方： 1、漏极-源极耐压Vdss,一般Vdss值大于MOS管的D极最大尖峰10%以上为安全值,D极最大尖峰电压指的是在AC264V输入时测试. 2、漏极连续工作电流ID,例如常温下7N60和10N60的ID值分别为7A和10A,一般单电压电源选择2A/10W比较安全; 3、漏极-源极阻抗RDS,阻抗越小温升越低,漏极电流越大,一般7N60的阻抗为1Ω,10N60的阻抗为0.7Ω. 4、工作频率即开关时间TD,一般MOS管的开关时间70 nS(纳秒)左右.这几个条件满足了,基本没问题.
南江县19639058659： IRFP460可以替换10N60吗 - ？
陆仲复方： 10N60 10安培,600/650伏特N沟道功率MOSFET 2SK2645 9 A, 600 V, 1.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
南江县19639058659： 10n60场效应管源极接电源正极还是负极? - ？
陆仲复方： ①→这个问题,场效应管的漏极(D)接电源正 极.②→场效应管的源极(S)通过一只500左右Ω的 电阻然后接地.
南江县19639058659： 10n10场效应管的参数 - ？
陆仲复方： 应该是100V,10A左右的mos管
南江县19639058659： 20n65能用10n60替换吗? - ？
陆仲复方： 这是一个功率型场效应管,20N65可以代换10N60,但10N60不能代20N65.
南江县19639058659： 场效应管10N60B能不能用K2645代换? - ？
陆仲复方： 10N60电流 10A、耐压600V、功率160W;K2645电流9A、耐压600V、功率50W.看看能不能代换
南江县19639058659： 开关电源中,经常使用的MOS开关管有哪些? - ？
陆仲复方： 6N60、8N60、10N60、IRF630、IRF830等等.如有帮助请采纳,或点击右上角的满意,谢谢!!
